专利名称：阵列基板及液晶面板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶面板。
背景技术：
目前，随着信号输入技术的不断发展，出现了触控输入方式，即操作人员可以直接通过触控屏进行输入。触控屏上通常具有横向和纵向扫描寻址线路，该扫描寻址线路可以通过横向扫描信号和纵向接收信号判断触控操作在触摸屏上的发生位置，进而实现与该触控操作相适应的触控功能。在大多数触控操作产品中，触控屏通常和液晶面板叠加设置在一起，以在同一显示区域内既能够显示输出内容又能够进行输入操作。通常而言液晶面板可以包括阵列基板和彩膜基板，在薄膜晶体管液晶显示器的制程中可以分别单独制作阵列基板和彩膜基板， 然后再将阵列基板和彩膜基板对盒并填充液晶，以便形成液晶面板。其中为了实现液晶面板的显示功能，需要在其阵列基板上制作用于显示功能的横向和纵向线路。而在触控屏中为了实现触控功能，也需要在触控屏上设置用于触控功能的横向和纵向线路。对于这种具有外置触控功能的液晶面板而言，由于需要分别单独的制作横向和纵向扫描线路，并对液晶面板和触摸屏进行组装，因此增加了工艺难度，提高了成本。
实用新型内容本实用新型的实施例提供一种阵列基板及液晶面板，以降低具有触控功能的液晶面板的工艺难度并降低成本。为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有显示薄膜晶体管和像素电极，所述显示薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，所述基板上还设有发射信号线和接收信号线，所述发射信号线和接收信号线之间设有触控薄膜晶体管，所述触控薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述发射信号线连接、漏极与所述接收信号线连接，且所述触控薄膜晶体管的栅极、源极和漏极的一极中设有间隔，所述间隔在触控操作发生时连通。本实用新型实施例还提供了一种液晶面板，包括如前所述的阵列基板、以及与所述阵列基板对盒的彩膜基板，在所述彩膜基板上设有触控电极，所述触控电极的设置位置与所述阵列基板中的间隔的位置相对应以连接所述阵列基板中的所述间隔。本实用新型实施例提供的阵列基板及液晶面板，所述阵列基板上不仅具有用作显示功能的结构，而且具有用作触控功能的结构，即所述基板上还设有发射信号线和接收信号线，所述发射信号线和接收信号线之间设有触控薄膜晶体管，所述触控薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述发射信号线连接、漏极与所述接收信号线连接，且所述触控薄膜晶体管的栅极、源极和漏极的一极中设有间隔，所述间隔在触控操作发生时连通，这样当通过触控操作将所述间隔连通后，可以使所述触控薄膜晶体管导通，这样所述发射信号线上的信号可以通过导通的触控薄膜晶体管传输到所述接收信号线，通过判断该信号来自哪一条栅线和发射信号线，可以判断触控操作发生的位置，以使液晶面板具有触控功能。并且实现所述触控功能的结构集成在所述阵列基板上，不需要制作另外的触控屏，因此降低了工艺难度和成本。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型实施例阵列基板的原理示意图；图2为本实用新型实施例阵列基板的结构的平面示意图；图加为图2中A2-A2方向的截面图；图3为本实用新型阵列基板第一次构图工艺后的平面示意图；图3a为图3中A3-A3方向的截面图；图4为本实用新型阵列基板第二次构图工艺后的平面示意图；图如为图4中A4-A4方向的截面图；图5为本实用新型阵列基板第三次构图工艺后的平面示意图；图^1为图5中A5-A5方向的截面图；图6为本实用新型另一实施例阵列基板的原理示意图；图7为本实用新型另一实施例阵列基板的结构的平面示意图；图8为本实用新型再一实施例阵列基板的原理示意图；图9为本实用新型再一实施例阵列基板的结构的平面示意图；图10为本实用新型液晶面板实施例中彩膜基板与所述阵列基板中的第一连接电极和第二连接电极的对应关系的示意图。附图标记1-基板，2-栅极，3-栅绝缘层，41-半导体层，42-掺杂半导体层，51-数据线， 52-发射信号线，53-接收信号线，6-钝化层，61-第一连接过孔，62-第二连接过孔，63-像素电极过孔，7-像素电极，71-第一连接电极，72-第二连接电极，11-显示薄膜晶体管， 12-触控薄膜晶体管，9-彩膜基板，91-触控电极，911-隔垫物，912-导电层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型实施例阵列基板及液晶面板进行详细描述。应当明确，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。下面参照图1、图2和图加说明本实施例中阵列基板的结构。其中，图1所示为本实用新型阵列基板一个实施例的原理示意图；图2所示为本实用新型实施例阵列基板的结构的平面示意图；图加为图2中A2-A2方向的截面图。本实施例中的阵列基板，包括基板1，基板1上设有栅线2，垂直于栅线2设有数据线51，栅线2和数据线51之间限定有像素区域，所述像素区域内设有显示薄膜晶体管11和像素电极7，显示薄膜晶体管11的栅极 Ila与栅线2连接、源极lib与数据线51连接、漏极Ilc与像素电极7连接，此外所述基板 1上还设有发射信号线52和接收信号线53，发射信号线52和接收信号线53之间设有触控薄膜晶体管12，触控薄膜晶体管12的栅极1 与栅线2连接、源极12b与发射信号线52连接、漏极12c与接收信号线53连接，且触控薄膜晶体管12的栅极12a、源极12b和漏极12c 的一极中设有间隔(图2所示实施例中是在触控薄膜晶体管12的栅极12a中设有所述间隔)，所述间隔在触控操作发生时连通。本实用新型实施例提供的阵列基板，所述阵列基板上不仅具有用作显示功能的结构，而且具有用作触控功能的结构，即所述基板2上还设有发射信号线52和接收信号线53， 发射信号线52和接收信号线53之间设有触控薄膜晶体管12，触控薄膜晶体管12的栅极 12a与栅线2连接、源极12b与发射信号线52连接、漏极12c与接收信号线53连接，且触控薄膜晶体管12的栅极12a、源极12b和漏极12c的一极中设有间隔，所述间隔在触控操作发生时连通，这样当通过触控操作将所述间隔连通后，可以使所述触控薄膜晶体管12导通，这样发射信号线52上的信号可以通过导通的触控薄膜晶体管12传输到接收信号线53， 通过判断该信号来自哪一条栅线和发射信号线，可以判断触控操作发生的位置，以使液晶面板具有触控功能。并且实现所述触控功能的结构集成在所述阵列基板上，不需要制作另外的触控屏，因此降低了工艺难度和成本。其中，为便于判断信号来自哪一条栅线和发射信号线，可以使所述栅线与所述发射信号线具有同步信号源，使得在触控操作将所述间隔连通的基础上，并在所述栅线上具有高电平以导通触控薄膜晶体管12的同时，发射信号线52上的高电平信号可以及时传递到接收信号线53上，以便于根据接收信号线53接收到的信号判断触控操作发生的位置。这里需要说明的是，由上面的描述可知，用于显示功能的结构和用于触控功能的机构共用所述阵列基板上的栅线进行行扫描，而在进行行扫描时所述栅线是逐行打开的， 因此对于一个确定的触控薄膜晶体管12而言，与其相应的栅线2仅在一个扫描周期T内的T分之一时刻打开，而由于目前技术的发展该T分之一时刻很小，足以在操作人员进行触摸操作期间(即在所述间隔连通期间)，使得与之对应的栅线2获得高电平。例如，以刷新频率为60Hz、一帧图像具有768行栅线的阵列基板为例而言，其可以在60分之一秒内扫描 768行栅线，而操作人员的触控操作大约在1秒左右，因此在触控操作期间触控薄膜晶体管可以获得导通的机会。此外，由于本实施例中将用作显示功能的横向和纵向扫描线路与用于触控功能的横向和纵向扫描线路均制作在所述阵列基板上，避免了各扫描线路的交错，降低了引入噪音等不良的风险，而且可以提高其像素开口率。由于将触控功能集成或内置在所述阵列基板上，还提高了所述阵列基板的附加价值，使之具有更高的市场竞争力。另外，由于本实施例中是使用单独的一个触控薄膜晶体管来控制触控位置的判断，因此虽然所述栅线为共用栅线，也不会影响用于显示的像素的扫描。其中需要说明的是，本实用新型的各实施例中，所述显示薄膜晶体管指的是在阵列基板的显示区域中能够起到显示作用的薄膜晶体管，所述触控薄膜晶体管指的是阵列基板的显示区域中能够起到触控作用，即能够实现触控寻址功能的薄膜晶体管。在本发明的各实施例中，可以通过多种结构以使所述间隔连通。例如，当以底栅结构设置时，可以在所述间隔一侧的上方设有第一连接电极71、另一侧的上方设有与第一连接电极71分离的第二连接电极72，在触控操作发生时第一连接电极71和第二连接电极72 连通以使所述间隔连通。但并不局限于此，也可以不需要通过第一连接电极71和第二连接电极72来连通所述间隔。例如，当触控薄膜晶体管12的栅极或源漏极由像素电极金属制成，并与像素电极位于同一层时，可以不需要上述各连接电极。再例如，当采用将像素电极设置在底部，而将触控薄膜晶体管的栅极或源漏极设置在顶部的结构时，也可以不需要上述各连接电极。但是，在下面对各实施例的具体描述中，是以使用第一连接电极71和第二连接电极72的结构为例进行的描述。应当理解，不使用所述连接电极的情况可以根据以下公开类似地得知。在图2所示的阵列基板的实施例中，触控薄膜晶体管12的栅极1 可以与显示薄膜晶体管11的栅极Ila同时形成并同层设置，类似地，触控薄膜晶体管12的源极12b和漏极12c可以与显示薄膜晶体管11的源极Ila和漏极lib同时形成并同层设置。具体而言， 栅线2、触控薄膜晶体管12的栅极1 和显示薄膜晶体管11的栅极Ila形成在玻璃基板1 上。触控薄膜晶体管12的有源层形成在其栅极1 上，显示薄膜晶体管11的有源层形成在其栅极Ila上，触控薄膜晶体管12的有源层可以包括半导体层41和掺杂半导体层42，显示薄膜晶体管11的有源层也可以包括半导体层41和掺杂半导体层42。触控薄膜晶体管 12的源极12b和漏极12c形成在有源层上，源极12b和漏极12c之间形成沟道，源极12b和发射信号线52连接，漏极12c和接收信号线53连接。显示薄膜晶体管11的源极lib和漏极Ilc形成在显示区域的有源层上，源极lib和漏极Ilc之间形成沟道，源极lib与数据线 51连接，漏极Ilc通过过孔63与像素电极7连接。在将触控晶体管12的各组成部分(如栅极、源极、漏极和沟道等)和显示薄膜晶体管11的各组成部分同时形成并同层设置之后，触控晶体管12的各组成部分一般位于相邻的两个数据线51之间，为更方便地使触控晶体管12的源极12b与发射信号线52连接、 并使漏极12c与接收信号线53连接，可以将发射信号线52和接收信号线53平行地设在相邻的两个数据线51之间，并与数据线51平行。但并不局限于此，也可以将发射信号线52 和接收信号线53设置在相邻两条数据线51的外侧，但此时需要进行适当的结构设计以免发生不良，触控薄膜晶体管12的源极12b和漏极12c与数据线51产生交叉等不良。此外在图2所示的状态下，还可以使发射信号线52尽可能地靠近其左侧的数据线 51,并使接收信号线53尽可能地靠近其右侧的数据线51，从而可以使邻近的数据线51和发射信号线52共用彩膜基板上对应的一部分黑矩阵，并使相邻的数据线51和接收信号线53 共用彩膜基板上对应的另一部分黑矩阵，由于不需要对应数据线51、发射信号线52和接收信号线53分别制作单独的黑矩阵，因此使得黑矩阵的布置更加紧凑而不分散，减少黑矩阵的分布面积。上述将发射信号线52和接收信号线53平行地设在相邻的两个数据线51之间、并与数据线51平行结构，可以有利于发射信号线52和接收信号线53与数据线51同时形成并同层设置，这是因为在同一层上当将触控晶体管12的源极12b与发射信号线52连接、漏极12c与接收信号线53连接时，上述结构可以避免触控薄膜晶体管12的源极12b或漏极12c与数据线51产生交叉，从而引起不良。由上面的描述可知，在图2所示的实施例中触控薄膜晶体管12的栅极12a中设有间隔，可以在该间隔的两侧设置第一连接电极71和第二连接电极72将该栅极12连通，从而使触控薄膜晶体管12导通，其中第一连接电极71和第二连接电极72可以与像素电极7 同时形成并同层设置，以节省构图工艺步骤，并进而降低成本。由于第一连接电极71和第二连接电极72与像素电极7同层设置，因此当所述间隔设在触控薄膜晶体管12的栅极12a、源极12b和漏极12c中的任一极中时，第一连接电极71和第二连接电极72均无法与所述间隔位于同一层，为此可以在所述间隔的一侧的上方设有第一连接过孔61，使第一连接电极71通过第一连接过孔61与所述间隔的一侧连接， 并在所述间隔的另一侧的上方设有第二连接过孔62，使第二连接电极72通过第二连接过孔62与所述间隔的另一侧连接。图2所示实施例的阵列基板中，是在阵列基板的用于实现显示功能的结构中增加了用于实现触控寻址功能的结构，其中用于实现显示功能的结构分布较为密集，即阵列基板中用于显示功能的每个像素区域的占用面积都很小。而对于操作者而言，当其使用手指或者触摸笔操作时，手指或触摸笔与液晶面板(包括阵列基板)的接触面积将远大于每个像素区域的占用面积，因此一般不宜在用于显示功能的每个单位矩阵内都设置一组用于触控功能的结构以免引发误操作，该一组用于触控功能的结构可以包括发射信号线52、接收信号线53以及触控薄膜晶体管12等。为此，可以在所述阵列基板的横向(与栅线平行的方向)上相隔预定的像素区域设置一对发射信号线52和接收信号线53，并在所述阵列基板的纵向(与数据线平行的方向)上相隔预定的像素区域在该对发射信号线52和接收信号线53之间设置一个触控薄膜晶体管12。这样可以使用于实现触控功能的结构的分布较为分散，避免误操作。下面将结合具体的例子来说明上述阵列基板的制造工艺。在以下说明中，本实用新型实施例所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、以及刻蚀等工艺。如图3所示为本实用新型实施例阵列基板第一次构图工艺后的平面示意图，图3a 为图3中A3-A3方向的截面图。首先采用溅射或热蒸发的方法在基板1 (如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄膜。栅金属薄膜可以使用Cr、W、Ti、Ta、M0、Al、Cu等金属及其合金，栅金属薄膜也可以由多层金属薄膜组成。然后采用普通掩模板，通过第一次构图工艺对栅金属薄膜进行刻蚀，在基板1上形成栅线2和触控薄膜晶体管12的栅极12a的图形。 在第一次构图工艺中，同时还可以形成显示薄膜晶体管11的栅极Ila的栅极的图形。如图4所示为本实用新型阵列基板第二次构图工艺后的平面示意图，图如为图4 中A4-A4方向的截面图。首先，通过等离子体增强化学气相沉积方法连续沉积栅绝缘薄膜、 形成栅绝缘层3。栅绝缘薄膜可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体。之后，在形成有栅绝缘层3的基板上形成有源层薄膜，有源层薄膜可以包括半导体薄膜和掺杂半导体薄膜。再之后，在掺杂半导体薄膜上通过溅射或热蒸发的方法沉积源漏金属薄膜，源漏金属薄膜可以选用Cr、 W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金。在沉积完源漏金属薄膜后，通过第二次构图工艺进行刻蚀，形成发射信号线52、接收信号线53、以及触控薄膜晶体管12的有源层、源极12b、 漏极12c及其沟道的图形。其中，触控薄膜晶体管12的源极12b与发射信号线52直接连接、漏极12c与接收信号线53直接连接。触控薄膜晶体管12的沟道处的掺杂半导体薄膜 42被全部刻蚀掉、半导体薄膜41被部分刻蚀掉。有源层包括半导体层41和掺杂半导体层 42。在第二次构图工艺中，还可以一并形成显示薄膜晶体管11的栅绝缘层3、有源层、源极 lib、漏极11c、沟道以及数据线51的图形。第二次构图工艺可以是一个多次刻蚀的工艺，其中可以使用半色调或灰色调掩模板。具体地，在沉积完源漏金属薄膜后，涂覆光刻胶，然后曝光。发射信号线52、接收信号线53、以及触控薄膜晶体管12的源极12b和漏极12c对应于光刻胶完全保留区域，触控薄膜晶体管12的沟道处对应于光刻胶半保留区域，其他不需要保留源漏金属薄膜的区域对应于光刻胶的完全去除区域。需要说明的是，由于还需要形成显示薄膜晶体管11，则显示薄膜晶体管11可以与触控薄膜晶体管12同步形成，显示薄膜晶体管11的源极lib、漏极Ilc 和数据线51可以也对应于光刻胶完全保留区域，沟道处对应于光刻胶半保留区域，其他的不需要保留源漏金属薄膜的区域可以对应于光刻胶完全去除区域。第一次刻蚀后，去掉光刻胶完全去除区域的半导体膜、掺杂半导体膜和源漏金属薄膜。进行光刻胶灰化工艺，去除触控薄膜晶体管12和显示薄膜晶体管11的沟道处的光刻胶。然后通过第二次刻蚀，去除沟道处的掺杂半导体薄膜42和部分半导体薄膜41，形成触控薄膜晶体管12和显示薄膜晶体管1的源极和漏极、并形成发射信号线52、接收信号线53、以及数据线51的图形。如图5所示为本实用新型阵列基板第三次构图工艺后的平面示意图，图fe为图5 中A5-A5方向的截面图。在阵列基板上通过等离子体增强化学气相沉积方法沉积钝化层薄膜，钝化层薄膜可以采用氧化物、氮化物或者氮氧化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、 N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3j2的混合气体。然后采用普通掩模板，通过第三次构图工艺， 在栅极12a中的所述间隔的上侧部分的上方的钝化层6中形成第一连接过孔61，并在其下侧部分的上方的钝化层6中形成第二连接过孔62。在第三次构图工艺中，还可以形成显示薄膜晶体管11的漏极Ilc对应的像素电极过孔63。在形成各个连接过孔之后的基板上，通过溅射或者热蒸发的方法沉积透明导电薄膜，透明导电薄膜可以为氧化铟锡(Indium TinOxide，简称ΙΤ0)。采用普通掩模板，通过第四次构图形成第一连接电极71和第二连接电极72的图形。第一连接电极71通过第一连接过孔61与栅极12a的上侧部分连接，第二连接电极72通过第二连接过孔62与栅极1 的下侧部分连接。经过第四次构图工艺后的平面图和截面图如图2和图加所示。在第四次构图工艺中，还可以一并形成显示薄膜晶体管11的像素电极7。本实用新型的阵列基板，不限于前述提及的四次构图工艺，还可以采用五次构图工艺等。例如，在上述的第二次构图工艺中可以不采用半色调或灰色调掩模板，而是通过两次构图工艺来完成。具体地，在第一次构图工艺之后，可以通过第二次构图工艺并采用普通掩模板，形成触控薄膜晶体管的有源层。然后在形成有有源层的基板上沉积源漏金属薄膜， 通过第三次构图工艺并采用普通掩模板，形成触控薄膜晶体管的源极、漏极和沟道，并形成发射信号线和接收信号线。此外，各个连接过孔以及各个连接电极分别可以通过前述提及的四次构图工艺中的第三次和第四次构图工艺形成。本实用新型的各个实施例中，触控薄膜晶体管的结构不限于前述提及的薄膜晶体管结构，如可以是底栅结构，也可以是顶栅结构。对于所述间隔在触控薄膜晶体管12的栅极12a、源极12b和漏极12c的设置而言， 除图1和图2所示可以将所述间隔设置在栅极1 中之外，如图6和图7所示还可以将所述间隔设置在源极12b中，或者如图8和图9所示还可以将所述间隔设置在漏极12c中。对于图7和图9所示的实施例，其结构和制作工艺与图2所示的实施例相类似，具体可以参见上述对图2所示实施例的描述。除此之外，本实用新型的实施例还提供了一种液晶面板。所述液晶面板包括如上所述的阵列基板、以及与所述阵列基板对盒的彩膜基板，在所述彩膜基板上设有触控电极， 所述触控电极的设置位置与所述阵列基板中的间隔的位置相对应以连接所述阵列基板中的所述间隔。需要说明的是，可以通过多种结构以使所述间隔连通。例如，当以底栅结构设置时，可以在所述间隔一侧的上方设有第一连接电极、另一侧的上方设有与第一连接电极分离的第二连接电极，在触控操作发生时第一连接电极和第二连接电极连通以使所述间隔连通。但并不局限于此，也可以不需要通过第一连接电极和第二连接电极来连通所述间隔。但是，在下面的描述中，是以使用第一连接电极和第二连接电极的结构为例进行的描述。例如，如图10所示，其为本实用新型液晶面板实施例中彩膜基板与所述阵列基板中的第一连接电极和第二连接电极的对应关系的示意图，在彩膜基板9上设有触控电极 91，触控电极91的设置位置与所述阵列基板中的间隔的位置相对应以连接所述阵列基板中的第一连接电极71和第二连接电极72。举例而言，触控电极91可以包括设在彩膜基板9的黑矩阵上的隔垫物911，并在隔垫物911的外表面设有导电层912，这样当操作人员向下按压彩膜基板进行触控操作时，隔垫物911及其导电层912随之向下运动与第一连接电极71和第二连接电极72连通，从而使所述触控薄膜晶体管导通。需注意，本实施例中的触控电极91并不局限于此处隔垫物的形式，而是可以为其他类型的凸起物。这里利用隔垫物制作触控电极91较为方便。此外，本实施例中所述阵列基板中的接收信号线连接有处理单元(未图示)，该处理单元用于根据由所述接收信号线中接收到的信息来确定触控位置。其中所述处理单元可以制作在液晶面板所连接的驱动电路板中，也可以制作在为该目的而提供的单独的电路板中。需要说明的是，本实施例中所使用的阵列基板的结构和功能与上述阵列基板的各实施例中所述的结构和功能相同，各实施例之间可以进行相互参考。以上所述，仅为本发明的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
9
权利要求1.一种阵列基板，包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有显示薄膜晶体管和像素电极，所述显示薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，其特征在于，所述基板上还设有发射信号线和接收信号线，所述发射信号线和接收信号线之间设有触控薄膜晶体管，所述触控薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述发射信号线连接、漏极与所述接收信号线连接，且所述触控薄膜晶体管的栅极、源极和漏极的一极中设有间隔，所述间隔在触控操作发生时连通。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔一侧的上方设有第一连接电极、另一侧的上方设有与所述第一连接电极分离的第二连接电极，在触控操作发生时所述第一连接电极和第二连接电极连通且所述间隔连通。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述触控薄膜晶体管的栅极与所述显示薄膜晶体管的栅极同层设置、所述触控薄膜晶体管的源极和漏极与所述显示薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述发射信号线和接收信号线平行地设在相邻的两个所述数据线之间，并与所述数据线平行。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述发射信号线和接收信号线与所述数据线同层设置。
6.根据权利要求2所述阵列基板，其特征在于，所述第一连接电极和所述第二连接电极与所述像素电极同层设置。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔的一侧的上方设有第一连接过孔，所述第一连接电极通过所述第一连接过孔与所述间隔的一侧连接，所述间隔的另一侧的上方设有第二连接过孔，所述第二连接电极通过所述第二连接过孔与所述间隔的另一侧连接。
8.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板的横向上相隔预定的像素区域设置一对所述发射信号线和接收信号线，并在所述阵列基板的纵向上相隔预定的像素区域在该对所述发射信号线和接收信号线之间设置一个触控薄膜晶体管。
9.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线与所述发射信号线具有同步信号源。
10.一种液晶面板，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的阵列基板、以及与所述阵列基板对盒的彩膜基板，在所述彩膜基板上设有触控电极，所述触控电极的设置位置与所述阵列基板中的间隔的位置相对应以连接所述阵列基板中的所述间隔。
11.根据权利要求10所述的液晶面板，其特征在于，所述触控电极包括设在所述彩膜基板的黑矩阵上的隔垫物，所述隔垫物的外表面设有导电层。
12.根据权利要求10或11所述的液晶面板，其特征在于，所述阵列基板中的接收信号线连接有用于确定触控位置的信号处理单元。
专利摘要本实用新型公开了一种阵列基板及液晶面板，涉及液晶显示技术领域，为降低具有触控功能的液晶面板的工艺难度并降低成本而发明。所述阵列基板包括基板，所述基板上设有栅线，数据线，显示薄膜晶体管和像素电极；所述基板上还设有发射信号线和接收信号线，所述发射信号线和接收信号线之间设有触控薄膜晶体管，所述触控薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述发射信号线连接、漏极与所述接收信号线连接，且所述触控薄膜晶体管的栅极、源极和漏极的一极中设有间隔，所述间隔在触控操作发生时连通。本实用新型可用于实现具有内置触控功能的液晶面板。
文档编号H01L29/786GK202057936SQ20112016435
公开日2011年11月30日 申请日期2011年5月20日 优先权日2011年5月20日
发明者李成, 董学, 黎蔚 申请人:北京京东方光电科技有限公司