多层陶瓷电容器及其制造方法与流程

文档序号:11972209阅读:来源:国知局
多层陶瓷电容器及其制造方法与流程

技术特征:
1.一种多层陶瓷电容器,所述电容器包括:陶瓷主体,所述陶瓷主体具有彼此相反的第一侧表面和第二侧表面以及连接所述第一侧表面和所述第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面;多个内部电极,所述多个内部电极在所述陶瓷主体中形成,并且所述多个内部电极的一个末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面;和第一侧边缘部分和第二侧边缘部分,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分从所述第一侧表面和所述第二侧表面到内部电极的各自的边缘形成,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分的平均厚度为18μm或更小,其中,当将在覆盖层与所述陶瓷主体中的所述第一侧边缘部分或所述第二侧边缘部分之间的边界表面沿所述陶瓷主体的厚度方向分成两个区域时,与内部电极相邻的区域为S1,与所述陶瓷主体的上表面或下表面相邻的区域为S2,S1的孔隙率为P1,S2的孔隙率为P2,满足P1>P2,且1≤P1≤20。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分由陶瓷浆料形成。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述多个内部电极包括:第一内部电极,所述第一内部电极具有一个末端暴露于所述第三末端表面,而另一个末端与所述第四末端表面间隔开预定的间隔;和第二内部电极,所述第二内部电极具有一个末端暴露于所述第四末端表面,而另一个末端与所述第三末端表面间隔开预定的间隔。4.一种多层陶瓷电容器,所述电容器包括:陶瓷主体,所述陶瓷主体具有彼此相反的第一侧表面和第二侧表面以及连接所述第一侧表面和所述第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面;多个内部电极,所述多个内部电极在所述陶瓷主体中形成,并且所述多个内部电极的一个末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面;和第一侧边缘部分和第二侧边缘部分,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分从所述第一侧表面和所述第二侧表面到内部电极的各自的边缘形成,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分的平均厚度为18μm或更小,其中,当将在覆盖层与所述陶瓷主体中的所述第一侧边缘部分或所述第二侧边缘部分之间的边界表面沿所述陶瓷主体的厚度方向分成两个区域时,与内部电极相邻的区域为S1,与所述陶瓷主体的上表面或下表面相邻的区域为S2,S1的孔隙率为P1,S2的孔隙率为P2,满足P1/P2>2。5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器,其中,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分由陶瓷浆料形成。6.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器,其中,所述多个内部电极包括:第一内部电极,所述第一内部电极具有一个末端暴露于所述第三末端表面,而另一个末端与所述第四末端表面间隔开预定的间隔;和第二内部电极,所述第二内部电极具有一个末端暴露于所述第四末端表面,而另一个末端与所述第三末端表面间隔开预定的间隔。7.一种制造多层陶瓷电容器的方法,所述方法包括:制备包括其间具有预定的间隔的多个条形第一内部电极图案的第一陶瓷生片和包括其间具有预定的间隔的多个条形第二内部电极图案的第二陶瓷生片;通过堆叠所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片同时使所述条形第一内部电极图案和所述条形第二内部电极图案彼此交叉而形成陶瓷生片多层主体,并且通过在所述陶瓷生片多层主体的上表面和下表面的至少一个上堆叠多个陶瓷生片而形成覆盖层;将所述陶瓷生片多层主体切割成为多层主体,同时横断所述条形第一内部电极图案和所述条形第二内部电极图案,使得第一内部电极和第二内部电极具有均匀的宽度,每个所述多层主体具有侧表面,沿所述多层主体的宽度方向,所述第一内部电极和所述第二内部电极的边缘暴露于所述侧表面;和通过使用陶瓷浆料,在所述侧表面上形成第一侧边缘部分和第二侧边缘部分,所述第一内部电极和所述第二内部电极的边缘分别暴露于所述侧表面,其中,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分的平均厚度为18μm或更小,和当将在所述覆盖层与所述多层主体中的所述第一侧边缘部分或所述第二侧边缘部分之间的边界表面沿所述多层主体的厚度方向分成两个区域时,与内部电极相邻的区域为S1,S1的孔隙率为P1,满足1≤P1≤20。8.根据权利要求7所述的方法,其中,在形成所述陶瓷生片多层主体中,所述条形第一内部电极图案的中心部分和所述条形第二内部电极图案之间的预定的间隔彼此重叠。9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述陶瓷生片多层主体的切割包括:将所述陶瓷生片多层主体切割成为各自具有所述侧表面的棒形多层主体,所述第一内部电极和所述第二内部电极的边缘暴露于所述侧表面;和在形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分之后,沿着相同的切割线切割所述第一内部电极的中心部分和所述第二内部电极之间的预定的间隔,以形成具有第三末端表面和第四末端表面的所述多层主体,所述第一内部电极和所述第二内部电极的一端分别暴露于所述第三末端表面和所述第四末端表面。10.根据权利要求7所述的方法,其中,所述陶瓷生片多层主体的切割包括:将所述陶瓷生片多层主体切割成为各自具有所述侧表面的棒形多层主体,所述第一内部电极和所述第二内部电极的边缘暴露于所述侧表面;和在形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分之前,沿着相同的切割线切割所述棒形多层主体中的所述第一内部电极的中心部分和所述第二内部电极之间的预定的间隔,以形成具有第三末端表面和第四末端表面的所述多层主体,所述第一内部电极和所述第二内部电极的一端分别暴露于所述第三末端表面和所述第四末端表面。11.根据权利要求7所述的方法,其中,通过将陶瓷浆料施用于所述侧表面,实施形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分,所述第一内部电极和所述第二内部电极的边缘暴露于所述侧表面。12.根据权利要求7所述的方法,其中,通过在陶瓷浆料中浸渍所述侧表面,实施形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分,所述第一内部电极和所述第二内部电极的边缘暴露于所述侧表面。13.根据权利要求7所述的方法,其中,当将在所述覆盖层与所述陶瓷生片多层主体中的所述第一侧边缘部分或所述第二侧边缘部分之间的所述边界表面沿厚度方向分成两个区域时,与所述陶瓷生片多层主体的上表面或下表面相邻的区域为S2,S2的孔隙率为P2,满足P1/P2>2。
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