1.一种高电子迁移率晶体管器件的形成方法，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成具有多个交替层的沟道层叠层，所述交替层为一层或多层未掺杂的氮化镓层和一层或多层碳掺杂的氮化镓层的交替层；和
在所述沟道层叠层上形成阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述沟道层叠层包括：
在抑制所述氮化镓中碳的引入的第一生长条件下生长所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层，和
在促进所述氮化镓中碳的引入的第二生长条件下生长所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述沟道层叠层包括：
形成具有小于1E18个原子/cm3的碳浓度的所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层；和
形成具有大于1E18个原子/cm3的碳浓度的所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中
生长所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层包括提供包括低生长速率和V族前体与III族前体的高比例的第一生长条件，和
生长所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层包括提供包括高生长速率和V族前体与III族前体的低比例的第二生产条件。
5.根据权利要求4所述的方法，其中
用于生长所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层的所述低生长速率为大于0.1μm/hr且小于5μm/hr，和
用于生长所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层的所述高生长速率为大于5μm/hr且小于10μm/hr。
6.根据权利要求5所述的方法，其中用于生长所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层的所述高生长速率比用于生长所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层的所述低生长速率高约15-20倍。
7.根据权利要求4所述的方法，其中用于生长所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层的所述高比例为大于100:1且小于10000:1，用于生长所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层的所述低比例为大于10:1且小于200:1。
8.根据权利要求4所述的方法，其中用于生长所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层和所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层的所述第一生长条件和所述第二生长条件进一步包括生长温度和生长压力。
9.根据权利要求8所述的方法，其中用于生长所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层和所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层的所述生长温度为大于750℃且小于1000℃，和
其中用于生长所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层和所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层的所述生长压力为大于35托且小于700托。
10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述沟道层叠层包括：
将所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层生长为大于1nm且小于200nm的厚度，和
将所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层生长为大于1nm且小于500nm的厚度。
11.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述沟道层叠层包括：生长所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层和所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层以致所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层的厚度与所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层的厚度之比大于1:3且小 于3:1。
12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
形成电连接至所述阻挡层的源电极；
形成电连接至所述阻挡层的漏电极；和
在所述源电极和所述漏电极之间形成电连接至所述阻挡层的栅电极，
其中所述源电极和所述漏电极与所述阻挡层形成欧姆连接，所述栅电极与所述阻挡层形成非欧姆连接。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层包括氮化铝镓。
14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述基板和所述沟道层叠层之间形成缓冲层。
15.一种高电子迁移率晶体管器件，其包括：
基板；
在所述基板上的具有多个交替层的沟道层叠层，所述交替层为一层或多层未掺杂的氮化镓层和一层或多层碳掺杂的氮化镓层的交替层；和
在所述沟道层叠层上的阻挡层。
16.根据权利要求15所述的高电子迁移率晶体管器件，其中所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层具有小于1E18个原子/cm3的碳浓度，和所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层具有大于1E18个原子/cm3的碳浓度。
17.根据权利要求15所述的高电子迁移率晶体管器件，其中所述一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层具有大于1nm且小于200nm的厚度，和所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层具有大于1nm且小于500nm的厚度。
18.根据权利要求15所述的高电子迁移率晶体管器件，其中所述一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层的厚度与所述一层或多层未掺杂的氮化 镓层中的每一层的厚度之比大于1:3且小于3:1。
19.根据权利要求15所述的高电子迁移率晶体管器件，其进一步包括：
电连接至所述阻挡层的源电极；
电连接至所述阻挡层的漏电极；和
在所述源电极和所述漏电极之间的电连接至所述阻挡层的栅电极，
其中所述源电极和所述漏电极与所述阻挡层形成欧姆连接，所述栅电极与所述阻挡层形成非欧姆连接。
20.根据权利要求15所述的高电子迁移率晶体管器件，其中所述阻挡层包括氮化铝镓。
21.根据权利要求15所述的高电子迁移率晶体管器件，其进一步包括：
在所述基板和所述沟道层叠层之间的缓冲层。