技术总结
本发明涉及具有周期性碳掺杂的氮化镓的高电子迁移率晶体管。公开了一种具有多个一层或多层未掺杂的氮化镓层和一层或多层碳掺杂的氮化镓层的交替层的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的形成方法，和通过所述方法形成的HEMT器件。在一个实施方案中，该方法包括在基板上形成沟道层叠层，沟道层叠层具有多个一层或多层未掺杂的氮化镓层和一层或多层碳掺杂的氮化镓层的交替层。该方法进一步包括在沟道层叠层上形成阻挡层。在一个实施方案中，沟道层叠层通过在抑制碳在氮化镓中的引入的生长条件下生长一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层和在促进碳在氮化镓中的引入的生长条件下生长一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层来形成。
技术研发人员：J·C·拉默;K·克尼里姆
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201510155907
技术研发日：2015.04.02
技术公布日：2016.11.23