1.一种存储器元件的接触窗结构，包括：
一导电材料及一绝缘材料交替的多层，水平地位于一结构的一第一区域中的一基板之上；
一沟道，形成于该结构的一第二区域中，该第二区域与该第一区域相邻，该沟道具有该导电材料及该绝缘材料交替的这些层的多个延伸部分，这些延伸部分位于该沟道的至少一侧边上方；以及
该沟道的一切去部，该切去部暴露出至一水平平面的一层上方的该导电材料的这些延伸部分，该切去部有效地使该导电材料的这些层与多个垂直取向的导电结构之间电性连接。
2.根据权利要求1所述的接触窗结构，其中这些垂直取向的导电结构是与该导电材料的这些层中所水平暴露出的这些延伸部分电性连接。
3.根据权利要求2所述的接触窗结构，更包括多个多余的垂直取向的导电结构，与该导电材料的这些层的这些延伸部分形成电性连接。
4.根据权利要求1所述的接触窗结构，其中该绝缘材料包括SiCHOx。
5.根据权利要求1所述的接触窗结构，其中该绝缘材料包括HfOx、HfON、AlOx、RuOx及TiOx中之一者或多者。
6.根据权利要求1所述的接触窗结构，其中该接触窗结构是用于一三维半导体NAND存储器元件。
7.一种制造存储器元件的接触窗结构的方法，包括：
提供一基板；
图案化一沟道位置于该基板中；
根据图案化的该沟道位置来进行刻蚀，以形成一沟道于该基板中，该基板未被刻蚀的部分为该基板的一水平部；
沉积一缓冲材料，覆盖于该基板的该水平部之上，并内衬(liner)于该沟道；
沉积交替的多个导电层及多个绝缘层，覆盖于该水平部上方的该缓冲材料之上，并以交替的这些导电层及这些绝缘层的多个延伸部分内衬于该沟道；
进行刻蚀，以暴露出该沟道的一部分，进而暴露出这些导电层的这些延伸部分；以及
提供多个垂直取向的导电结构，这些垂直取向的导电结构被连接至这些导电层所暴露的这些延伸部分。
8.根据权利要求7所述的方法，其中该缓冲材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物及硅酸盐中之一者或多者。
9.一种存储器元件，包括：
一第一区域，具有为水平取向的导电及绝缘材料交替的多层，这些层位于该第一区域中；
一第二区域，与该第一区域相邻，该第二区域具有一沟道，该沟道位于该第二区域中；
导电及绝缘材料交替的这些层的多个延伸部分，位于该沟道之内；以及
该第二区域的一切去部，该切去部暴露出至为同一层的这些导电层的多个水平连结。
10.根据权利要求9所述的存储器元件，更包括多个垂直取向的导电体，这些垂直取向的导电体是与这些水平连结电性接触窗。