存储器元件的接触窗结构及其制造方法与流程

技术总结
本发明公开了一种存储器元件的接触窗结构及其制造方法，存储器接触窗结构包括一沟道，位于与层状的导电及绝缘层相邻之处，此些层内衬于沟道的侧边与底部。移除沟道的一部分，以暴露出一表面，在此表面中的一层上方被提供至导电层的电连结。

技术研发人员：吴明宗;洪士平
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510237742
技术研发日：2015.05.12
技术公布日：2016.12.07