技术总结
本发明公开了一种硅片表面HF酸处理系统，包括由气体管路依次连接的气源、HF酸源、硅片处理单元和尾气处理单元；其中该气体管路上设有一总阀门，且自该管路分出第一支路和第二支路；该第一支路连接至HF酸源液面底部，且设有第一阀门；该第二支路上设有第二阀门，且又分出连接至HF酸源液面上方的支路和连接至硅片处理单元进气口的支路，在连接至HF酸源液面上方的支路上更设有第三阀门。本发明可以利用气体携带HF酸蒸汽，快速高效批量性地对硅片表面进行氢处理，去除硅片正反表面的氧化膜，使得硅片表面达到疏水状态。本发明还具有气体吹扫、尾气处理部分，确保实际操作的安全性。
技术研发人员：赵而敬;李宗峰;库黎明;冯泉林;盛方毓;王永涛;葛钟;刘建涛
受保护的技术使用者：有研半导体材料有限公司
文档号码：201510303532
技术研发日：2015.06.04
技术公布日：2017.01.04