1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底表面具有隔离层、以及相邻的第一鳍部和第二鳍部，所述隔离层位于部分第一鳍部和第二鳍部的侧壁表面，且所述隔离层的表面低于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面，所述第一鳍部包括第一侧壁、以及与第一侧壁相对的第二侧壁，所述第二侧壁到第二鳍部侧壁的最小距离小于第一侧壁到第二鳍部侧壁的最小距离；
在所述隔离层表面、第二鳍部的侧壁和顶部表面、以及第一鳍部的部分侧壁和顶部表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出所述第一鳍部的第一侧壁、以及覆盖所述第一侧壁的部分隔离层；
以所述第一掩膜层为掩膜，在所述隔离层内掺杂第一阻挡离子；
进行退火工艺，使所述隔离层内的第一阻挡离子向第一鳍部内扩散，在第一鳍部内形成第一阻挡区。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离层内掺杂第一阻挡离子的工艺为离子注入工艺。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的参数包括：注入物为硼离子，注入能量为5 Kev～40 Kev，注入剂量为1.0E13 atoms/cm2～5E14 atoms/cm2。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡离子包括P型离子或N型离子。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡离子包括N型离子，所述N型离子为硼离子或铟离子。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二鳍部包括第三侧壁、以及与第三侧壁相对的第四侧壁，所述第三侧壁到第一鳍部侧壁的最小距离小于第四侧壁到第一鳍部侧壁的最小距离。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述隔离层内掺杂第一阻挡离子之后，去除所述第一掩膜层；在所述隔离层表面、第一鳍部的侧壁和顶部表面、以及第二鳍部的部分侧壁和顶部表面 形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出所述第二鳍部的第四侧壁、以及覆盖所述第四侧壁的部分隔离层；以所述第二掩膜层为掩膜，在所述隔离层内掺杂第二阻挡离子；进行退火工艺，使所述隔离层内的第二阻挡离子向第二鳍部内扩散，在第二鳍部内形成第二阻挡区。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡离子包括P型离子或N型离子。
9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡离子的导电类型与第一阻挡离子的导电类型相反。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面具有第三掩膜层。
11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部和第二鳍部的形成步骤包括：提供基底；在所述基底表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层覆盖需要形成第一鳍部和第二鳍部的对应区域；以所述第三掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，形成所述衬底、以及位于衬底表面的第一鳍部和第二鳍部。
12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成步骤包括：在所述衬底、第一鳍部和第二鳍部表面形成隔离膜；平坦化所述隔离膜直至暴露出所述第三掩膜层表面为止；在所述平坦化工艺之后，回刻蚀所述隔离膜，形成隔离层，所述隔离层的表面低于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面。
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离膜的材料为氧化硅；所述隔离膜的形成工艺为流体化学气相沉积工艺。
14.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三掩膜层包括氮化硅层。
15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三掩膜层还包括位于第一鳍部和第二鳍部顶部表面的氧化硅层，所述氮化硅层位于所述氧化硅层表面。
16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述隔离层内掺杂第一阻挡离子之后，去除所述第一掩膜层；在形成所述第一阻挡区之后，形成横跨所述第一鳍部和第二鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述第一鳍部和第二鳍部的部分侧壁和部分部表面；在所述栅极结构两侧的第一鳍部内形成第一源区和第一漏区；在所述栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二源区和第二漏区。
17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源区和第一漏区的导电类型与第一阻挡区的导电类型相反。
18.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括伪栅极层，所述伪栅极层的材料为多晶硅。
19.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、以及位于栅介质层表面的栅极层；所述栅介质层的材料为氧化硅；所述栅极层的材料为多晶硅。
20.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部与第二鳍部相互平行；所述第一侧壁与第二侧壁相互平行，且所述第二侧壁朝向所述第二鳍部。