技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供表面具有隔离层、以及相邻的第一鳍部和第二鳍部的衬底，隔离层表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面，第一鳍部包括相对的第一侧壁和第二侧壁，第二侧壁到第二鳍部侧壁的最小距离小于第一侧壁到第二鳍部侧壁的最小距离；在隔离层表面、第二鳍部和第一鳍部表面形成第一掩膜层，第一掩膜层暴露出第一鳍部的第一侧壁、以及覆盖第一侧壁的部分隔离层；以第一掩膜层为掩膜，在隔离层内掺杂第一阻挡离子；进行退火工艺，使隔离层内的第一阻挡离子向第一鳍部内扩散。以所述半导体结构形成的鳍式场效应晶体管性能改善，所述鳍式场效应晶体管之前的失配问题减少。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510381676
技术研发日：2015.07.02
技术公布日：2017.01.11