1.一种半导体元件，包含：
基底；以及
栅极结构，设于该基底上，该栅极结构包含：
高介电常数介电层，设于该基底上；以及
底部金属阻隔层，设于该高介电常数介电层上，该底部金属阻隔层包含上半部、中半部以及下半部，且该上半部为一富氮部分而该中半部及该下半部各为一富钛部分。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该上半部的厚度为该底部金属阻隔层的三分之一厚度。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该中半部的厚度为该底部金属阻隔层的三分之一厚度。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该下半部的厚度为该底部金属阻隔层的三分之一厚度。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该上半部的氮对钛的比例为1至1.2比1。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该中半部的氮对钛的比例为0.5至1比1。
7.如权利要求5所述的半导体元件，其中该下半部的氮对钛的比例为0.5至1比1。
8.一种半导体元件，包含：
基底；以及
栅极结构，设于该基底上，该栅极结构包含：
高介电常数介电层，设于该基底上；以及
底部金属阻隔层，设于该高介电常数介电层上，该底部金属阻隔层包含上半部、中半部以及下半部，且该中半部为一富氮部分且该上半部及该下半部各为一富钛部分。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该上半部的厚度为该底部金属阻隔层的三分之一厚度。
10.如权利要求第8项所述的半导体元件，其中该中半部的厚度为该底 部金属阻隔层的三分之一厚度。
11.如权利要求8所述的半导体元件，其中该下半部的厚度为该底部金属阻隔层的三分之一厚度。
12.如权利要求8所述的半导体元件，其中该中半部的氮对钛的比例为1至1.2比1。
13.如权利要求8所述的半导体元件，其中该中半部的氮对钛的比例为0.5至1比1。
14.如权利要求8所述的半导体元件，其中该下半部的氮对钛的比例为0.5至1比1。