1.一种连接结构用以与位于一基板上的一导电层电性接触，包括：
一导电连结构件，位于该基板上，且该导电连结构件包括：
一连接部，具有一底部与该导电层电性接触；以及
一延伸部，由该连接部的一顶部横向向外延伸，且该延伸部与该连接部分别由不同的材料所形成。
2.根据权利要求1所述的连接结构，其中该延伸部具有一上部宽度及一下部宽度，该上部宽度是等于或小于该下部宽度。
3.根据权利要求1所述的连接结构，其中构成该延伸部的材料是一介电材料或者是选自于由金属、金属氧化物、金属硅化物、半导体和上述的任意组合所组成的一族群。
4.根据权利要求1所述的连接结构，其中该导电连结构件具有T型的一纵向截面。
5.根据权利要求1所述的连接结构，更包括一介电间隙壁(dielectric spacer)，邻接于该延伸部的一下方表面以及该连接部的至少一侧壁。
6.一种连接结构的制作方法，包括：
提供一基板使其具有至少一导电层位于该基板上；
于该基板上形成至少一导电连结构件，使该导电连结构件具有一连接部和一延伸部；其中该连接部的一底部与该导电层电性接触；该延伸部由该连接部的一顶部横向向外延伸，且该延伸部与该连接部分别由不同的材料所形成。
7.根据权利要求6所述的连接结构的制作方法，其中形成该导电连结构件步骤更包括：
形成一介电层覆盖于该导电层上；
形成至少一开口穿过该介电层，并将至少一部分该导电层暴露于外；
填充一导电材料于该开口中，藉以形成该连接部；以及；
于该连接部的该顶部的至少一侧壁上形成该延伸部。
8.根据权利要求7所述的连接结构的制作方法，其中形成该延伸部的步骤包括：
移除部分该介电层以暴露该顶部；
形成一薄膜层覆盖该介电层及该顶部；以及
移除一部分该薄膜层，于该顶部的该至少一侧壁形成至少一自对准间隙壁(self-aligned spacer)。
9.根据权利要求8所述的连接结构的制作方法，其中构成该薄膜层的材料是一介电材料或是选自于由金属、金属氧化物、金属硅化物、半导体和上述的任意组合所组成的一族群。
10.根据权利要求7所述的连接结构的制作方法，其中形成该延伸部之后更包括：
以该延伸部为一刻蚀掩模，移除一部分该介电层，以形成至少一介电间隙壁。