1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：
基板；和
在所述基板之上依次设置的n型氮化物半导体层、包含单量子阱构造或多量子阱构造的发光层、以及p型氮化物半导体层，
所述n型氮化物半导体层具有在从所述基板侧朝向所述发光层侧的方向上依次设置的第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、以及第三n型氮化物半导体层，
所述第二n型氮化物半导体层的n型掺杂剂浓度比所述第一n型氮化物半导体层的n型掺杂剂浓度低，
所述第三n型氮化物半导体层的n型掺杂剂浓度比所述第二n型氮化物半导体层的n型掺杂剂浓度高，
在所述第二n型氮化物半导体层、所述第三n型氮化物半导体层和所述发光层中，局部形成有V凹坑构造，
所述V凹坑构造的开始点的平均位置存在于所述第二n型氮化物半导体层内。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，
所述发光层的下表面处的所述V凹坑构造的直径为40nm以上且80nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，
所述V凹坑构造的开始点的平均位置与所述第二n型氮化物半导体层的下表面相距30nm以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，
所述第三n型氮化物半导体层由GaN或AlGaN构成。