技术总结
氮化物半导体发光元件具备：基板(1)；和在基板(1)之上依次设置的n型氮化物半导体层(7)、包含单量子阱构造或多量子阱构造的发光层(15)、及p型氮化物半导体层(17)。n型氮化物半导体层(7)具有在从基板(1)侧朝向发光层(15)侧的方向上依次设置的第一n型氮化物半导体层(9)、第二n型氮化物半导体层(11)及第三n型氮化物半导体层(13)。第二n型氮化物半导体层(11)的n型掺杂剂浓度比第一n型氮化物半导体层(9)的n型掺杂剂浓度低。第三n型氮化物半导体层(13)的n型掺杂剂浓度比第二n型氮化物半导体层(11)的n型掺杂剂浓度高。在第二n型氮化物半导体层(11)、第三n型氮化物半导体层(13)和发光层(15)中局部形成有V凹坑构造(27)。V凹坑构造(27)的开始点(27C)的平均位置存在于第二n型氮化物半导体层(11)内。
技术研发人员：井上知也
受保护的技术使用者：夏普株式会社
文档号码：201580027376
技术研发日：2015.05.12
技术公布日：2017.02.15