技术总结
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅介质层和位于所述伪栅介质层表面的伪栅电极；在所述半导体衬底和鳍部上形成覆盖所述伪栅介质层和伪栅电极的侧壁的层间介质层；去除所述伪栅电极，形成开口；形成所述开口后，依次进行紫外线固化处理和氟气氛退火处理。所述方法能够改善鳍式场效应晶体管的电学性能。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201610130606
技术研发日：2016.03.08
技术公布日：2017.09.15