技术特征：
技术总结
一种鳍式晶体管的形成方法，包括：提供包括N型核心区和P型核心区的衬底，衬底表面具有鳍部和隔离层；在N型核心区和P型核心区的鳍部侧壁和顶部表面形成第一栅氧层；在隔离层和第一栅氧层表面形成分别横跨N型核心区和P型核心区鳍部的伪栅层；在隔离层和鳍部上形成介质层，介质层暴露出伪栅层顶部；去除伪栅层，在N型核心区的介质层内形成第一沟槽，在P型核心区的介质层内形成第二沟槽；去除第一沟槽底部的第一栅氧层；在N型核心区暴露出的鳍部侧壁和顶部表面形成第二栅氧层；在第二栅氧层表面形成填充满第一沟槽的第一栅极结构；在第一栅氧层表面形成填充满第二沟槽的第二栅极结构。所形成的鳍式晶体管性能改善。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.03.08
技术公布日：2017.09.15