1.一种方法，包括：
在第一工件的第一侧面上形成沟槽，所述第一工件的管芯介于相邻的沟槽之间；
去所述除管芯的一部分以形成对准标记，所述对准标记延伸穿过所述管芯的整个厚度；以及
减薄所述第一工件的第二侧面，直到所述管芯被分割，所述第二侧面与所述第一侧面相对。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述管芯是分立的半导体器件芯片。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
使用所述对准标记将所述管芯与第二工件对准；以及
将所述管芯附着至所述第二工件。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二工件是集成电路封装件，所述管芯附着至所述集成电路封装件的一个或多个再分布层(RDL)。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，同时形成所述沟槽和所述对准标记。
6.一种方法，包括：
在第一工件的第一侧面上形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露管芯的侧面；
在所述第一工件的第一侧面上形成第二凹槽以在所述管芯上形成对准标记，所述第一凹槽和所述第二凹槽具有相同的深度；以及
减薄所述第一工件的第二侧面，直到所述管芯被分割，所述第二侧面与所述第一侧面相对。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述管芯是分立的半导体器件芯片。
8.根据权利要求6所述的方法，还包括：
使用所述对准标记将所述管芯与第二工件对准；
将所述管芯附着至所述第二工件；以及
将所述第二工件切割为单独的器件。
9.一种半导体器件，包括：
管芯，包括：
衬底；
器件，位于所述衬底上；和
介电层，位于所述衬底和所述器件上方；以及
对准标记，位于所述管芯上，所述对准标记完全延伸穿过所述介电层和所述衬底。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：
第一工件，附着至所述管芯，所述第一工件包括：
密封的芯片；以及
一个或多个再分布层(RDL)，位于所述密封的芯片上方，所述一个或多个RDL介于所述管芯与所述密封的芯片之间。