1.一种半导体受光元件，其特征在于，具有：
半绝缘性衬底；以及
在所述半绝缘性衬底之上依次层叠的缓冲层、p型接触层、光吸收层、p型电场缓和层、电子倍增层、n型电场缓和层以及n型接触层，
所述缓冲层具有使InP层和AlxGayIn1-x-yAs层交替地层叠的超晶格，所述缓冲层不吸收由所述光吸收层进行吸收的波段的光，其中，0.16≤x≤0.48，0≤y≤0.31。
2.根据权利要求1所述的半导体受光元件，其特征在于，
所述光吸收层具有在所述p型接触层之上相互分离地形成的第一及第二光吸收层，
所述p型电场缓和层具有分别在所述第一及第二光吸收层之上形成的第一及第二p型电场缓和层，
所述电子倍增层具有分别在所述第一及第二p型电场缓和层之上形成的第一及第二电子倍增层，
所述n型电场缓和层具有分别在所述第一及第二电子倍增层之上形成的第一及第二n型电场缓和层，
所述n型接触层具有分别在所述第一及第二n型电场缓和层之上形成的第一及第二n型接触层，
所述第一光吸收层、所述第一p型电场缓和层、所述第一电子倍增层、所述第一n型电场缓和层以及所述第一n型接触层构成第一雪崩光电二极管，
所述第二光吸收层、所述第二p型电场缓和层、所述第二电子倍增层、所述第二n型电场缓和层以及所述第二n型接触层构成第二雪崩光电二极管。
3.根据权利要求1或2所述的半导体受光元件，其特征在于，
所述缓冲层掺杂有半绝缘性掺杂剂。
4.根据权利要求1或2所述的半导体受光元件，其特征在于，
所述缓冲层的所述AlxGayIn1-x-yAs层中的氧浓度为大于或等于1E+15cm-3、小于或等于1E+20cm-3。