技术总结
得到一种半导体受光元件，该半导体受光元件能够抑制漏电流、防止受光灵敏度的降低。在半绝缘衬底(1)之上依次层叠有缓冲层(2)、p型接触层(3)、光吸收层(4)、p型电场缓和层(6)、电子倍增层(7)、n型电场缓和层(8)以及n型接触层(10)。缓冲层(2)具有使InP层(2a)和AlxGayIn1‑x‑yAs层(2b)交替地层叠的超晶格，缓冲层(2)不吸收由光吸收层(4)进行吸收的波段的光，其中，0.16≤x≤0.48，0≤y≤0.31。
技术研发人员：山口晴央
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
文档号码：201610617954
技术研发日：2016.07.29
技术公布日：2017.02.15