一种多积累层的金属氧化物半导体二极管的制作方法

技术总结
本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种具有多积累层的金属氧化物半导体二极管。本发明通过使器件正向导通时在漂移区形成多个多子积累层，从而有效降低了器件的正向导通压降；反向阻断时通过在器件漂移区引入横向电场，提高了器件的反向阻断电压，从而实现了同时具有高耐压和低导通压降的二极管。

技术研发人员：任敏;林育赐;谢驰;苏志恒;李泽宏;张金平;高巍;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201610705722
技术研发日：2016.08.22
技术公布日：2016.12.14