技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含鳍状结构，位于基底上。隔离结构，位于该鳍状结构中。该隔离结构包含沟槽，以及第一介电层，位于该沟槽中。该第一介电层包含底部的主体部、顶部的凸出部，具有一顶面，以及连接该主体部以及该凸出部的肩部，其中，该凸出部的宽度小于该主体部的宽度。第二介电层，覆盖该沟槽的顶角，并且被夹在该凸出部、该肩部以及该沟槽的上侧壁之间。
技术研发人员：曾奕铭;梁文安;黄振铭
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2016.08.26
技术公布日：2018.02.13