技术总结
本发明公开了在其中具有背侧硅通孔(B/S TSV)的集成电路结构及其形成方法。该方法包括的步骤为：接收包括衬底的晶圆，该衬底具有前侧和背侧，所述前侧具有在其上的导体；从衬底的背侧形成背侧硅通孔(B/S TSV)以穿透衬底；并且用导电材料填充背侧硅通孔(B/S TSV)以形成与导体的电连接。因此，背侧硅通孔穿透衬底的背侧并且形成至衬底的前侧上的导体的电连接。
技术研发人员：林政贤;杨敦年;林杏芝;刘人诚;高敏峰;黄薰莹
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610768469
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2017.05.10