技术总结
本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种基于石墨衬底的倒装三结太阳电池及其制备方法，所述电池包括GaInP顶电池、第一隧穿结、InxGa1‑xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InyGa1‑yAs底电池。所述制备方法包括石墨衬底进行机械抛光、石墨衬底抛光面依次沉积Ge层、GaAs层、采用MOCVD依次外延生长第一欧姆接触层、GaInP顶电池、第一隧穿结、InxGa1‑xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InyGa1‑yAs底电池，第二欧姆接触层、在上述外延片第二欧姆接触层表面蒸镀背面电极并将其键合至一支撑衬底，去除外延衬底，制备正面电极，获得目标电池。本发明实现各子电池间更好的电流匹配，从而提高多结电池的光电转换效率；同时可有效降低多结电池的制作成本。
技术研发人员：付蕊;牟潇野;陈诺夫;包文东
受保护的技术使用者：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
文档号码：201610835582
技术研发日：2016.09.21
技术公布日：2017.02.15