高密度SOI封装基板及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种高密度SOI封装基板，包括SOI衬底基板和SiO₂埋氧层(103)，SiO₂埋氧层(103)设在SOI衬底基板的中间，把SOI衬底基板分设为隔离的器件层(102)和衬底层(110)，其特征在于：所述器件层(102)中设有正面硅柱(101)，所述正面硅柱(101)与所述器件层(102)之间设有第一绝缘环(107)，所述衬底层(110)中设有穿透的背面硅柱(105)，所述背面硅柱(105)与所述衬底层(110)之间设有第二绝缘环(104)；所述正面硅柱(101)中设有金属柱(108)，所述金属柱(108)一端穿透SiO₂埋氧层(103)至所述背面硅柱(105)中，所述金属柱(108)与所述正面硅柱(101)和所述背面硅柱(105)均构成欧姆接触。

2.如权利要求1所述高密度SOI封装基板，其特征在于：所述第一绝缘环(107)或所述第二绝缘环(104)为绝缘材料或空气隔离槽。

3.如权利要求2所述高密度SOI封装基板，其特征在于：所述绝缘材料为二氧化硅、玻璃浆料或树脂。

4.如权利要求1所述高密度SOI封装基板，其特征在于：所述衬底层(110)和所述背面硅柱(105)为电阻率小于1000的低阻硅。

5.如权利要求1所述高密度SOI封装基板，其特征在于：所述器件层(102)和所述衬底层(110)的两外侧覆盖有绝缘层(106)。

6.如权利要求5所述高密度SOI封装基板，其特征在于：所述绝缘层的材质为SiO₂、BCB或PI。

7.如权利要求5所述高密度SOI封装基板，其特征在于：所述器件层(102)的绝缘层(106)外覆盖有金属布线层(100)，所述金属布线层(100)中金属线路与所述金属柱(108)电气连接，所述衬底层(110)的绝缘层(106)外均覆盖有金属层(109)，所述金属层(109)中线路层与背面硅柱(105)电气连接。

8.一种高密度SOI封装基板的制备方法，包括以下步骤：

⑴、取含有SiO₂埋氧层的SOI圆片作为基板，通过DRIE或激光对基板正面和背面进行刻蚀，获得至SiO₂埋氧层的硅柱，硅柱与基板之间设有绝缘结构；

⑵、对步骤⑴的基板两外侧面抛光处理，由基板正面硅柱刻蚀出盲孔，至基板背侧的硅柱中；

⑶、对步骤⑵盲孔中注入金属形成金属柱；

⑷、向步骤⑶基板两侧全部表面均覆盖上绝缘层；

⑸、对步骤⑷基板进行抛光处理，两侧的绝缘层面上覆盖上金属互连层。

9.如权利要求8所述高密度SOI封装基板的制备方法，其特征在于：步骤⑵中绝缘结构为二氧化硅层、BCB层、PI层、玻璃浆料或空气绝缘层。

10.如权利要求8所述高密度SOI封装基板的制备方法，其特征在于：步骤⑷中绝缘层是通过PECVD、CVD、旋涂、喷渡中的至少一种方法覆盖在基板两侧全部表面上的。