技术总结
本发明公开了一种高密度SOI封装基板，包括SOI衬底基板和SiO2埋氧层，SiO2埋氧层设在SOI衬底基板的中间，把SOI衬底基板分设为隔离的器件层和衬底层，所述器件层中设有正面硅柱，所述正面硅柱与所述器件层之间设有第一绝缘环，所述衬底层中设有穿透的背面硅柱，所述背面硅柱与所述衬底层之间设有第二绝缘环；所述正面硅柱中设有金属柱，所述金属柱一端穿透SiO2埋氧层至所述背面硅柱中，所述金属柱与所述正面硅柱和所述背面硅柱均构成欧姆接触；及其制备方法。本发明从很大程度上改变了以Cu、Au、W等金属填充如TSV孔中导致热膨胀系数失配的结构，从而减小了热应力。
技术研发人员：马盛林;金仲和;任奎丽;金玉丰;王志平;王春波;时广轶
受保护的技术使用者：宁波麦思电子科技有限公司;浙江大学
文档号码：201611015068
技术研发日：2016.11.18
技术公布日：2017.05.31