技术特征：
技术总结
一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化层；对所述氧化层表面进行氧化处理；对经氧化处理的所述氧化层进行图形化，去除部分氧化层。本发明技术方案在形成氧化层之后，对所述氧化层表面进行氧化处理，从而去除所述氧化层表面的残留物，减少所述残留物对后续工艺的影响，减少所述氧化层图形化过程中缺陷的产生，从而提高形成半导体结构的良率。
技术研发人员：杨志勇;刘焕新
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.11.18
技术公布日：2018.05.25