包括高电子迁移率晶体管的半导体器件结构及其形成方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明实施例提供了一种半导体器件，包括衬底和高电子迁移率晶体管(HEMT)。形成有凹槽的衬底。HEMT的至少部分设置在凹槽中。也公开了一种用于制造半导体器件的方法。也公开了一种使用半导体器件的射频(RF)前端模块。本发明实施例涉及包括高电子迁移率晶体管的半导体器件结构及其形成方法。

技术研发人员：金俊德;蔡冠智
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.06
技术公布日：2017.08.15