1.一种用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：在衬底温度450℃至550℃时，通过真空共蒸发法蒸发Cu、ZnS、Sn和Se；
步骤2：降低衬底温度，通过真空共蒸法蒸发Se和Sn；
步骤3：在衬底温度500℃至550℃时，单独蒸发Se。
2.根据权利要求1所述的用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤1中，所述共蒸发的时间为30min至60min。
3.根据权利要求1所述的用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤2中，所述共蒸发的时间为7min至18min。
4.根据权利要求1所述的用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤3中，单独蒸发Se的时间为15min至30min。
5.根据权利要求1所述的用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤2中，所述衬底以20-30℃/min的速率降温，至衬底温度200℃至250℃时停止。
6.根据权利要求1所述的用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤1和2中，蒸发腔室的压强为3×10-4Pa。
7.根据权利要求1所述的用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤3中，通入氮气，使蒸发腔室内压强为104Pa。
8.根据权利要求1所述的用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤3中，Se蒸发源的温度为450℃。
9.一种根据权利要求1至8所述的方法制造的用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜。
10.一种包含通过权利要求1至8所述的方法制造的用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜的太阳电池。