氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法
【专利摘要】本发明公开了一种制备铜锌锡硫薄膜电池的方法，具体包括以下步骤：将钠钙玻璃衬底用丙酮、酒精、去离子水超声清洗，用重铬酸钾溶液浸泡，最后用去离子水超声清洗，用氮气吹干备用。将钠钙玻璃衬底放入磁控溅射系统中沉积1μm的钼背电极；以SLG/Mo/ZnO/Sn/Cu的顺序进行射频溅射，沉积600~800nm的铜锌锡氧预制层。将预制层在氮气下低温热处理，随后高温硫化得到铜锌锡硫薄膜吸收层，并制备成完整的电池结构。本发明的优点在于：（1）铜锌锡预制层在硫化后很难生成平坦吸收层，铜锌锡氧预制层硫化后表面平整并且没有针孔。（2）引入氧原子避免了硫化过程中体积突然膨胀，使薄膜脱落。(3)氧化锌在底部能起到阻挡层的作用，抑制硫化过程中生成硫化钼。
【专利说明】
氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种用氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜电池的制备方法，用于制备薄膜太阳电池，属于光电材料新能源技术领域。
[0002]
【背景技术】
目前，无毒、环境友好和原材料丰富的薄膜材料成为光伏领域的研究热点。基于Cu(In，Ga)Se2(CIGS)和CdTe的薄膜太阳电池虽然已经商业化，但由于组成元素中Se和Cd有毒，而In、Ga和Te属于稀缺元素，在自然界中的含量分别为In: 0.05ppm, Ga: 0.04ppm, Te:0.009ppm，基于此制约着他们进一步大规模的生产。而对于新型四元化合物半导体Cu2ZnSnS4(CZTS)，组成CZTS的四种素中不仅不含有毒元素和稀贵元素，而且四中元素在自然界中的含量很丰富，Cu: 50ppm, Zn: 75ppm, Sn: 2.2ppm, S: 260ppm，相对于In、Ga和Te非常丰富，且Zn、Sn和S的价格远远低于Ga和Se等元素。CZTS具有稳定的锌黄锡矿结构，是一种I2- Π -1V-VU族P型半导体材料，它以锡和锌替代铜铟镓砸中的镓和铟，以硫替代砸而构成。作为直接带隙半导体材料CZTS的禁带宽度为1.4?1.5 eV，接近单节太阳电池所需的最佳带隙宽度(1.45 eV)，此外，该材料的吸收系数大于14 cm—、基于此，CZTS薄膜的太阳电池其理论效率可达32.2 %，是一种有替代Cu(In，Ga)Se2(CIGS)和CdTe的新型薄膜太阳电池。
[0003]目前制备CZTS薄膜的方法主要有磁控溅射法，热蒸发法，脉冲激光沉积，溶胶凝胶法，电化学法，喷雾热解法，旋涂法等。而基于磁控溅射化合物靶制备CZTS的相对较少，2013年日本丰田研发中心分步溅射ZnS-Sn-Cu后在H2S气氛下硫化制备出7.6 %的纯CZTS薄膜太阳电池，7.6 %的效率也是目前磁控溅射纯CZTS薄膜太阳电池之最。而世界纪录纯的CZTS薄膜吸收层的太阳电池的效率为8.4%，由IBM用共蒸发法制备，同时IBM用涂覆法制备的基于CZTSSe薄膜吸收层的太阳电池效率达到12.6%，也为世界之最，虽然如此，基于CZTS薄膜吸收层的太阳电池效率距离32.2 %的理论效率还有很大的差距。本发明简化工艺步骤、降低生产成本、制备出成分可控的铜锌锡硫薄膜吸收层，且易于大规模生产，有利于该材料在薄膜太阳能电池工业中的推广与应用。
【发明内容】
[0004]有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种工艺简便、成分可控、工艺流程短和可重现性好的制备方法，制备出贫铜富锌的铜锌锡硫薄膜电池。
[0005]本发明所涉及的一种铜锌锡硫薄膜电池的制备方法按以下步骤实施:
(1)衬底清洗:将钠钙玻璃依次用去污粉、丙酮、酒精、去离子水超声清洗、重铬酸钾溶液浸泡24h，用去离子水超声清洗浸泡过重铬酸钾溶液的钠钙玻璃，用I号液和II号液处理衬底，再用去离子水清洗，并用氮气吹干备用；
(2)将清洗好的钠钙玻璃放入磁控溅射系统里，在室温不同压强下，在钠钙玻璃上沉积?μπι的双层钼背电极薄膜；
(3)铜锌锡氧预制层的制备:利用磁控溅射系统，按照SLG/Mo/ ZnO/ Sn/ Cu的顺序进行射频派射，沉积600?800nm的铜锌锡氧薄膜预制层；
(4)铜锌锡硫薄膜吸收层的制备:将步骤3)所制备的铜锌锡氧薄膜预制层在氮气或氩气保护下260°C热处理30 min，随后将热处理过的预置层与硫粉一起放入石墨舟，最后将石墨舟放入硫化炉中，以20-30°C /min升温速率加热硫化炉，从室温升到560 - 580°C，维持8-15 min，自然冷却至室温后得到铜锌锡硫薄膜吸收层。硫化过程中氧原子很容易被硫原子替代，所以硫化后得到的是铜锌锡硫吸收层，含有少量氧原子。
[0006](5)铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备:将步骤4)所制备的铜锌锡硫薄膜吸收层用盐酸、溴-甲醇溶液进行刻蚀，以便除去吸收层表面ZnS和Cu2SnS3等二次相。把处理后的吸收层用化学水浴沉积CdS薄膜。然后再将水浴后的薄膜放入磁控溅射系统中射频沉积ZnO和ITO薄膜。接着用蒸发制备Ni/Al电极，最后将整个器件在快速退火炉中退火。
[0007]本发明采用氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜电池的制备方法中如步骤(I)所述衬底需在重铬酸钾溶液浸泡24h。
[0008]本发明采用氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜电池的制备方法中如步骤(2)所述将钠钙玻璃放入磁控溅射系统里，在室温不同压强下，在钠钙玻璃上沉积Iym的双层钼背电极薄膜；
本发明采用氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜电池的制备方法中如步骤(3)铜锌锡氧预制层的制备:利用磁控溅射系统，按照SLG/ ZnO/ Sn/ Cu的顺序进行射频溅射，沉积600?SOOnm的铜锌锡氧薄膜预制层；
本发明采用氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜电池的制备方法中如步骤(4)铜锌锡硫薄膜吸收层的制备:将制备的铜锌锡氧薄膜预制层在氮气或氩气保护下260°C热处理30min，随后将热处理过的预置层与硫粉一起放入石墨舟，最后将石墨舟放入硫化炉中，以20-30 0C/min升温速率加热硫化炉，从室温升到560 - 580°C，维持8_15 min，自然冷却至室温后得到铜锌锡硫薄膜吸收层。硫化过程中氧原子很容易被硫原子替代，所以硫化后得到的是铜锌锡硫吸收层，含有少量氧原子。
[0009]本发明采用氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜电池的制备方法中如步骤(5)铜锌锡硫薄膜电池的制备:将制备好的铜锌锡硫薄膜吸收层用盐酸、溴-甲醇溶液进行刻蚀，以便除去吸收层表面ZnS和Cu2SnS3等二次相。把处理后的吸收层用化学水浴沉积CdS薄膜。然后再将水浴后的薄膜放入磁控溅射系统中射频沉积ZnO和ITO薄膜。接着用蒸发制备Ni/Al电极，最后将整个器件在快速退火炉中退火。
[0010]
【附图说明】
[0011]图1为实施例1所制备的铜锌锡硫薄膜吸收层的XRD图图2为实施例1所制备的铜锌锡硫薄膜吸收层的Raman图图3为实施例1所制备的铜锌锡硫薄膜吸收层的SEM图图4为实施例1所制备的电池效率1-V图图5为实施例2所制备的铜锌锡硫薄膜吸收层的XRD图图6为实施例2所制备的铜锌锡硫薄膜吸收层的Raman图图7为实施例2所制备的铜锌锡硫薄膜吸收层的SEM图图8为实施例2所制备的电池效率1-V图。
【具体实施方式】
[0012]实施例1
(1)衬底清洗:将钠钙玻璃依次用去污粉、丙酮、酒精、去离子水超声清洗、重铬酸钾溶液浸泡24小时，用I号液和II号液处理衬底，再用去离子水清洗，并用氮气吹干备用；
(2)将清洗好的钠钙玻璃放入磁控溅射系统里，以尺寸为76.的钼靶作为靶材进行直流溅射，本底真空为5.0*10—4pa，起辉气压为1.6pa，功率为200W，在氩气为1.6pa时溅射20min，随后调节氩气为0.3pa溅射50min，按上述要求操作在钠钙玻璃上得到Iwn的钼背电极薄膜；
(3)铜锌锡氧薄膜预置层的制备:以尺寸为76.2mm*3mm的ZnO革E、Sn革E、Cu革E作为革E材进行射频溅射，本底真空为5.0*10—4pa，衬底温度为室温，起辉气压为1.6pa，功率和沉积时间分别为ZnO 50ff 124min、Sn 50ff 32min、Cu 10ff 17minl0s，工作压强为0.3pa，按上述要求操作在步骤(2)的基础上得到780nm的铜锌锡氧薄膜预置层。
(4)铜锌锡硫薄膜吸收层的制备:将步骤(3)所制备的铜锌锡氧薄膜预置层与0.5克硫粉和0.02克锡粉放入石墨舟，随后将石墨舟放入退火炉中在氮气保护下升温至580°C进行Smin的退火处理，自然冷却至室温将样品取出得到铜锌锡硫薄膜吸收层。
[0013](5)铜锌锡硫薄膜电池的制备:将步骤(4)所制备的铜锌锡硫吸收层用盐酸、溴-甲醇溶液进行刻蚀，以便除去吸收层表面ZnS和Cu2SnS3等二次相。把处理后的吸收层用化学水浴沉积60nm的CdS薄膜。然后再将水浴后的薄膜放入磁控溅射系统中射频溅射50nm的本征ZnO和400nm的ITO，功率分别为25W和50W。本底真空为5.0*10—4pa，衬底温度为室温，工作气压为0.5pa ；接着在蒸发制备2μπι的Ni/Al电极，最后将整个器件在快速退火炉中220 °C处理20mino
[0014]实施例2
(1)衬底清洗:将钠钙玻璃依次用去污粉、丙酮、酒精、去离子水超声清洗、重铬酸钾溶液浸泡24小时，用I号液和II号液处理衬底，再用去离子水清洗，并用氮气吹干备用；
(2)将清洗好的钠钙玻璃放入磁控溅射系统里，以尺寸为76.的钼靶作为靶材进行直流溅射，本底真空为5.0*10—4pa，起辉气压为1.6pa，功率为200W，在氩气为1.6pa时溅射20min，随后调节氩气为0.3pa溅射50min，按上述要求操作在钠钙玻璃上得到Iwn的钼背电极薄膜；
(3)铜锌锡氧薄膜预置层的制备:以尺寸为76.2mm*3mm的ZnO革E、Sn革E、Cu革E作为革E材进行射频溅射，本底真空为5.0*10—4pa，衬底温度为室温，起辉气压为1.6pa，功率和沉积时间分别为ZnO 50ff 124min、Sn 50ff 31min、Cu 10ff 16min35s，工作压强为0.3pa，按上述要求操作在步骤(2)的基础上得到760nm的铜锌锡氧薄膜预置层。
(4)铜锌锡硫薄膜吸收层的制备:将步骤(3)所制备的铜锌锡氧薄膜预置层与0.5克硫粉和0.02克锡粉放入石墨舟，随后将石墨舟放入退火炉中在氮气保护下升温至580°C进行15min的退火处理，自然冷却至室温将样品取出得到铜锌锡硫薄膜吸收层。
[0015](5)铜锌锡硫薄膜电池的制备:将步骤(4)所制备的铜锌锡硫吸收层用盐酸、溴-甲醇溶液进行刻蚀，以便除去吸收层表面ZnS和Cu2SnS3等二次相。把处理后的吸收层用化学水浴沉积60nm的CdS薄膜。然后再将水浴后的薄膜放入磁控溅射系统中射频溅射50nm的本征ZnO和400nm的ITO，功率分别为25W和50W。本底真空为5.0*10—4pa，衬底温度为室温，工作气压为0.5pa ；接着在蒸发制备2μπι的Ni/Al电极，最后将整个器件在快速退火炉中220 °C处理20mino
【主权项】
1.氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法，其特征在于，包括以下步骤:第一步衬底清洗:将钠钙玻璃依次用去污粉、丙酮、酒精、去离子水超声清洗、重铬酸钾溶液浸泡24h，用去离子水超声清洗浸泡过重铬酸钾溶液的钠钙玻璃，用I号液和II号液处理衬底，再用去离子水清洗，并用氮气吹干备用;第二步将清洗好的钠钙玻璃放入磁控溅射系统里，在室温不同压强下，在钠钙玻璃上沉积Iym的双层钼背电极薄膜;第三步铜锌锡氧预制层的制备:利用磁控溅射系统，按照SLG/ Mo/ ZnO/ Sn/ Cu的顺序进行射频溅射，沉积600?800nm的铜锌锡氧薄膜预制层;第四步铜锌锡硫薄膜吸收层的制备:将第三步所制备的铜锌锡氧薄膜预制层在氮气或氩气保护下260°C热处理30 min，随后将热处理过的预置层与硫粉一起放入石墨舟，最后将石墨舟放入硫化炉中，以20-30°C/min升温速率加热硫化炉，从室温升到560 - 580°C，维持8-15 min，自然冷却至室温后得到铜锌锡硫薄膜吸收层，硫化过程中氧原子很容易被硫原子替代，所以硫化后得到的是铜锌锡硫吸收层，含有少量氧原子，第五步铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备:将第四步所制备的铜锌锡硫薄膜吸收层用盐酸、溴_甲醇溶液进行刻蚀，以便除去吸收层表面ZnS和Cu2SnS3等二次相，把处理后的吸收层用化学水浴沉积CdS薄膜，然后再将水浴后的薄膜放入磁控溅射系统中射频沉积ZnO和ITO薄膜，接着用蒸发制备Ni/Al电极，最后将整个器件在快速退火炉中退火。2.如权利要求1所述的氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜电池的制备方法，其特征在于所述的衬底需在重铬酸钾溶液浸泡24 ho3.如权利要求1所述的氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜电池的方法，其特征在于所述的铜锌锡氧薄膜预制层中，预置层厚度设计为600?800nm;Cu、Zn和Sn摩尔原子比设计为:Cu/Zn+Sn=0.58；Zn/Sn=l.47。4.如权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜电池的制备方法，其特征在于所述第四步铜锌锡氧薄膜预制层在氮气或氩气保护下260°C热处理30min。5.如权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜电池的制备方法，其特征在于所述第四步将热处理过的预置层与硫粉一起放入石墨舟，最后将石墨舟放入硫化炉中，以20 -300C /min升温速率加热硫化炉，从室温升到560?580°C，维持8?15 min，自然冷却至室温后得到铜锌锡硫薄膜吸收层，硫化过程中氧原子很容易被硫原子替代，所以硫化后得到的是铜锌锡硫吸收层，含有少量氧原子。6.如权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜电池的制备方法，其特征在于所述第五步所制备的铜锌锡硫薄膜吸收层用盐酸、溴-甲醇溶液进行刻蚀，以便除去吸收层表面ZnS和Cu2SnS3等二次相，最后将整个器件在快速退火炉中退火。
【文档编号】H01L31/18GK105895735SQ201610110324
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年2月29日
【发明人】王书荣, 陆熠磊, 李志山, 蒋志, 杨敏, 唐语
【申请人】云南师范大学