一种贵金属纳米晶负载铜锌锡硫薄膜的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种贵金属纳米晶负载铜锌锡硫薄膜的制备方法，属于材料制备领域。
【背景技术】
[0002]贵金属纳米晶是由数量有限的贵金属原子组成的聚合体，它具有贵金属块体所不具备的特殊性质。例如:表面效应，量子尺寸效应，小尺寸效应，宏观量子隧道效应，库伦阻塞与量子隧穿效应和介电限域效应等。正是由于贵金属纳米晶具有以上这些特殊性质，使得其在催化，能源以及生物医学等应用领域展现出优良的性能。近几年，铜锌锡硫作为一种廉价、性能优越的新兴的半导体材料在催化与能源领域也被广泛研宄。将贵金属纳米材料与铜锌锡硫复合可以得到一种先进的功能材料，极大地提高其光吸收以及催化性能。香港理工大学研宄人员将贵金属纳米晶与铜锌锡硫纳米晶材料复合得到一种以贵金属纳米晶为核，铜锌锡硫为壳结构的纳米材料。将其应用于光催化方面，发现这种复合纳米晶的催化性能优于单纯的铜锌锡硫纳米晶的光催化性能(Advanced Materials，2014年，第26卷，3496-3500页)。西班牙加泰罗尼亚能源研宄所的科研人员在铜锌锡硫纳米晶表面生长贵金属纳米晶也得到了一种贵金属负载的铜锌锡硫纳米晶，其表现出优良的催化性能(Journal of the American Chemical society，2014 年，第 136 卷，9236-9239 页)。纵观以上研宄，其证明了在铜锌锡硫纳米晶中负载贵金属纳米晶对于提升铜锌锡硫纳米晶的光学与催化性能是有帮助的，但是以上两篇论文的负载方法均是在纳米晶尺寸，其制备条件极其苛刻，需要去除掉所有反应原料自带的结晶水以及反应气氛中的水，同时隔绝空气，并且以上方法制备的产物产量极少，因此不利于大规模的工业化生产。若能在铜锌锡硫块体薄膜上进行贵金属负载可以有效解决以上难题。但是如何将贵金属纳米晶负载到铜锌锡硫薄膜中，并应用于铜锌锡硫薄膜领域(例如:铜锌锡硫薄膜光电催化领域)，这方面的研宄还未见报道。目前这个方向处于空白是由于常用的铜锌锡硫薄膜制备方法(例如，磁控溅射法，热蒸发法以及电沉积法等)在制备铜锌锡硫薄膜的过程中难以同时实现贵金属纳米晶的负载。
【发明内容】
[0003]针对现有技术中无法实现在块状的铜锌锡硫薄膜上负载贵金属纳米晶的问题，本发明的目的是在于提供一种能将贵金属纳米晶有效负载在铜锌锡硫薄膜上制备出具有高催化活性的贵金属纳米晶负载铜锌锡硫薄膜的方法，通过该方法贵金属纳米晶的负载量可以任意调控，能制备出适应于多种领域需要的催化材料。
[0004]为了实现本发明的技术目的，本发明提供了一种贵金属纳米晶负载铜锌锡硫薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤:
[0005]步骤一:将贵金属盐分散在溶剂I中，再向溶剂I中加入还原剂进行还原反应，得到贵金属纳米晶颗粒，将贵金属纳米晶颗粒分散在溶剂II中，得到溶液A ;
[0006]步骤二:将铜盐、锌盐、锡盐和硫源分散在溶剂III中，得到溶液B ;
[0007]步骤三:将溶液A和溶液B混合，在稳定剂存在下搅拌均匀，得到前驱体溶液C ；
[0008]步骤四:将前驱体溶液C旋涂成膜，在硫蒸汽气氛下烧结，得到贵金属纳米晶负载铜锌锡硫薄膜。
[0009]本发明的技术方案在制备的贵金属纳米晶颗粒分散液的基础上，通过稳定剂将贵金属纳米晶颗粒分散液与铜源、锌源、锡源和硫源的混合液形成分散性及稳定性很好的前驱体溶液，再结合旋涂及共烧结工艺，能将贵金属纳米晶颗粒很好地负载的生成的铜锌锡硫薄膜基体中，解决了现有技术中无法实现块体铜锌锡硫薄膜贵金属纳米晶颗粒的缺陷。
[0010]本发明的贵金属纳米晶负载铜锌锡硫薄膜的制备方法还包括以下优选方案:
[0011]优选的方案中贵金属盐为贵金属的氯化盐、硝酸盐、硫酸盐和氯酸盐中的至少一种。
[0012]优选的方案中贵金属为Pt、Au、Ag、Ru、Pd和Ir中的至少一种。
[0013]较优选的方案中溶液A中贵金属盐的总摩尔浓度为3?300mM。
[0014]优选的方案中所述的还原剂为氢硼化钠、二甲基胺硼烷、三辛基膦和三丁基膦中的至少一种。
[0015]优选的方案中还原剂的用量根据贵金属盐中贵金属离子总含量来确定，还原剂的电子转移数为贵金属离子总电子转移数的I?5倍。
[0016]优选的方案中稳定剂为二甘醇胺，乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、十八烯、乙二硫醇、1，3-丙硫醇和油胺中的至少一种。
[0017]优选的方案中稳定剂的用量为溶液A和溶液B中金属总摩尔量的I?5%。
[0018]优选的方案中溶液B中铜盐的浓度为0.2?2.0M，锌盐的浓度为0.1?1.0M，锡盐的浓度为0.1?1.0M，硫源的浓度为0.8?8M。具体浓度根据实际需要的铜锌锡硫材料进行调整。
[0019]优选的方案中铜盐、锌盐和锡盐各自独立地选自铜或锌或锡的氯化盐、硝酸盐、硫酸盐、草酸盐、醋酸盐及其它有机盐中的至少一种。
[0020]优选的方案中硫源为硫酸铵、乙硫醇、丙硫醇、戊硫醇、硫粉、硫脲、硫化钠和硫化钾中的至少一种。
[0021]优选的方案中烧结温度控制在500?700°C。
[0022]优选的方案中溶液A和溶液B在30?80°C搅拌反应。
[0023]优选的方案中溶剂1、溶剂11和溶剂III各自独立地选自去离子水、甲醇、乙醇、甲醚、乙醚、乙二醇、乙二醇甲醚、N，N-二甲基甲酰胺、1，4-丁内酯、甲苯、异丙醇、正丁烷和丙酮中的至少一种。
[0024]优选的方案中贵金属纳米晶负载铜锌锡硫薄膜中贵金属纳米晶的质量含量为
0.1 ?20%。
[0025]本发明的步骤一中的分散过程、步骤二的分散过程及步骤三中的溶液A和溶液B的反应过程都在搅拌条件下进行。溶液A和溶液B的反应过程先在低速(100?100rpm)揽样5?60s，再在高速(1000?5000rpm)揽样5?60s。
[0026]本发明的制备贵金属纳米晶负载铜锌锡硫薄膜的方法包括以下具体步骤:
[0027]第一步:配制含有贵金属纳米晶的溶液A
[0028]将贵金属盐分散于溶剂I中，配制成3?300mM的溶液，随后向其溶液中加入还原剂进行还原反应，得到纳米晶颗粒，随后将纳米晶颗粒离心分散于溶剂II中配制成3?300mM的溶液A ；
[0029]第二步:配制含有铜锌锡硫元素的溶液B
[0030]将铜盐(浓度为0.2?2.0M)，锌盐(浓度为0.1?1.0M)，锡源(浓度为0.1?1.0M)和硫源(0.8?8M)按照铜锌锡硫的原子计量比分散于溶剂III中，在30?60°C下搅拌，得到溶液B;
[0031]第三步:配制前驱体溶液
[0032]根据所需要配制的贵金属负载比例，将溶液A和溶液B混合，同时加入稳定剂，在30?60°C搅拌，配制分散性和稳定性良好的含有贵金属纳米晶的铜锌砸硫前驱体溶液C ;
[0033]第四步:烧结成型
[0034]将前驱体溶液C旋涂成膜，在硫蒸汽条件下烧结，得到贵金属负载的铜锌锡硫薄膜。
[0035]相对现有技术，本发明的有益效果:
[0036]1、本发明首次在温和条件下成功合成贵金属纳米晶负载的铜锌锡硫薄膜，相对现有的工艺(一般需要真空和惰性气体保护等苛刻条件)，本发明在非真空液相环境下制备，方法简单节能，利于大规模、工业化生产。
[0037]2、本发明的技术方案对原料要求不高，分析纯原料即可。现有的磁控溅射法，热蒸发法以及电沉积法等都需要高纯度的原料，成本较高。
[0038]3、本发明的方法可以有效地控制贵金属纳米晶在铜锌锡硫薄膜中的负载量，可以针对所需贵金属的量精确调节负载比例，满足实际情况的需求。
[0039]4、本发明可以同时实现多种贵金属在铜锌锡硫薄膜中同时负载，进一步加强铜锌锡硫薄膜光电以及催化方面的性能。
[0040]5、本发明制备的贵金属纳米晶负载铜锌锡硫薄膜相对铜锌锡硫薄膜具有更好的催化效果。
具体实施方案
[0041]以下实施例旨在进一步说明本
【发明内容】
，而不是限制本发明权利要求的保护范围。
[0042]实施例1
[0043]未负载贵金属纳米晶铜锌锡硫薄膜的制备
[0044]1.将16mmol氯化锡、30mmol氯化铜、20mmol氯化锌和130mmol硫脲加入到60mL乙二醇甲醚中，40°C搅拌半小时完成铜锌锡硫前驱体的配制
[0045]2.将配好的铜锌锡硫前驱体溶液滴在基片表面，200rpm低速旋涂10s，然后以2000rpm的高速旋涂1s完成铜锌锡硫薄膜的旋涂。
[0046]3.将2中制备的预制层薄膜置于管式炉中硫化退火，退火温度为500摄氏度，完成未负载贵金属纳米晶铜锌锡硫薄膜的制备。
[0047]将制备的铜锌锡硫薄膜应用于罗丹明B水溶液的催化降解(罗丹明B水溶液的浓度10mg/l，液体