技术总结
一种板式PECVD机台的双面镀膜结构，包括石墨框及微波激发等离子体系统，所述石墨框水平布置，所述微波激发等离子体系统以所述石墨框为基准对称布置于石墨框的上方及下方。本实用新型可同时对硅片的正面和背面进行沉积氮化硅薄膜，减少了镀膜工序，因此减少了过程的搬运，从而降低了背面AL2O3膜层被损伤的风险。
技术研发人员：袁中存;党继东
受保护的技术使用者：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
文档号码：201621178995
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.05.10