技术总结
本实用新型涉及一种封装基板的结构，属于半导体封装技术领域。其包括普通基板（20）、超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），超高密度基板（10）嵌于包封层Ⅰ（310）内，超高密度基板（10）与高密度芯片（51）倒装连接，在超高密度基板（10）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极（110），基板外层金属电极（110）通过盲孔Ⅱ（150）与普通基板（20）连接、其上表面与低密度芯片（53）倒装连接，部分基板外层金属电极（110）的下表面与超高密度基板（10）的部分焊盘连接。本实用新型的封装结构采用圆片级封装方法实现，实现了超高密度基板和普通基板的集成，提升了封装可靠性，有利于产品良率的提升。
技术研发人员：张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋
受保护的技术使用者：江阴长电先进封装有限公司
文档号码：201621237183
技术研发日：2016.11.18
技术公布日：2017.06.06