1.一种透明导电配线，其具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜及层叠于该Ag膜上的透明导电氧化物膜，且通过蚀刻处理形成有配线图案，所述透明导电配线的特征在于，
所述Ag膜的膜厚在15nm以下的范围内，
所述Ag膜相对于所述透明导电氧化物膜的过蚀刻量为1μm以下。
2.根据权利要求1所述的透明导电配线，其特征在于，
所述Ag膜由如下组成的Ag合金构成：以合计为0.05原子％以上且10.0原子％以下的范围包含Sn、In、Mg、Ti中的任意一种或两种以上的元素来作为添加元素，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。
3.根据权利要求2所述的透明导电配线，其特征在于，
所述Ag膜由如下组成的Ag合金构成：还包含0.01原子％以上的Sb及0.1原子％以上的Cu中的任意一种或两种来作为添加元素，并且所有添加元素的合计为10.0原子％以下，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的透明导电配线，其特征在于，
所述透明导电氧化物膜为非晶膜。
5.一种透明导电配线的制造方法，所述透明导电配线具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜及层叠于该Ag膜上的透明导电氧化物膜，且形成有配线图案，所述透明导电配线的制造方法的特征在于，
将所述Ag膜的膜厚设在15nm以下的范围内，
具有蚀刻处理工序，对具有所述Ag膜和所述透明导电氧化物膜的层叠膜进行蚀刻处理而形成配线图案，
该蚀刻处理工序中，使用草酸蚀刻液对所述透明导电氧化物膜及所述Ag膜一并进行溶解。
6.根据权利要求5所述的透明导电配线的制造方法，其特征在于，
所述草酸蚀刻液为草酸浓度在3质量％以上且7质量％以下的范围内的草酸水溶液。