技术总结
该透明导电配线(10)具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜(11)及层叠于该Ag膜(11)上的透明导电氧化物膜(12)，且通过蚀刻处理形成有配线图案，所述透明导电配线(10)中，Ag膜(11)的膜厚(ta)在15nm以下的范围内，Ag膜(11)相对于透明导电氧化物膜(12)的过蚀刻量(L)为1μm以下。
技术研发人员：盐野一郎;岁森悠人;野中庄平;斋藤淳
受保护的技术使用者：三菱综合材料株式会社
文档号码：201680002259
技术研发日：2016.02.26
技术公布日：2017.05.31