本发明涉及一种使用磁铁(magnet)来保持成膜用的掩膜和基板的基板保持装置(substrateholdingdevice)、具有该基板保持装置的成膜装置(filmformingapparatus)和基板保持方法(substrateholdingmethod)。
背景技术：
作为在基板的规定区域形成薄膜的技术，已知一种使用成膜用的掩膜的方法。例如，在专利文献1中记载有一种联机式成膜装置，一边将在成膜面配置有板状掩膜的基板在成膜室内输送，一边使由蒸镀源产生的蒸镀材料的蒸气蒸镀于成膜面。
在这种成膜装置中，有时需要确保掩膜与基板之间的紧贴性以阻止蒸镀材料的蒸气从掩膜与基板之间的间隙渗入。因此，已知一种方法，即，将基板和保持基板平坦的基板保持件同时夹持于掩膜与磁吸附该掩膜的磁铁板之间的方法(例如，参照专利文献2)。
另一方面，随着近年来基板的大型化，为了取得平面度而使基板保持件增加所需要的厚度，其结果存在如下担忧，即，作用于磁铁板的掩膜的磁力下降，而使得基板与掩膜之间的紧贴性下降。为了消除该问题，在专利文献2中记载有：通过在掩膜的蒸发源侧设置将掩膜向基板推压的掩膜推压机构，来使掩膜与基板紧贴。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本发明专利公开公报特开2010－118157号
专利文献2：日本发明专利公开公报特开2013－247040号
技术实现要素：
发明要解决的技术问题
然而，在专利文献2记载的结构中，构成掩膜推压机构的机构部设置于掩膜的蒸发源侧，因此，会有在该机构部上成膜和由此引起动作不良的担忧。另外，在掩膜的开口率较大的情况、开口部的间隔较窄的情况等情况下，难以以不遮挡开口部的方式配置上述机构部。
有鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种无需在掩膜的蒸发源侧设置机构部，就能够确保掩膜与基板之间的紧贴性的基板保持装置、成膜装置和基板保持方法。
用于解决技术问题的技术方案
为了达到上述目的，本发明的一方式所涉及的基板保持装置具有掩膜板(maskplate)、中间板(intermediateplate)、保持板(holdingplate)和推压机构(pressingmechanism)。
上述掩膜板由磁性材料构成。
上述中间板构成为，具有与上述掩膜板相向的第1表面、和与上述第1表面相反一侧的第2表面，上述第1表面能够与配置于上述掩膜板上的基板接触。
上述保持板以上述中间板能够在与上述掩膜板正交的轴向上作相对移动的方式支承该中间板。上述保持板具有磁铁，该磁铁构成为，能够隔着上述中间板和上述基板对上述掩膜板进行磁吸附。
上述推压机构与上述第2表面相向配置。上述推压机构构成为，能够沿上述轴向对上述第2表面的至少局部进行推压。
在上述基板保持装置中，中间板具有如下功能，即，通过与相向于掩膜板的基板的非成膜面接触，来维持基板的平面状态。另一方面，中间板越大型化，或者中间板的厚度越小，则可能会由于中间板的强度不足、成膜中的热输入所引起的变形，使得中间板自身的平面度越低。因此，上述基板保持装置具有将中间板的至少局部向掩膜板侧进行推压的推压机构。据此，提高了中间板的平面度，其结果是：也维持与中间板接触的基板的平面度，确保基板与掩膜板之间的良好的紧贴性。另外，由于能够薄化中间板，因此，与基板尺寸无关，而能够确保掩膜板与基板之间的稳定的紧贴力。
在上述基板保持装置中，推压机构与中间板的第2表面相向配置，因此，无需在掩膜板的蒸发源侧设置任何机构部，就能够实现掩膜板与基板之间的紧贴。因此，能够不依赖于掩膜板的开口率、掩膜开口部的排列形态，而稳定地维持掩膜板与基板之间的紧贴效果。
上述轴向典型的是与重力方向平行的轴向。在这种情况下，通过上述推压机构，能够阻止由于基板或者中间板的挠曲变形而导致的平面度的下降，因此，能够稳定地得到所期望的成膜精度。
上述推压机构典型的是设置于上述保持板。通过将推压机构设置于保持板，能够使装置结构简单化，并且能够稳定地推压中间板的所期望的位置。
上述推压机构也可以包含多个推压单元，该多个推压单元构成为，能够分别对所述第2表面的多个部位进行推压。这样，通过能够推压中间板上的多个位置，而使得中间板的平面度的改善变得容易。中间板的推压位置没有特别的限定，典型的是可列举中间板(第2表面)的中央部和/或周缘部。
上述中间板可以构成为，能够在接触位置与保持位置之间沿上述轴向移动。上述接触位置被设为上述第1表面的至少局部与上述基板接触且上述中间板与上述保持板的相对距离为第1距离的位置，上述保持位置被设为，上述中间板与上述保持板的相对距离为比上述第1距离小的第2距离的位置。在这种情况下，在上述中间板从上述接触位置向上述保持位置移动的过程中，上述推压机构沿上述轴向对上述第2表面进行推压。
根据上述结构，在中间板的第1表面与基板接触的状态下，磁铁接近中间板的第2表面，并且该第2表面被推压机构推压。因此，不会使基板相对于掩膜板产生位置偏移，而能够使基板以较高的平面度紧贴掩膜板。
上述推压单元例如具有推压件和弹性部件。上述推压件与上述第2表面相向配置。上述弹性部件构成为，配置于上述推压件与上述第2表面之间，能够在上述轴向上弹性变形。
据此，能够对中间板上的多个位置稳定地施加所期望的推压力，因此，能够维持以中间板和基板为目标的平面度。
中间板的构成材料没有特别的限定，可以由磁性材料构成，也可以由非磁性材料构成。在中间板由磁性材料构成的情况下，形成由磁铁产生的磁场穿过的磁路，因此，能够提高对掩膜板的磁吸附力。另一方面，在中间板由非磁性材料构成的情况下，在成膜后解除由磁铁对基板的保持时，能够在使中间板与基板接触的状态下使保持板离开掩膜板。
本发明的一方式所涉及的成膜装置具有成膜室、成膜源、掩膜板、中间板、保持板和推压机构。
上述成膜源配置于上述成膜室。
上述掩膜板与上述成膜源相向配置，由磁性材料构成。
上述中间板构成为，具有与上述掩膜板相向的第1表面、和与上述第1表面相反一侧的第2表面，上述第1表面能够与配置于上述掩膜板上的基板接触。
上述保持板以上述中间板能够在与上述掩膜板正交的轴向上作相对移动的方式支承该中间板。上述保持板具有磁铁，该磁铁构成为，能够隔着上述中间板和上述基板对上述掩膜板进行磁吸附。
上述推压机构与上述第2表面相向配置。上述推压机构构成为，能够沿上述轴向对上述第2表面的至少局部进行推压。
本发明的一方式所涉及的基板保持方法包括在由磁性材料构成的掩膜板上配置基板。
使中间板在上述基板之上与上述基板接触。
通过推压机构使上述中间板的至少局部向上述掩膜板推压。
在上述中间板的上方配置保持板，该保持板具有磁吸附所述掩膜板的磁铁，据此，将上述中间板、上述基板和上述掩膜板一体保持。
发明效果
根据本发明，能够确保掩膜与基板之间的紧贴性。
附图说明
图1是概略地表示本发明一实施方式所涉及的成膜装置的剖视图。
图2是上述成膜装置中的基板保持装置的概略放大图，表示基板被保持前的状态。
图3是上述成膜装置中的基板保持装置的概略放大图，表示基板已被保持的状态。
图4是概略地表示上述基板保持装置中，掩膜板、基板、中间板和磁铁(保持板)之间的位置关系的侧视图。
图5是概略地说明上述中间板处于变形状态时的基板的保持状态的侧视图。
图6是概略地说明上述基板保持装置的作用的侧视图。
图7是概略地表示上述基板保持装置中的推压机构的一构成例的侧剖视图，表示基板的非保持状态。
图8是概略地表示上述基板保持装置中的推压机构的一构成例的侧剖视图，表示基板将要被保持的状态。
图9是概略地表示上述基板保持装置中的推压机构的一构成例的侧剖视图，表示基板已被保持的状态。
图10是概略地表示上述推压机构对中间板的推压部位的一例的俯视图。
图11是概略地表示上述推压机构的变形例的中间板的俯视图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是概略地表示本发明一实施方式所涉及的成膜装置100的剖视图。在图中，x轴、y轴和z轴表示彼此正交的3轴方向，x轴和y轴表示水平方向，z轴表示高度方向(以下的各图中也同样)。
[成膜装置的整体结构]
本实施方式的成膜装置100作为真空蒸镀装置而构成，具有成膜室10、蒸发源20(成膜源)和基板保持装置30。
成膜室10由真空腔室构成。即，成膜室10连接有未图示的真空泵，且构成为，成膜室10的内部能够排气至规定的减压气氛以及维持在该规定的减压气氛。
成膜装置100例如由团簇(cluster)式真空成膜装置构成，该团簇式真空成膜装置中，包括成膜室10的多个处理室经由闸阀而以输送室为中心配置。在这种情况下，如图1所示，通过设置于上述输送室内的未图示的基板输送机械手，基板w被从上述输送室向成膜室10输送，或者，被从成膜室10向上述输送室输送。
蒸发源20为用于使蒸镀材料(或蒸发材料)产生蒸气的装置，可以适用电阻加热式、电磁感应加热式、电子束加热式等各种方式的蒸发源。作为蒸镀材料，使用金属材料、金属氧化物及金属硫化物等金属化合物材料、合成树脂材料、有机el用材料等。
此外，蒸发源20也可以具有闸门，该闸门能够阻止蒸镀材料的蒸气到达被保持于基板保持装置30的基板w。另外，蒸发源20可以固定于成膜室10的底部，也可以构成为相对于成膜室10的底部和基板保持装置30在水平方向上能够作相对移动。
[基板保持装置]
基板保持装置30构成为，被配置于蒸发源20的正上方位置，能够将待成膜的基板w保持于与蒸发源20相向的位置。基板保持装置30具有掩膜部件31、中间板32、保持板33和推压机构34。
图2和图3是基板保持装置30的概略放大图，图2表示基板w被保持前的状态，图3表示基板w已被保持的状态。
掩膜部件31与蒸发源20相向配置。掩膜部件31通过未图示的固定部被固定于成膜室10的内部。
掩膜部件31具有：与基板w的成膜面相向的掩膜板311、和支承掩膜板311的周缘的框架部312。
掩膜板311由薄板构成，该薄板由磁性材料形成且具有规定的开口图案。掩膜板311的构成材料没有特别的限定，典型的是使用fe、co、ni或者这些金属的合金等具有高磁导率(magneticpermeability)特性(软磁特性)的强磁性材料。另外，作为掩膜板311的构成材料也可以使用热膨胀系数小的因瓦合金等合金，以抑制因来自成膜源(蒸发源20)的在成膜时的热输入而导致的掩膜板311的热变形。掩膜板311形成为能够覆盖基板w的成膜面的大小。基板w的大小没有特别的限定，在本实施方式中，使用第4代至第5代(g4～g5)的矩形的玻璃基板(例如，纵长为680mm～1200mm、横长为730mm～1300mm)。
框架部312固定于上述固定部，将掩膜板311保持于水平姿态。框架部312可以由与掩膜板311同样的磁性材料构成，但不局限于此，也可以由非磁性材料构成。
中间板32配置于掩膜部件31的上方，由比基板w更大的规定厚度的矩形板材构成。在本实施方式中，中间板32由奥氏体不锈钢、铝、铜等非磁性材料构成。中间板32具有：与掩膜板311相向的下表面32a(第1表面)、和位于该下表面32a相反一侧的上表面32b(第2表面)。中间板32的下表面32a构成为，在基板被保持时，能够与相向于掩膜板311的基板w的背面(非蒸镀面)接触(图3)。
在中间板32的内部可以形成冷却水的循环路径。据此，能够抑制在成膜中基板w的温度过度上升，将基板w冷却至规定温度以下。
保持板33配置于中间板32的上方，以中间板32能够在与掩膜板31正交的轴向(z轴方向)上作相对移动的方式支承该中间板32。保持板33具有磁铁(magnet)331，该磁铁331构成为，能够隔着中间板32和基板w对掩膜板311进行磁吸附。磁铁331配置于保持板33的下表面，由比基板w大的板状永久磁铁构成。
保持板33构成为，能够通过未图示的升降机构相对于掩膜部件31在z轴方向上作相对移动。保持板33在基板w被保持之前的状态下，如图2所示那样位于与掩膜板311分离的位置(上升位置)，在基板w被保持时，如图3所示那样位于接近掩膜板311的位置(下降位置)。如后述那样，中间板32构成为，在上升位置，下表面32a离开掩膜板311规定距离，在下降位置，下表面32a接触掩膜板311(或者基板w)。
推压机构34具有多个推压单元35，该多个推压单元35以能够沿z轴方向对中间板32的上表面32b的至少局部进行推压的方式构成。如后述那样，多个推压单元35分别以与中间板32的上表面32b相向的方式设置于保持板33。
推压机构34为用于防止因中间板32挠曲、变形而在基板w与中间板32之间产生间隙的机构，并具有如下功能：在保持板33到达下降位置时，通过以规定的压力推压与基板w的非蒸镀面接触的中间板32的上表面，来将中间板32的形状矫正至平坦。
图4是概略地表示掩膜板311、基板w、中间板32和磁铁331(保持板33)之间的位置关系的侧视图。在保持基板w时，通过使保持板33向下降位置进行移动，使中间板32与基板w的非蒸镀面接触，进一步通过磁铁331磁吸附掩膜板311，将基板w夹持于中间板32与掩膜板311之间。
此时，如图5所示，当因中间板32的变形而导致在基板w与中间板32之间产生间隙时，即使在保持板33移动至下降位置的状态、即基板已被保持的状态下，掩膜板311与磁铁331之间的距离也会变大，导致产生使掩膜板311紧贴基板w所需的磁铁331的磁力不足的状况。因此，在本实施方式中，如图6所示，采用如下一种结构，即，在保持板33移动至下降位置的状态下，通过将中间板32的上表面32b的至少局部向基板w(掩膜板311)侧推压，来减少中间板32的变形量，据此，维持中间板32的平面度。
多个推压单元35构成为，能够分别局部推压中间板32的上表面。通过使推压机构34具有多个推压单元35，而使得中间板32的平面度的改善变得容易。中间板32的推压位置(配置推压单元35的位置)没有特别的限定，典型的是例如在中间板32的中央部或者周缘部、或者上述双方。
多个推压单元35典型的是分别具有相同的结构。图7～图9是概略地表示推压单元35的结构的侧剖视图，图7表示基板w被保持之前的状态，图8表示基板将要被保持的状态，并且，图9表示基板w已被保持的状态。
在此，图7表示基板w和保持板33从图2所示的保持板33的上升位置下降，基板w被载置于掩膜板311的上表面的状态，且中间板没有与基板w接触的状态。
另外，为了容易地理解推压单元35的作用，在图7和图8中，中间板32以稍微变形的状态(发生挠曲的状态)绘制，在图9所示的基板w的保持状态中，以中间板32的挠曲已被矫正的状态(平面状态)绘制。
在中间板32的上表面32b上设置有沿z轴方向延伸的多个轴部321，在保持板33和磁铁331上设有与轴部321的位置相对应的多个通孔332。多个轴部321分别贯穿多个通孔332，在这些轴部321的上端部设置有头部321h，该头部321h能够从上方与通孔332的保持板33侧开口部周缘抵接。
各轴部321分别以相同的长度构成，该长度被设定为：当中间板32因其自重而悬吊时(例如，保持板33处于上升位置时)，在中间板32的上表面32b与磁铁331的下表面之间形成距离g1。据此，中间板32以相对于保持板33在z轴方向上最长能够相对移动距离g1的方式被支承。
在本实施方式中，轴部321的头部321h形成为倒圆台形状。据此，在图7所示的中间板32的悬吊状态下，由于能够使各轴部321的轴心与各通孔332的轴心一致，而能够稳定地维持中间板32相对于保持板33的悬吊姿态。此外，为了更进一步提高上述效果，也可以使各通孔332的保持板33侧开口部如图示那样形成为与头部321h的形状相对应的倒圆锥形的锥状(研钵状)。
另一方面，多个推压单元35被设置于保持板33，并且被分别配置于多个轴部321的贯穿位置。各推压单元35具有：配置于轴部321的头部321h的正上方位置的推压件351、和配置于推压件351与中间板32的上表面32b之间的弹性部件355。
推压件351在z轴方向上与轴部321的头部321h相向配置。推压件351例如由圆形的板材构成，在其中心部固定有沿z轴方向延伸的螺栓部件352。螺栓部件352贯穿支承部353的顶部，与被固定于支承部353的上表面的螺母部件354螺纹结合，其中，支承部353以包围轴部321的头部321h的方式被设置于保持板33的上表面。因此，通过使螺栓部件352绕着轴线相对于螺母部件354旋转，能够调整推压件351相对于轴部321的头部321h的相对距离。
弹性部件355能够在z轴方向上弹性变形，设置于轴部321的头部321h的上表面。弹性部件355典型的是由螺旋弹簧构成，但不局限于此，也可以由橡胶、弹性体等弹性材料构成。在本实施方式中，在保持板33位于第1位置的情况下，在弹性部件355的上表面与推压件351的下表面之间形成距离g2。距离g2设定为比距离g1小的值。距离g2的值也可以是0。此外，弹性部件355也可以不设置于轴部321的头部321h的上表面，而是设置于推压件351的下表面。
在本实施方式中，相对于保持板33(磁铁331)，中间板32具有图7表示的第1位置、图8表示的第2位置(接触位置)、和图9表示的第3位置(保持位置)。中间板32构成为，能够经由第2位置在第1位置和第3位置之间沿z轴方向移动。
在上述第1位置，中间板32被悬吊于保持板33，中间板32的下表面32a不与基板w接触，中间板32的上表面32b相对于保持板33(磁铁331)隔开间隙g1的相对距离相向设置。
在上述第2位置，中间板32的下表面32a与基板w接触，保持板33下降至该推压件351与弹性部件355的上表面接触为止，中间板32的上表面32b相对于保持板33(磁铁331)隔开间隙(g1－g2)的相对距离(第1距离)相向设置。
在上述第3位置，中间板32的下表面32a的至少局部与基板w接触，保持板33随着使弹性部件355压缩变形而以规定量进一步下降，中间板32的上表面32b相对于保持板33(磁铁331)隔开比间隙(g1－g2)更小的间隙g3的相对距离(第2距离)相向设置。
由于推压单元35构成为上述的结构，因此，在中间板32从上述第2位置(接触位置)向上述第3位置(保持位置)移动的过程中，推压机构34能够沿z轴方向推压中间板32的上表面32b。
保持板33的下降位置设定为距离掩膜板311规定高度的位置。在这种情况下，通过推压机构34(推压单元35)对中间板32的推压力以距离g2的大小设定。因此，能够通过改变距离g2来容易地对上述推压力进行调整。
如图2、3所示，基板保持装置30还具有支承单元36，该支承单元36将被输送至成膜室10内的基板w支承于掩膜板311与中间板32之间。支承单元36例如包含支承基板w的下表面周缘部的多个钩部。支承单元36构成为，能够在与未图示的基板输送装置的基板交接位置(图2)、和向掩膜板311的基板载置位置(图3)之间进行升降移动。另外，支承单元36构成为，能够在水平方向上移动，以能够进行相对于掩膜板311的基板w的对准(alignment)。
成膜装置100还具有控制蒸发源20、基板保持装置30、支承单元36等的动作的控制部40。控制部40典型的是由计算机构成，通过执行规定的程序来控制各部的动作。
[成膜装置的动作]
接着，对上述结构的本实施方式的成膜装置100的典型的动作进行说明。
经由未图示的闸阀而被输送至成膜室10内的基板w，成膜面朝下，通过在基板交接位置待机的支承单元36支承。此时，保持板33移动到图2所示的上升位置，中间板32因其自重而悬吊于保持板33。基板w通过支承单元36而配置于中间板32与掩膜板311之间。此后，执行相对于掩膜板311的基板w水平方向上的对准。
基板w的对准完成后，支承单元36向基板载置位置下降，基板w被载置于掩膜板311的上表面。此外，在掩膜部件31的框架部312的上表面设有多个避让部(凹陷部位)312a，该避让部312a用于避免与下降到上述基板载置位置的支承单元36之间的碰撞。
此后，保持板33从图2所示的上升位置向图3所示的下降位置进行移动。据此，中间板32的下表面32a与基板w的非蒸镀面(非成膜面)接触，并且，通过保持板33相对于中间板32的相对移动，使磁铁331接近中间板32的上表面32b。此时，磁铁331与中间板的上表面32b隔开微小的间隙(g3)而停止。
另一方面，中间板32的上表面32b的多个部位分别被各推压单元35朝向基板w和掩膜板311沿z轴方向局部推压，直到中间板32从图7所示的第1位置经由图8所示的第2位置(接触位置)移动至图9所示的第3位置(保持位置)为止。在本实施方式中，通过各推压单元35，中间板32被以相当于(g1－g2－g3)的距离的推压量向掩膜板311推压。此时，在中间板32发生挠曲、变形的情况下，通过将这些挠曲、变形矫正至平坦，能够提高中间板32的平面度(图9)。据此，由于能够提高中间板32的下表面32a相对于基板w的接触面积，因此，磁铁331与掩膜板311之间的相对距离也变短，磁铁331对掩膜板311的磁吸附力提高，其结果是提高了基板w与掩膜板311之间的紧贴性。
这样一来，中间板32、基板w和掩膜板311被一体保持。此后，实施基板w的成膜处理。根据本实施方式，由于能够通过基板保持装置30确保基板w与掩膜板311之间的紧贴性，因此，能够尽量使基板w与掩膜板311之间的间隙减小，据此，能够阻止从该间隙渗入蒸镀材料。
另外，通过推压单元35提高中间板32的平面度，据此，也能够确保适配于中间板32的下表面32a的基板w的平面度。据此，能够对基板w的成膜面实现高精度的掩膜成膜处理。并且，通过一边使蒸发源20在水平方向上往复移动，一边进行成膜处理，能够涵盖基板w的成膜面的整个区域提高成膜处理的面内均匀性。
在成膜处理结束后，基板保持装置30使保持板33从图3所示的下降位置向图2所示的上升位置移动。此时，在保持板33移动至规定距离(相当于g1－g3的距离)的期间，通过推压单元35的推压力和中间单元的自重，维持基板w被推压于掩膜板311的状态。据此，防止基板w相对于掩膜板311的位置偏移，因此，能够防止形成于成膜面的蒸镀图案在掩膜开口部受到损伤。另外，中间板32由非磁性材料构成，因此，易于使磁铁331从掩膜板311分离。
在保持板33移动至上升位置后，支承单元36向基板交接位置上升(图2)。而且，通过未图示的基板输送装置，已成膜的基板w被向成膜室10外输送。并且，将待成膜的新的基板w向支承单元36输送，经与上述同样的动作，实施该基板w的保持和成膜处理。
如上所述，中间板32具有如下功能，即，通过与相向于掩膜板311的基板w的非成膜面接触，来维持基板w的平面状态。另一方面，中间板32越大型化，或者中间板32的厚度越小，则中间板32自身的平面度可能会越低。因此，本实施方式的基板保持装置30具有将中间板32的至少局部向掩膜板311侧进行推压的推压机构34。据此，提高了中间板32的平面度，其结果是：也维持与中间板32接触的基板的平面度，确保基板与掩膜板311之间的良好的紧贴性。另外，由于能够薄化中间板32，因此，与基板尺寸无关，能够确保掩膜板311与基板w之间的稳定的紧贴力。
另外，在本实施方式的基板保持装置30中，推压机构34(推压单元35)与中间板32的上表面32b相向配置，因此，无需在掩膜板311的蒸发源20侧设置任何机构部，就能够实现掩膜板311与基板w之间的紧贴。因此，能够不依赖于掩膜板311的开口率、掩膜开口部的排列形态，而稳定地维持掩膜板311与基板w之间的紧贴效果。
另外，由于推压机构34设置于保持板33，因此，能够使装置结构简单化，并且能够稳定地推压中间板32的所期望的推压位置。
并且，在本实施方式的基板保持装置30中，构成为能够通过推压机构34将中间板32向重力方向推压的结构。据此，能够同时利用中间板32的自重，来阻止由于基板w或者中间板32的挠曲变形而导致的平面度的下降，因此，能够稳定地得到所期望的成膜精度。
以上对本发明的实施方式进行了说明，本发明不仅仅局限于上述的实施方式，当然也可以施加各种变更。
例如，在上述的实施方式中，以真空蒸镀装置为例对成膜装置进行了说明，但不局限于此，本发明也能够适用于溅射装置等其他成膜装置。在这种情况下，构成为将保持溅射靶材的溅射阴极作为成膜源。
另外，构成推压机构34的多个推压单元35不限于配置于中间板32的中央部和/或周缘部的情况。如图10中示意性地所示，也可以根据中间板32的形状、大小、厚度等，除了在中间板32的中央部、周缘部、四角部的位置之外，还在这些位置的中间位置等配置推压单元35。推压单元35的配置数量也没有特别的限定，在对中间板的任意的局部进行推压的情况下，推压单元35的配置数量至少1个即可，在对中间板的大致整个区域进行推压的情况下，以窄间距配置更多的推压单元即可。并且，如图11所示，也可以使用能够对中间板32的周缘部进行统一推压的框状的推压单元37。
并且，在上述的实施方式中，对推压机构34被设置于保持板33的例子进行了说明，但不局限于此，也可以构成为推压机构34独立于保持板33。
【附图标记说明】
10：成膜室；20：蒸发源；30：基板保持装置；31：掩膜部件；32：中间板；33：保持板；34：推压机构；35：推压单元；100：成膜装置；311：掩膜板；331：磁铁；351：推压件；355：弹性部件；w：基板。