技术总结
本发明公开了一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其有源区的原胞结构从下至上依次为漏极、衬底、缓冲层、漂移层、左右对称设置的两个p阱区、设置在p阱区上方相邻的n++区和p++区、从左至右依次对称设置的源极、栅极、肖特基金属、栅极和源极；源极设置在n++区和p++区上方；栅极完全覆盖在p阱区的表面部分，且栅极两端分别与其两侧的n++区和JFET区重叠；肖特基金属设置在JFET区上方。本申请提出一种集成反并联肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其中集成的肖特基二极管在JFET区，与栅极区相邻，有效的利用了JFET区的面积，具有更高的原胞集成度和密度。同时，相比于常规的MOSFET，由于栅电容的面积减小，因此可以有效降低栅电容和输入输出电容，改进器件的开关性能。
技术研发人员：倪炜江
受保护的技术使用者：北京世纪金光半导体有限公司
文档号码：201710045695
技术研发日：2017.01.22
技术公布日：2017.05.31