技术特征：
技术总结
一种新型方形开阖式壳型电极半导体探测器，有一立方柱半导体基体，中央柱状电极位于沟槽电极正中，沟槽电极为矩形框中空电极，沟槽电极刻蚀成结构相同且结构上互为互补的两瓣；沟槽电极的一对平行边正中有斜纹状实体缝隙，所述新型方形开阖式壳型电极半导体探测器顶面的沟槽电极和中央柱状电极上覆盖有电极接触层，顶面未覆盖电极接触层的其他半导体基体表面覆盖二氧化硅绝缘层，底面设置有二氧化硅衬底层；在沟槽电极间没有刻蚀成电极从而剩下斜纹状实体缝隙，新型方形开阖式壳型电极半导体探测器在斜纹状半导体基体的基础上以沟槽电极顶点为圆心，斜纹状实体缝隙的宽度为半径做圆，圆弧外的半导体基质刻蚀成电极，留下斜纹体半导体基体，提升探测器性能。
技术研发人员：李正;刘曼文
受保护的技术使用者：湘潭大学
技术研发日：2017.07.21
技术公布日：2017.09.29