技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体封装结构及其形成方法，该半导体封装结构包括：封装层；封装基板，包括装置区域和边缘区域，封装层覆盖装置区域，封装基板包括：绝缘层，绝缘层包括第一部分和第二部分；以及第一导电图案层，位于绝缘层的第一层级中，第一导电图案层包括在边缘区域中并且沿着边缘区域延伸的多个第一导体，第一部分的一部分从多个第一导体之间暴露；半导体晶粒，布置在封装基板的装置区域上并由封装层包围；以及导电屏蔽层，覆盖并围绕封装层并电连接到所多个第一导体。在制造过程中，第一导体可以阻止激光将绝缘层击穿，而后形成的导电屏蔽层就会被第一导体阻止而无法继续向下延伸，防止导电屏蔽层污染其他部位。
技术研发人员：张洪仁;陈仁川;王学德;许文松
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
技术研发日：2018.07.12
技术公布日：2019.01.22