案中，本征的第一传导电子的载流子对生成层能够具有选自下述材料组的材料或者由其形成:HAT-CN、Cu(I)pFBz, MoOx, W0X、VOx, ReOx, F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (III)pFBz、F16CuPc。
[0050]在又一个设计方案中，第一传导电子的载流子对生成层能够具有由基体和η掺杂材料构成的材料混合物或者由其形成。由基体和掺杂材料构成的材料混合物能够借助于同步蒸镀基体和掺杂物的材料构成到衬底上或上方。
[0051]在又一个设计方案中，第一传导电子的载流子对生成层能够是选自下述材料组的材料:HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx,、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (III)pFBz、F16CuPco
[0052]在又一个设计方案中，第一传导电子的载流子对生成层的η型掺杂材料能够是选自下述材料组的材料:HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx, W0X、VOx, ReOx,、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz、F16CuPc。
[0053]在又一个设计方案中，第一传导电子的载流子对生成层能够具有在大约Inm至大约500nm范围中的层厚度。
[0054]在又一个设计方案中，第一传导电子的载流子对生成层的材料在大约450nm至大约650nm波长范围中能够具有大于大约90%的透射。
[0055]在又一个设计方案中，第二传导电子的载流子对生成层能够具有本征传导电子的材料或由其形成。
[0056]在又一个设计方案中，第二本征传导电子的载流子对生成层的材料能够是选自下述材料组的材料:NDN-1、NDN-26、MgAg, Cs2C03、Cs3PO4, Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF。
[0057]在又一个设计方案中，第二传导电子的载流子对生成层能够由基体和η型掺杂材料构成的材料混合物形成。
[0058]在又一个设计方案中，第二传导电子的载流子对生成层的基体能够是选自下述材料组的材料:
[0059].NET-18、NET-15, ETM033、ETM036、BCP、BPhen ；
[0060].2，2’，2”-(1，3，5-苯取代基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；
[0061].2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1，3，4_ 恶二唑，2，9-二甲基 _4，7-联苯-1, 10-菲咯啉(BCP)；
[0062].8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3，5-联苯-4H-1，2，4_ 三唑；
[0063].1,3-双[2-(2，2’ -双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]苯；
[0064].4，7-联苯-1, 10-菲咯啉(BPhen)；
[0065].3- (4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基_1，2，4_三唑；
[0066]?双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；
[0067].6，6’ -双[5-(联苯-4-基)_1，3，4-恶二唑-2-基]-2，2’ -双吡啶基；
[0068].2-苯基-9，10-双(萘-2-基)-蒽；
[0069].2，7-双[2-(2，2，-双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]_9，9_ 二甲基芴；
[0070].1，3-双[2- (4-叔-丁基苯基)-1, 3，4_ 恶二唑 _5_ 基]苯;
[0071].2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1，10-菲咯啉；
[0072].2，9-双(萘-2-基)-4，7~ 联苯-1, 10-菲咯啉；
[0073]?三(2，4，6-三甲基-3 (吡啶_3_基)苯基)硼烷；
[0074].1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4，5-f] [I, 10]菲咯啉；
[0075].苯基-双芘基膦氧化物；
[0076].萘四碳酸酐或其酰亚胺；
[0077].芘四碳酸酐或其酰亚胺；和
[0078].基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
[0079]在又一个设计方案中，第二传导电子的载流子对生成层的η型掺杂材料能够是选自下述材料组的材料:NDN-26、MgAg、Cs2C03、Cs3PO4, Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF。
[0080]在又一个设计方案中，第二传导电子的载流子对生成层能够具有在大约Inm至大约500nm范围中的层厚度。
[0081]在又一个设计方案中，第一传导电子的载流子对生成层的材料或材料混合物的导带或LUMO在能量方面能够大约等于第二传导电子的载流子对生成层的材料或材料混合物的价带或HOMO。
[0082]在又一个设计方案中，中间层能够由无机材料、有机材料或有机-无机杂化材料形成。
[0083]在又一个设计方案中，中间层能够具有材料混合物或由其形成，其中材料混合物的材料具有选自下述材料组的材料:有机材料、无机材料和/或有机-无机杂化材料。
[0084]在又一个设计方案中，第二传导电子的载流子对生成层的材料能够具有大于大约3eV的逸出功的值并且价带或HOMO的能量大约等于物理接触的第一传导电子的载流子对生成层的导带或LUMO的能量。
[0085]在又一个设计方案中，光电子器件能够作为有机发光二极管制造。
[0086]在不同的实施方式中，提供一种用于制造光电子器件的方法，所述方法具有:形成第一有机功能层结构；在第一有机功能层结构上或上方形成载流子对生成层结构；在载流子对生成层结构上或上方形成第二有机功能层结构；其中形成载流子对生成层结构具有形成传导空穴的载流子对生成层和形成第一传导电子的载流子对生成层；其中传导空穴的载流子对生成层具有无机材料或无机材料混合物或者由其形成，并且其中第一传导电子的载流子对生成层具有有机材料或有机材料混合物或者由其形成。
[0087]在方法的一个设计方案中，该方法能够具有形成第二传导电子的载流子对生成层，其中第一传导电子的载流子对生成层在第二传导电子的载流子对生成层上或上方构成。
[0088]在方法的一个设计方案中，形成载流子对生成层结构能够具有在第一传导电子的载流子对生成层和第二传导电子的载流子对生成层之间形成中间层。
[0089]在方法的又一个设计方案中，能够将本征传导电子的材料选择作为用于形成第一传导电子的载流子对生成层的材料。
[0090]在方法的又一个设计方案中，用于形成第一传导电子的载流子对生成层的材料能够是选自下述材料组的材料:HAT-CN、Cu(I)pFBz, MoOx, W0X、VOx, ReOx, F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (III)pFBz、F16CuPc。
[0091]在方法的又一个设计方案中，能够将由基体和掺杂材料构成的材料混合物作为用于形成载流子对生成层的材料。
[0092]在方法的又一个设计方案中，能够将选自下述材料组的材料作为用于形成第一传导电子的载流子对生成层的基体的材料:HAT-CN、Cu⑴pFBz、Mo0x、WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ、NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz、F16CuPc。
[0093]在方法的又一个设计方案中，能够将选自下述材料组的材料作为用于形成第一传导电子的载流子对生成层的掺杂材料的材料:HAT-CN、Cu(I)pFBz, MoOx, W0X、VOx, ReOx,F4-TCNQ、NDP-2, NDP-9、Bi (III) pFBz、F16CuPc。
[0094]在方法的又一个设计方案中，第一传导电子的载流子对生成层能够在具有大约Inm至大约500nm层厚度的范围中形成。
[0095]在方法的又一个设计方案中，能够将本征传导电子的材料选择作为用于形成第二传导电子的载流子对生成层的材料。
[0096]在方法的又一个设计方案中，作为本征传导空穴(传导电子)的材料能够将选自下述材料组的材料作为用于形成第二传导电子的载流子对生成层的材料:NDN-1、NDN-26,MgAg, Cs2CO3' Cs3PO4' Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF0
[0097]在方法的又一个设计方案中，能够将由基体和η型掺杂材料构成的材料混合物选择作为用于形成第二传导电子的载流子对生成层的材料。
[0098]在方法的又一个设计方案中，能够将选自下述材料组的材料作为用于形成第二传导电子的载流子对生成层的基体的材料:
[0099].NET-18、NET-15, ΕΤΜ033、ΕΤΜ036、BCP、BPhen ；
[0100].2，2’，2”-(1，3，5-苯取代基)-三(1-苯基-1-Η-苯并咪唑)；
[0101].2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1，3，4_ 恶二唑，2，9-二甲基 _4，7-联苯-1, 10-菲咯啉(BCP)；
[0102].8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1，2，4-三唑；
[0103].1,3-双[2-(2，2’ -双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]苯；
[0104].4，7-联苯-1, 10-菲咯啉(BPhen)；
[0105].3- (4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4_三唑；
[0106]?双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；
[0107].6，6’ -双[5-(联苯-4-基)-1，3，4-恶二唑-2-基]-2，2’ -双吡啶基；
[0108].2-苯基-9，10-双(萘-2-基)_ 蒽；
[0109].2，7-双[2-(2，2，-双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]_9，9_ 二甲基芴；
[0110].1,3-双[2-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4_ 恶二唑-5-基]苯；
[0111].2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1，10-菲咯啉；
[0112].2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯-1，10-菲咯啉；
[0113].三(2，4，6-三甲基-3 (吡啶-3-基)苯基)硼烷；
[0114].1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4, 5-f] [I, 10]菲咯啉；
[0115]?苯基-双芘基膦氧化物；
[0116].萘四碳酸酐或其酰亚胺；
[0117].芘四碳酸酐或其酰亚胺；和
[0118]?基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
[0119]在方法的又一个设计方案中，作为用于形成第二传导电子的载流子对生成层的材料，能够将掺杂物选择成选自下述材料组的材料:NDN-26、MgAg, Cs2CO3.Cs3PO4, Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF0
[0120]在方法的又一个设计方案中，第二传导电子的载流子对生成层能够形成大约在Inm至大约500nm范围中的层厚度。
[0121]在方法的又一个设计方案中，第一传导电子的载流子对生成层的材料或材料混合物的导带或LUMO在能量方面能够大约等于第二传导电子的载流子对生成层的材料或材料混合物的价带或HOMO。
[0122]在方法的又一个设计方案中，能够将有机材料、无机材料和/或有机-无机杂化材料选择作为用于形成中间层的材料。
[0123]在方法的又一个设计方案中，能够将材料混合物用作为用于形成中间层的材料，其中材料混合物的材料具有选自下述材料组的材料:有机材料、无机材料和/或有机-无机杂化材料。
[0124]在方法的又一个设计方案中，能够将本征传导空穴的材料选择作为用于形成传导空穴的载流子对生成层的材料。
[0125]在方法的又一个设计方案中，传导空穴的载流子对生成层的无机的本征传导空穴的材料能够具有对在大约450nm至大约650nm范围中的可见光的大于大约90%的透射率。
[0126]在方法的又一个设计方案中，借助于沉积无机的本征传导空穴的材料形成传导空穴的载流子对生成层能够具有小于大约100°c的温度。
[0127]在方法的又一个设计方案中，作为用于形成传导空穴的载流子对生成层的材料选择下述材料组中的一种或多种材料或这些化合物的化学计量的变型形式=BaCuSF(逸出功:4.85eV)、BaCuTeF, N1 (3.7eV)、含 Cu 的铜铁矿、例如 CuAlO2 (3.5eV)、CuGaO2 (3.2eV)、CuInO2, ZnM2O4 (Μ = Co、Rh、Rh、Ir 等)、SrCu2O2 (3.3eV)、LaCuOM(Μ = S、Se、Te 等)、AgCoO2 (4.15eV)。
[0128]在方法的又一个设计方案中，作为用于形成传导空穴的载流子对生成层的材料能够选择下述材料，其中所述材料的逸出功的值大于大约3eV并且价带或HOMO的能量大约等于物理接触的第一传导电子的载流子对生成层的导带或LUMO的能量。
[0129]在方法的又一个设计方案中，该方法还具有:形成电子导体层，在电子导体层上或上方形成第二传导电子的载流子对生成层，在传导空穴的载流子对生成层上或上方形成第二发射体层。
[0130]在方法的又一个设计方案中，该方法还能够具有:形成第一电极，在第一电极上或上方形成第一有机功能层结构，在第二有机功能层结构上或上方形成第二电极。
[0131]在方法的又一个设计方案中，光电子器件能够作为有机发光二极管制造。
【附图说明】
[0132]本发明的实施例在附图中示出并且在下文中详细阐述。
[0133]附图示出:
[0134]图1示出根据不同实施例的光电子器件的横截面图；
[0135]图2示出根据不同实施例的光电子器件的功能层系统的横截面图；和
[0136]图3示出根据不同实施例的光电子器件的载流子对生成层结构的横截面图。
【具体实施方式】
[0137]在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中示出能够实施本发明的具体的实施方式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施方式的组成部