电端子上。第二电势例如能够具有一定数值，使得与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V范围内的数值、例如在大约2.5V至大约15V范围内的数值、例如在大约3V至大约12V范围内的数值。
[0174]在第二电极108上或上方进而在电有源区域104上或上方可选地还能够形成或形成有封装件118，例如以阻挡薄层/薄层封装件118的形式的封装件。
[0175]“阻挡薄层”或“阻挡薄膜”118在本申请的范围中例如能够理解成下述层或层结构，所述层或层结构适合于形成相对于化学杂质或大气物质、尤其相对于水(湿气)和氧气的阻挡。换言之，阻挡薄层118构成为，使得其不能够或至多极其少部分由损坏OLED的物质例如水、氧或溶剂穿过。
[0176]根据一个设计方案，阻挡薄层118能够构成单独的层(换言之，构成为单层)。根据一个替选的设计方案，阻挡薄层118能够具有多个彼此相叠构成的子层。换言之，根据一个设计方案，阻挡薄层118能够构成为层堆(Stack)。阻挡薄层118或阻挡薄层118的一个或多个子层例如能够借助于适合的沉积方法来形成，例如根据一个设计方案借助于原子层沉积方法(Atomic Layer Deposit1n(ALD))来形成，例如为等离子增强的原子层沉积方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-less Atomic Layer Deposit1n (PLALD))，或根据另一个设计方案借助于化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposit1n (CVD))来形成，例如为等离子增强的气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n (PECVD))或无等离子的气相沉积方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposit1n (PLCVD))，或者替选地借助于另外适合的沉积方法来形成。
[0177]通过应用原子层沉积方法(ALD)能够沉积极其薄的层。特别地，能够沉积层厚度位于原子层范围内的层。
[0178]根据一个设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层118中，能够借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也能够称作为“纳米叠层(Nanolaminat) ”。
[0179]根据一个替选的设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层118中，能够借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积阻挡薄层118的一个或多个子层，例如借助于气相沉积方法来沉积。
[0180]阻挡薄层118根据一个设计方案能够具有大约0.1nm( 一个原子层)至大约100nm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约1nm至大约10nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。
[0181]根据阻挡薄层118具有多个子层的一个设计方案，全部子层能够具有相同的层厚度。根据另一个设计方案，阻挡薄层118的各个子层能够具有不同的层厚度。换言之，至少一个子层能够具有不同于一个或多个其他子层的层厚度。
[0182]根据一个设计方案，阻挡薄层118或阻挡薄层118的各个子层能够构成为半透明的或透明的层。换言之，阻挡薄层118(或阻挡薄层118的各个子层)能够由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料组合)构成。
[0183]根据一个设计方案，阻挡薄层118或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层118的一个或多个子层具有下述材料中的一种或由下述材料中的一种构成:氧化铝、氧化锌、氧化错、氧化钛、氧化給、氧化钽、氧化镧、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。在不同的实施例中，阻挡薄层118或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层118的一个或多个子层具有一种或多种高折射率的材料，换言之具有一种或多种具有高折射率的材料，例如具有至少为2的折射率的材料。
[0184]在不同的实施例中，能够在封装件118上或上方设有粘接剂和/或保护漆120，借助于所述粘接剂和/或保护漆例如将覆盖件122 (例如玻璃覆盖件122)固定、例如粘贴在封装件118上。在不同的实施例中，由粘接剂和/或保护漆120构成的光学半透明层能够具有大于Iym的层厚度，例如几μπι的层厚度。在不同的实施例中，粘接剂能够具有层压粘接剂或是层压粘接剂。
[0185]在不同的实施例中，还能够将散射光的颗粒嵌入到粘接剂的层(也称作粘接层)中，所述散射光的颗粒能够引起进一步改进色角畸变和耦合输出效率。在不同的实施例中，例如能够将介电的散射颗粒设为散射光的颗粒，例如金属氧化物，如氧化硅(S12)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga2Oa)、氧化铝或氧化钛。其他颗粒也能够是适合的，只要其具有与半透明的层结构的基体的有效折射率不同的折射率，例如为气泡、丙烯酸盐或玻璃空心球。此外，例如能够将金属的纳米颗粒，金属如金、银，铁纳米颗粒等设为散射光的颗粒。
[0186]在不同的实施例中，在第二电极108和由粘接剂和/或保护漆120构成的层之间还能够施加或施加有电绝缘层(未示出)，例如为SiN，例如具有在大约300nm至大约
1.5 μ m范围内的层厚度，例如具有在大约500nm至大约I μ m范围内的层厚度，以便例如在湿法化学工艺期间保护电学不稳定的材料。
[0187]还需要指出的是，在不同的实施例中也能够完全地弃用粘接剂120，例如在将例如由玻璃构成的覆盖件122借助于等离子喷射施加到封装件118上的实施例中。
[0188]此外，在不同的实施例中，能够在发光器件100中附加地设有一个或多个抗反射层(例如与封装件118、如薄层封装件118组合)。
[0189]如在图2中示出的那样，在不同的实施例中，第一有机功能层结构112能够具有空穴注入层202，所述空穴注入层能够施加在、例如沉积在第一电极106上或上方。
[0190]在不同的实施例中，空穴注入层202能够具有一种或多种下述材料或由其构成:
[0191].HAT-CN、Cu(I) pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx,、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (III) pFBz、F16CuPc、HTM014:Cu(II)pFBz、a NPD:MoOx、PEDOT:PSS、HT508 ；
[0192].NPB (N，N'-双(萘-1-基)-N，N'-双(苯基)_ 联苯胺)；
[0193].β-NPB N，N'-双(萘 _2_ 基)-N，N'-双(苯基)_ 联苯胺)；TPD (Ν-Ν'-双(3-甲基苯基)-N，N '-双(苯基)_联苯胺)；Spiro ??)(Ν，Ν '-双(3-甲基苯基)-N，K -双(苯基)-联苯胺)；
[0194].Spiro-NPB (N, N '-双(萘-1-基)-N, N '-双(苯基)_ 螺环)；DMFL_TPDN，N'-双(3-甲基苯基)-N，N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；
[0195].DMFL-NPB (N, N'-双(萘-1-基)-N, N'-双(苯基)_9，9-二甲基-芴)；
[0196].DPFL-TPD(N, Nr -双(3-甲基苯基)-N, N'-双(苯基)_9，9-二甲基-芴)；
[0197].DPEL-NPB (N，N'-双(萘-1-基)-N，N'-双(苯基)-9，9_ 二苯基-芴)；
[0198].Spiro-TAD(2, 2r，7，7'-四(η，η-二苯基氨基)-9，9'-螺二芴)；
[0199]*9，9-双[4-(Ν，Ν_ 双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9Η-芴；
[0200]*9，9-双[4-(Ν，Ν_双-萘-2-基-氨基)苯基]-9Η-芴；
[0201].9，9_ 双[4-(N，f -双-萘-2-基-N，N'-双-苯基-氨基)苯基]-9H-芴；
[0202].Ν，Ν'-双(萘-9-基)-N，N'-双(苯基)_联苯胺；
[0203].2，7-双[N, N- M (9,9-螺二荷 _2_ 基)氨基]_9，9_ 螺二芴；
[0204].2，2'-双[N，N-双(联苯 _4_ 基)氨基]9，9_ 螺二芴；
[0205].2，2'-双[N，N-双-苯基-氨基]9，9_ 螺二芴；
[0206]?双-[4-(Ν，Ν_联甲苯-氨基)_苯基]环己烷；
[0207].2，2'，7，7'-四(N，N-双-甲苯基)氨基-螺二芴，和
[0208].N，N，N' ,N' _ 四-萘 _2_ 基-联苯胺。
[0209]空穴注入层202能够具有在大约1nm至大约100nm的范围中、例如在大约20nm至大约500nm的范围中、例如在大约200nm至大约400nm的范围中、例如在大约170nm至大约330nm的范围中的层厚度。
[0210]在空穴注入层202上或上方能够施加、例如沉积第一空穴传输层204或者施加有、例如沉积有第一空穴传输层204。在不同的实施例中，第一空穴传输层204能够具有一种或多种下述材料或由其构成:
[0211].NPB (N，N'-双(萘-1-基)-N，N'-双(苯基)_ 联苯胺)；
[0212].β-NPB N，N'-双(萘 _2_ 基)-N，N'-双(苯基)_ 联苯胺)；TPD (Ν-Ν'-双(3-甲基苯基)-N，N '-双(苯基)_联苯胺)；Spiro ??)(Ν，Ν '-双(3-甲基苯基)-N，K -双(苯基)-联苯胺)；
[0213].Spiro-NPB (N, N '-双(萘-1-基)-N, N '-双(苯基)_ 螺环)；DMFL_TPDN，N'-双(3-甲基苯基)-N，N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；
[0214].DMFL-NPB (N, Nr -双(萘-1-基)-N, N'-双(苯基)_9，9-二甲基-芴)；
[0215].DPFL-TPD(N, N'-双(3-甲基苯基)-N, N'-双(苯基)_9，9-二甲基-芴)；
[0216].DPEL-NPB (N，N'-双(萘-1-基)-N，N'-双(苯基)-9，9-二苯基-芴)；
[0217].Spiro-TAD(2, 2r，7，7'-四(n，η-二苯基氨基)_9，9'-螺二芴)；
[0218]*9，9-双[4-(Ν，Ν_ 双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9Η-芴；
[0219]*9，9-双[4-(Ν，Ν_双-萘-2-基-氨基)苯基]-9Η-芴；
[0220].9，9_ 双[4_(Ν，Ν'-双-萘 _2_ 基-N，K -双-苯基-氨基)苯基]-9Η-芴；
[0221].Ν，Ν'-双(萘-9-基)-N，N'-双(苯基)_联苯胺；
[0222].2，7-双[N, N- M (9,9-螺二荷 _2_ 基)氨基]_9，9_ 螺二芴；
[0223].2，2'-双[N，N-双(联苯 _4_ 基)氨基]9，9_ 螺二芴；
[0224].2,2'-双[N，N-双-苯基-氨基]9，9_ 螺二芴；
[0225]?双-[4-(Ν，Ν_联甲苯-氨基)_苯基]环己烷；
[0226].2,2' ,7,7'-四(N，N-双-甲苯基)氨基-螺二芴，和
[0227].N，N，N' ,N' _ 四-萘 _2_ 基-联苯胺。
[0228]第一空穴传输层204能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中、例如在大约1nm至大约30nm的范围中、例如为大约20nm的层厚度。
[0229]在空穴传输层204上或上方能够施加、例如沉积第一发射体层206。例如能够设为用于第一发射体层206的发射体材料在上文中描述。
[0230]在不同的实施例中，第一发射体层206能够具有在大约5nm至大约70nm的范围中、例如在大约1nm至大约50nm的范围中、例如为大约30nm的层厚度。
[0231]此外，在第一发射体层206上或上方能够设置有、例如沉积有第一电子传输层208。在不同的实施例中，第一电子传输层208能够具有一种或多种下述材料或由其构成:
[0232].NET-18
[0233].2，2’，2”-(1，3，5-苯取代基)_三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；
[0234].2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)_1，3，4_ 恶二唑，2，9_ 二甲基 _4，7_ 联苯-1, 10-菲咯啉(BCP)；
[0235].8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3，5_ 联苯-4H-1，2，4_ 三唑；
[0236].1，3_ 双[2-(2，2’ _ 双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]苯；
[0237].4，7-联苯-1, 10-菲咯啉(BPhen)；
[0238].3- (4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4_三唑；
[0239]?双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；
[0240].6，6’ -双[5-(联苯-4-基)-1，3，4-恶二唑-2-基]-2，2’ -双吡啶基；
[0241].2-苯基-9，10-双(萘-2-基)_ 蒽；
[0242].2，7-双[2-(2，2，-双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]_9，9_ 二甲基芴；
[0243].1，3-双[2- (4-叔-丁基苯基)-1, 3，4_ 恶二唑 _5_ 基]苯;
[0244].2-(萘-2-基)-4，7-联苯-1, 10-菲咯啉；
[0245].2，9-双(萘-2-基)-4，7_ 联苯-1, 10-菲咯啉；
[0246]?三(2，4，6-三甲基-3 (吡啶_3_基)苯基)硼烷；
[0247].1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4，5-f] [I, 10]菲咯啉；
[0248].苯基-双芘基膦氧化物；
[0249].萘四碳酸酐或其酰亚胺；
[0250].芘四碳酸酐或其酰亚胺；和
[0251]?基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
[0252]第一电子传输层208能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中、例如在大约1nm至大约30n