45]此外，通过借助于中间层304减少或补偿第一传导电子的载流子对生成层的表面粗糙度，中间层304能够减少第一传导电子的载流子对生成层306和第二传导电子的载流子对生成层302之间的边界面粗糙度。
[0346]在不同的实施例中，第二传导电子的载流子对生成层302能够由多种材料、即例如由材料混合物或者由唯一的材料组成(出于该原因，第二传导电子的载流子对生成层302也能够称作为未掺杂的第二传导电子的载流子对生成层302)。
[0347]形成第二传导电子的载流子对生成层302的材料、即例如用于构成第二传导电子的载流子对生成层302的材料能够具有高的电子电导率(例如在例如优于大约10_7S/m、例如优于大约10_6S/m、例如优于大约10_5S/m的数量级中的电子电导率)。
[0348]此外，第二传导电子的载流子对生成层302的材料能够具有低的逸出功(例如小于或等于大约3eV的逸出功)和对可见光的小的吸收。在不同的实施例中，满足所述条件的每种材料能够设为第二传导电子的载流子对生成层302的材料，例如具有NDN-26掺杂材料的 NET-18 基体(材料混合物)或者 NDN-26、MgAg, Cs2CO3' Cs3PO4' Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF (材料)。
[0349]在不同的实施例中，第二传导电子的载流子对生成层302能够具有在大约Inm至大约500nm的范围中、例如在大约3nm至大约10nm的范围中、例如在大约1nm至大约90nm的范围中、例如在大约20nm至大约80nm的范围中、例如在大约30nm至大约70nm的范围中、例如在大约40nm至大约60nm的范围中的层厚度，例如大约为50nm的层厚度。
[0350]在不同的实施例中，第一传导电子的载流子对生成层306能够由多种材料、即例如由材料混合物或同样由唯一的材料组成(出于该原因，第一传导电子的载流子对生成层306也能够称作为未掺杂的第一传导电子的载流子对生成层306)。
[0351]形成第一传导电子的载流子对生成层306的材料、即例如用于构成第一传导电子的载流子对生成层306的材料能够具有高的电导率(例如在例如优于大约10_5S/m、例如优于大约10_4S/m、例如优于10_3S/m的数量级中的电导率)。
[0352]此外，第一传导电子的载流子对生成层306的材料能够具有高的逸出功、例如在大约3.5eV至大约5.5eV的范围中、例如在大约4.4eV至大约5.5eV的范围中的逸出功和对可见光的小的吸收。在不同的实施例中，满足所述条件的每种材料或每种物质能够设为第一传导电子的载流子对生成层306的材料，例如HAT-CN、Cu(I)pFBz, MoOx, W0X、VOx, ReOx,、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (III) pFBz、F16CuPc。
[0353]在不同的实施例中，第一传导电子的载流子对生成层306能够具有在大约Inm至大约500nm的范围中、例如在大约3nm至大约10nm的范围中、例如在大约1nm至大约90nm的范围中、例如在大约20nm至大约80nm的范围中、例如在大约30nm至大约70nm的范围中、例如在大约40nm至大约60nm的范围中的层厚度，例如大约为50nm的层厚度。
[0354]在不同的实施例中，第一传导电子的载流子对生成层306能够具有带有高的电导率和导带(Lowest Unoccupied Molecule Orbital，LUM0，最低未占分子轨道)的材料或材料混合物，所述导带构成为关于直接或间接相邻的空穴传输层310或传导空穴的载流子对生成层310的价带(Highest Occupied Molecule Orbital, HOMO，最高已占分子轨道)和第二传导电子的载流子对生成层302的价带在能量方面大约相等。换言之，第一传导电子的载流子对生成层306的材料或材料混合物具有LUM0，使得在能量方面位于与空穴传输层310的材料或材料混合物的HOMO和第二传导电子的载流子对生成层302的Η0Μ0大约相同的高度上。
[0355]载流子对在空穴传输层310与第一传导电子的载流子对生成层306的共同的边界面308上生成并且分离，使得所生成的载流子对的空穴在空穴传输层310中朝向第二有机功能层结构116的发射体层210传输，并且其中所生成的载流子对的电子借助于第一传导电子的载流子对生成层306和第二载流子对生成层302朝向第一有机功能层结构112的第一发射体层206传输。换言之，空穴传输层310能够附加地设计成传导空穴的载流子对生成层310。
[0356]中间层304能够具有在大约Inm至大约200nm的范围中、例如在大约3nm至大约10nm的范围中、例如在大约5nm至大约1nm的范围中、例如大约为6nm的层厚度。通过中间层304的载流子传导能够直接地或间接地进行。
[0357]中间层304的材料或材料混合物在间接的载流子传导的情况下能够是电绝缘体。中间层304的电绝缘的材料的Η0Μ0能够高于直接相邻的第一传导电子的载流子对生成层306的LUMO并且高于直接相邻的第二传导电子的载流子对生成层302的Η0Μ0。由此，能够实现穿过中间层304的隧穿电流。
[0358]适合用于中间层304的材料例如能够是:NET-39，酞菁衍生物，例如未取代的酞菁；例如金属氧化物酞菁化合物，例如氧化钒酞菁(VOPc)、氧化钛酞菁(T1Pc);例如金属酞菁衍生物，例如铜酞菁(CuPc)、(H2Pc)、钴酞菁(CoPc)、铝酞菁(AlPc)、镍酞菁(NiPc)、铁酞菁(FePc)、锌酞菁(ZnPc)或锰酞菁(MnPc)。
[0359]在不同的实施例的然而不应具有限制特性的第一具体的实现方案中，上述层结构能够具有下述层:
[0360]-电子传输层208:层厚度大约为1nm的NET-18 ；
[0361]-第二传导电子的载流子对生成层302:用NDN-26掺杂的NET-18，例如具有以材料混合物的体积记的大约8%的浓度，具有大约50nm的层厚度；和
[0362]-第一传导电子的载流子对生成层306:层厚度大约为5nm的HAT-CN。
[0363]-空穴传输层310:层厚度大约为50nm的CuGa02。
[0364]在不同的实施例的然而不应具有限制性特性的第二具体的实现方案中，具有邻接的空穴传输层310和电子传输层208的载流子对生成层结构114具有下述层:
[0365]-电子传输层208:层厚度大约为1nm的NET-18 ；
[0366]-第二传导电子的载流子对生成层302:用NDN-26掺杂的NET-18，例如具有以材料混合物的体积记的大约8%的浓度，具有大约50nm的层厚度；和
[0367]-第一传导电子的载流子对生成层306:层厚度大约为5nm的HAT-CN。
[0368]-空穴传输层310:层厚度大约为50nm的SrCu202。
[0369]根据不同的实施例的所述方法途径的优点能够在于:通过将透明的、无机的、本征传导空穴的材料或透明的、无机的、本征传导空穴的材料混合物用于空穴传输层，光电子器件变得更加热稳定和有效并且能够经受更高的场强，例如在接通光电子器件时或者在电流过高时的电流峰值。空穴传输层的所应用的无机的材料或材料混合物相对于至今为止应用的有机的材料或材料混合物的特征在于可达到的高的载流子密度、低的逸出功和通常强的边界面偶极。后者引起高的内置电压和对在空穴传输层与第一传导电子的载流子对生成层的边界面上的载流子分离有益的带匹配。这降低在空穴传输层之上的电压降进而提高光电子器件的效率。在常规的有机空穴传输层中，还出现在空穴传输层与第一传导电子的载流子对生成层的有机-有机边界面上的层间扩散，例如在具有与空穴传输层的有机材料相比相对低的玻璃化温度的通常应用的a NPD的情况下。这在所施加的电压随着运行时间增加而增大的情况下降低电流密度。由此，降低光电子器件的运行持续时间。
【主权项】
1.一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有: ?第一有机功能层结构(112)； ?第二有机功能层结构(116);和 ?在所述第一有机功能层结构(112)和所述第二有机功能层结构(116)之间的载流子对生成层结构(114)， ?其中所述载流子对生成层结构(114)具有传导空穴的载流子对生成层(310)和第一传导电子的载流子对生成层(306);并且 ?其中所述传导空穴的载流子对生成层(310)具有无机材料或无机材料混合物或者由无机材料或无机材料混合物形成，并且其中所述第一传导电子的载流子对生成层(306)具有有机材料或有机材料混合物或者由有机材料或有机材料混合物形成；并且 ?其中所述第一传导电子的载流子对生成层(304)具有有机的、本征传导电子的材料或由其形成。
2.根据权利要求1所述的光电子器件(100)，所述光电子器件还具有在所述第一传导电子的载流子对生成层(306)上或上方的第二传导电子的载流子对生成层(302)。
3.根据权利要求2所述的光电子器件(100)，所述光电子器件还具有: 在所述第一传导电子的载流子对生成层(306)和所述第二传导电子的载流子对生成层(302)之间的中间层(304) ο
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的光电子器件(100)，其中所述传导空穴的载流子对生成层(310)的无机的传导空穴的材料具有无机的、本征传导空穴的材料或由其形成。
5.根据权利要求4所述的光电子器件(100)，其中所述传导空穴的载流子对生成层(310)的无机的、本征传导空穴的材料具有BaCuSF、BaCuSeF和/或BaCuTeF或者这些化合物的化学计量的变型形式或者由它们形成。
6.根据权利要求4所述的光电子器件(100)，其中所述传导空穴的载流子对生成层(310)的无机的、本征传导空穴的材料具有N1和/或AgCoO2或者这些化合物的化学计量的变型形式或者由它们形成。
7.根据权利要求4所述的光电子器件(100)，其中所述传导空穴的载流子对生成层(310)的无机的、本征传导空穴的材料具有一种或多种含铜的铜铁矿或者由它们形成。
8.根据权利要求4所述的光电子器件(100)，其中一种或多种所述含铜的铜铁矿具有下述材料组中的一种或多种材料:CuA102、CuGaO2, CuInO2, CuTlO2, CuY1^xCaxO2, CuCr1^xMgxO2和/或&!02或者这些化合物的化学计量的变型形式或者由它们形成。
9.根据权利要求4所述的光电子器件(100)，其中所述传导空穴的载流子对生成层(310)的无机的、本征传导空穴的材料具有下述材料组中的一种或多种材料:ZnCo204、ZnRh2O4和/或ZnIr 204或者这些化合物的化学计量的变型形式或者由它们形成。
10.根据权利要求4所述的光电子器件(100)，其中所述传导空穴的载流子对生成层(310)的无机的、本征传导空穴的材料具有SrCu2O2或者该化合物的化学计量的变型形式或者由它们形成。
11.根据权利要求4所述的光电子器件(100)，其中所述传导空穴的载流子对生成层(310)的无机的、本征传导空穴的材料具有下述材料组中的一种或多种材料:LaCuOS、LaCuOSe和/或LaCuOTe或者这些化合物的化学计量的变型形式或者由它们形成。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的光电子器件(100)，其中所述第一传导电子的载流子对生成层(304)具有有机的、本征传导电子的材料或由其形成。
13.根据权利要求12所述的光电子器件(100)，其中所述第一传导电子的载流子对生成层(304)具有选自下述材料组的有机的、本征传导电子的材料:HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (III) pFBz、F16CuPc。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的光电子器件(100)，其中所述光电子器件(100)构成为有机发光二极管(100)。
15.—种用于制造光电子器件(100)的方法，所述方法具有: ?形成第一有机功能层结构(112); ?在所述第一有机功能层结构(112)上或上方形成载流子对生成层结构(114); ?在载流子对生成层结构(112)上或上方形成第二有机功能层结构(116); ?其中形成所述载流子对生成层结构(114)具有形成传导空穴的载流子对生成层(310)和形成第一传导电子的载流子对生成层(306);其中所述传导空穴的载流子对生成层(310)具有无机材料或无机材料混合物或者由无机材料或无机材料混合物形成，并且其中所述第一传导电子的载流子对生成层(306)具有有机材料或有机材料混合物或者由有机材料或有机材料混合物形成。
16.根据权利要求15所述的方法，其中借助于沉积无机的传导空穴的材料或无机的传导空穴的材料混合物形成所述传导空穴的载流子对生成层(310)具有小于大约100°C的温度。
17.根据权利要求15或16所述的方法，其中将所述光电子器件(100)作为有机发光二级管(100)制造。
【专利摘要】光电子器件和用于制造光电子器件的方法。在不同的实施方式中提供光电子器件(100)，所述光电子器件(100)具有：第一有机功能层结构(112)；第二有机功能层结构(116)；和第一有机功能层结构(112)和第二有机功能层结构(116)之间的载流子对生成层结构(114)，其中载流子对生成层结构(114)具有传导空穴的载流子对生成层(310)和第一传导电子的载流子对生成层(306)；并且其中传导空穴的载流子对生成层(310)具有无机材料或无机材料混合物或者由其形成，并且其中第一传导电子的载流子对生成层(306)具有有机材料或有机材料混合物或者由其形成。(208)表示电子传输层，(302)表示第二传导电子的载流子对生成层并且(304)表示中间层。
【IPC分类】H01L51-52, H01L51-54
【公开号】CN104521022
【申请号】CN201380042376
【发明人】蒂洛·罗伊施, 卡罗拉·迭斯
【申请人】欧司朗Oled股份有限公司
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2013年6月28日
【公告号】DE102012214021A1, US20150200378, WO2014023478A1