m的范围中、例如为大约20nm的层厚度。
[0253]此外，在第一发射体层206上或上方能够设置、例如沉积有第一电子传输层208。在不同的实施例中，第一电子传输层208能够具有一种或多种下述材料或由其构成:
[0254].NET-18、NET-5、ETM033、ETM036、BCP、BPhen ；
[0255].2，2’，2”-(1，3，5-苯取代基)_三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；
[0256].2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)_1，3，4_ 恶二唑，2，9_ 二甲基 _4，7_ 联苯-1, 10-菲咯啉(BCP)；
[0257].8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3，5_ 联苯-4H-1，2，4_ 三唑；
[0258].1，3_ 双[2-(2，2’ _ 双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]苯；
[0259].4，7-联苯-1, 10-菲咯啉(BPhen)；
[0260].3- (4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4_三唑；
[0261 ]?双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；
[0262].6，6’ -双[5-(联苯-4-基)_1，3，4-恶二唑-2-基]-2，2’ -双吡啶基；
[0263].2-苯基-9，10-双(萘-2-基)-蒽；
[0264].2，7-双[2-(2，2，-双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]_9，9_ 二甲基芴；
[0265].1，3-双[2- (4-叔-丁基苯基)_1，3，4_ 恶二唑-5-基]苯；
[0266].2-(萘-2-基)-4，7-联苯 _1，10-菲咯啉；
[0267].2，9-双(萘-2-基)-4，7_ 联苯-1，10-菲咯啉；
[0268]?三(2，4，6-三甲基-3 (吡啶_3_基)苯基)硼烷；
[0269].1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4，5_f] [I, 10]菲咯啉；
[0270].苯基-双芘基膦氧化物；
[0271].萘四碳酸酐或其酰亚胺；
[0272].芘四碳酸酐或其酰亚胺；和
[0273].基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
[0274]第一电子传输层208能够具有在大约1nm至大约50nm的范围中、例如在大约15nm至大约40nm的范围中、例如在大约20nm至大约30nm的范围中的层厚度。
[0275]如在上文中描述的那样，(可选的)空穴注入层202、(可选的)第一空穴传输层204、第一发射体层106、以及(可选的)第一电子传输层208形成第一有机功能层结构112。
[0276]在第一有机功能层112上或上方设置有载流子对生成层结构(CGL) 114，在下文中更详细地描述所述载流子对生成层结构。
[0277]在不同的实施例中，能够在载流子对生成层结构114上或上方设置有第二有机功能层结构116。
[0278]在不同的实施例中，第二有机功能层结构116能够具有第二空穴传输层310 (没有示出)，其中第二空穴传输层310也能够称作为传导空穴的载流子对生成层310，并且设置作为载流子对生成层结构114的一部分。例如，第二空穴传输层310能够与第一传导电子的载流子对生成层结构306物理接触308，换言之，其共有共同的边界面。
[0279]在不同的实施例中，第二空穴传输层或传导空穴的载流子对生成层310具有下述材料中的一种或多种或者这些化合物的化学计量的变型形式或由其构成:BaCuSF、BaCuTeF> Ni。、含Cu的铜铁矿，例如CuAlO2(M =三价阳离子，例如Al、Ga、In等)、CuO2>CuYhCaxO2'CuCivxMgxO2'ZnM2O4 (M = Co、Rh、Rh、Ir 等)、SrCu2O2'LaCuOM(M = S、Se、Te 等)或还有Mg掺杂的CuCrO2。
[0280]室温下的脉冲激光沉积、低温下的溅镀或脉冲磁控溅镀适合作为具有所述材料的空穴导体层的制造方法。
[0281]第二空穴传输层310能够具有在大约1nm至大约50nm的范围中、例如在大约15nm至大约40nm的范围中、例如在大约20nm至大约30nm的范围中的层厚度。
[0282]此外，第二有机功能层结构116能够具有第二发射体层210，所述第二发射体层能够设置在第二空穴传输层310上或上方。第二发射体层210能够具有与第一发射体层206相同的发射体材料。替选地，第二发射体层210和第一发射体层206能够具有不同的发射体材料。在不同的实施例中，第二发射体层210能够设计成，使得其发射与第一发射体层206相同波长的电磁辐射，例如可见光。替选地，第二发射体层210能够设计成，使得其发射与第一发射体层206不同波长的电磁辐射，例如可见光。第二发射体层的发射体材料能够是在上文中描述的材料。
[0283]其他适合的发射体材料当然能够不仅设为用于第一发射体层206、而且设为用于第二发射体层210。
[0284]此外，第二有机功能层结构116能够具有第二电子传输层212，所述第二电子传输层能够设置、例如沉积在第二发射体层210上或上方。
[0285]在不同的实施例中，第二电子传输层212能够具有一种或多种下述材料或由其构成:
[0286].NET-18、NET-5、ETM033、ETM036、BCP、BPhen ；
[0287].2，2’，2”-(1，3，5-苯取代基)_三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；
[0288].2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)_1，3，4_ 恶二唑，2，9_ 二甲基 _4，7_ 联苯-1, 10-菲咯啉(BCP)；
[0289].8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3，5_ 联苯-4H-1，2，4_ 三唑；
[0290].1,3-双[2-(2，2’ -双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]苯；
[0291].4，7-联苯-1, 10-菲咯啉(BPhen)；
[0292].3- (4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4_三唑；
[0293]?双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；
[0294].6，6，-双[5-(联苯-4-基)_1，3，4-恶二唑-2-基]-2，2’ -双吡啶基；
[0295].2-苯基-9，10-双(萘-2-基)-蒽；
[0296].2，7-双[2-(2，2，-双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]_9，9_ 二甲基芴；
[0297].1，3-双[2- (4-叔-丁基苯基)_1，3，4_ 恶二唑-5-基]苯；
[0298].2-(萘-2-基)-4，7-联苯 _1，10-菲咯啉；
[0299].2，9-双(萘-2-基)-4，7_ 联苯-1，10-菲咯啉；
[0300]?三(2，4，6-三甲基-3 (吡啶-3-基)苯基)硼烷；
[0301].1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1Η-咪唑[4, 5-f] [I, 10]菲咯啉；
[0302].苯基-双芘基膦氧化物；
[0303].萘四碳酸酐或其酰亚胺；
[0304].芘四碳酸酐或其酰亚胺；和
[0305].基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
[0306]第二电子传输层212能够具有在大约1nm至大约50nm的范围中、例如在大约15nm至大约40nm的范围中、例如在大约20nm至大约30nm的范围中的层厚度。
[0307]此外，在第二电子传输层212上或上方能够施加、例如沉积电子注入层214。
[0308]在不同的实施例中，电子注入层214能够具有一种或多种下述材料或由其构成:
[0309].NDN-26、MgAg、Cs2C03、Cs3P04、Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF ；
[0310].2，2’，2”-(1，3，5-苯取代基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；
[0311].2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1，3，4_ 恶二唑，2，9-二甲基 _4，7-联苯-1,10-菲咯啉(BCP)；
[0312].8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1，2，4-三唑；
[0313].1,3-双[2-(2，2’ -双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]苯；
[0314].4，7-联苯-1, 10-菲咯啉(BPhen)；
[0315].3-(4-联苯基)-4_苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4_三唑；
[0316]?双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；
[0317].6，6’ -双[5-(联苯-4-基)_1，3，4-恶二唑-2-基]-2，2’ -双吡啶基；
[0318].2-苯基 _9，10-双(蔡-c1-基)-蒽；
[0319]-2,7-? [2-(2，2，-双吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 恶二唑 _5_ 基]_9，9_ 二甲基芴；
[0320].1，3-双[2- (4-叔-丁基苯基)-1，3，4_ 恶二唑-5-基]苯；
[0321].2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1，10-菲咯啉；
[0322].2，9-双(萘-2-基)-4，7_ 联苯-1, 10-菲咯啉；
[0323]?三(2，4，6-三甲基-3 (吡啶_3_基)苯基)硼烷；
[0324].1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4, 5-f] [I, 10]菲咯啉；
[0325].苯基-双芘基膦氧化物；
[0326].萘四碳酸酐或其酰亚胺；
[0327].芘四碳酸酐或其酰亚胺；和
[0328].基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
[0329]电子注入层214能够具有在大约5nm至大约200nm的范围中、例如在大约20nm至大约50nm的范围中、例如为大约40nm的层厚度。
[0330]如在上文中描述的那样，(可选的)第二空穴传输层310、第二发射体层210、(可选的)第二空穴传输层212、以及(可选的)电子注入层214形成第二有机功能层结构116。
[0331]在不同的实施例中，有机电致发光层结构110(即例如空穴传输层和发射体层和电子传输层等的厚度的总和)具有最大为大约1.5 μπι的层厚度、例如最大为大约1.2 μπι的层厚度、例如最大为大约Iym的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机电致发光层结构110例如能够具有多个直接彼此相叠设置的有机发光二极管(OLED)的堆，其中每个OLED例如能够具有最大为大约1.5 ym的层厚度、例如最大为大约1.2 μπι的层厚度、例如最大为大约I μπι的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机电致发光层结构110例如能够具有两个、三个或四个直接彼此相叠设置的OLED的堆，在此情况下，有机电致发光层结构110例如能够具有最大为大约3 μπι的层厚度。
[0332]发光器件100可选地通常能够具有另外的有机功能层，所述另外的有机功能层例如设置在一个或多个发射体层上或上方或者设置在一个或多个电子传输层上或上方，用于进一步改进发光器件100的功能性进而效率。
[0333]在有机电致发光层结构110上或上方或者必要时在一个或多个另外的有机功能层上或上方能够施加有第二电极108 (例如以第二电极层108的形式)，如在上文中描述的那样。
[0334]在图3中示出根据不同实施例的载流子对生成层114的结构的横截面图。
[0335]在不同的实施例中，载流子对生成层结构114能够具有传导空穴的载流子对生成层310、第一传导电子的载流子对生成层306和第二传导电子的载流子对生成层302，其中第二传导电子的载流子对生成层302能够设置在第一电子传输层208上或上方，例如能够与所述第一电子传输层物理接触。
[0336]第一传导电子的载流子对生成层306能够设置在第一传导电子的载流子对生成层302上或上方，其中可选地在这两个层302、306之间能够设有中间层304。
[0337]在第一传导电子的载流子对生成层306上或上方能够设置或设置有第二空穴传输层310或传导空穴的载流子对生成层310并且与其物理接触(在图3中设有附图标记308) ο
[0338]通过载流子对在第一传导电子的载流子对生成层306与空穴传输层310的共同的边界面308上分离，第二空穴传输层310也能够设计或理解成传导空穴的载流子对生成层310。
[0339]在不同的实施例中，载流子对生成层结构114能够以传导电子的载流子对生成层302,306之间的中间层304(也称作为“内部层”)扩宽，以便改变带结构的变化。
[0340]例如，中间层304能够产生载流子对生成层302、306的带隙中的状态并且简化载流子对分1?。
[0341]中间层304还能够防止层间扩散，例如掺杂材料或基体材料的层间扩散。
[0342]与在半导体器件中的无机层序列不同，有机层能够部分地内部扩散到其他的有机层中(部分层间扩散)，例如第二传导电子的载流子对生成层302的有机部分扩散到光电子器件100、例如OLED中的载流子对生成层结构的第一有机传导电子的载流子对生成层306中。
[0343]为了抑制部分层间扩散(即明显地实现阻挡效果)，能够在各个有机层之间、例如在第一传导电子的载流子对生成层306和第二传导电子的载流子对生成层302之间插入中间层304，或者层中的一个层、即第二传导电子的载流子对生成层302和/或第一传导电子的载流子对生成层306能够具有无机材料或由其构成。
[0344]此外，中间层能够防止第一传导电子的载流子对生成层306与第二传导电子的载流子对生成层302的反应，即中间层304能够形成反应阻挡。
[03