匀获得预涂液；
[0094]将LED芯片放在加热板上加热(120°C )并喷涂预涂液，在芯片表面形成一层透明conformal 层；
[0095]称量5g聚乙烯醇(PVA)和10mL去离子水混合，在沸水浴中搅拌溶解30min，溶液呈现透明均匀状，无结核现象，静止，待气泡消失，即5% PVA ;
[0096]称量0.15g重铬酸按(ADC)和50ml去离子水并混合均匀，即0.3% ADC ；
[0097]称取0.4g荧光粉、0.8ml已配置好的5% PVA,0.6ml已配好的0.3% ADC，将三者混合均匀形成荧光粉粉浆；
[0098]采用点胶法将荧光粉粉浆涂覆在已预涂的LED芯片表面上，用干燥箱加热(40°C )干燥20min ；
[0099]采用IA电流、曝光时间0.2ms?Ims自曝光；显影采用去离子水加热至35°C?80°C进行显影，显影时间为30s?5min，然后用去离子水冲洗或吹风吹去未固定的多余的焚光粉，获得具有conformal-remote结构的conformal焚光粉层，并且回收焚光粉。
[0100]实施例9
[0101]称量0.5ml硅胶50ml四氢呋喃，将二者混合均匀获得预涂液；
[0102]将LED芯片放在加热板上加热(120°C )并喷涂预涂液，在芯片表面形成一层透明conformal 层；
[0103]称量5g聚乙烯醇(PVA)和10mL去离子水混合，在沸水浴中搅拌溶解30min，溶液呈现透明均匀状，无结核现象，静止，待气泡消失，即5% PVA ;
[0104]称量0.1g重铬酸按(ADC)和20ml去离子水并混合均匀，即0.5% ADC ；
[0105]称取0.4g荧光粉、Iml已配置好的5% PVA,0.5ml已配好的0.5% ADC，将三者混合均匀形成荧光粉粉浆；
[0106]采用点胶法将荧光粉粉浆涂覆在已预涂的LED芯片表面上，用干燥箱加热(40°C )干燥20min ；
[0107]采用IA电流、曝光时间0.2ms?Ims自曝光；显影采用去离子水加热至35°C?80°C进行显影，显影时间为30s?5min，然后用去离子水冲洗或吹风吹去未固定的多余的焚光粉，获得具有conformal-remote结构的conformal焚光粉层，并且回收焚光粉。
[0108]实施例10
[0109]称量0.5ml硅胶50ml四氢呋喃，将二者混合均匀获得预涂液；
[0110]将LED芯片放在加热板上加热(120°C )并喷涂预涂液，在芯片表面形成一层透明conformal 层；
[0111]称量5g聚乙烯醇(PVA)和10mL去离子水混合，在沸水浴中搅拌溶解30min，溶液呈现透明均匀状，无结核现象，静止，待气泡消失，即5% PVA ;
[0112]称量0.1g重铬酸按(ADC)和10ml去离子水并混合均匀，SP 0.1% ADC ；
[0113]称取0.4g荧光粉、0.4ml已配置好的5% PVA,0.8ml已配好的0.1% ADC，将三者混合均匀形成荧光粉粉浆；
[0114]采用点胶法将荧光粉粉浆涂覆在已预涂的LED芯片表面上，用干燥箱加热(40°C )干燥20min ；
[0115]采用IA电流、曝光时间0.2ms?Ims自曝光；显影采用去离子水加热至35°C?80°C进行显影，显影时间为30s?5min，然后用去离子水冲洗或吹风吹去未固定的多余的焚光粉，获得具有conformal-remote结构的conformal焚光粉层，并且回收焚光粉。
[0116]实施例11
[0117]称量0.5ml硅胶50ml四氢呋喃，将二者混合均匀获得预涂液；
[0118]将LED芯片放在加热板上加热(120°C )并喷涂预涂液，在芯片表面形成一层透明conformal 层；
[0119]称量5g聚乙烯醇(PVA)和10mL去离子水混合，在沸水浴中搅拌溶解30min，溶液呈现透明均匀状，无结核现象，静止，待气泡消失，即5% PVA ;
[0120]称量0.1g重铬酸按(ADC)和50ml去离子水并混合均匀，即0.2% ADC ；
[0121]称取0.36g荧光粉、0.8ml已配置好的5% PVA、0.6ml已配好的(λ 2% ADC，将三者混合均匀形成荧光粉粉浆；
[0122]采用点胶法将荧光粉粉浆涂覆在已预涂的LED芯片表面上，用干燥箱加热(40°C )干燥20min ；
[0123]采用IA电流、曝光时间0.2ms?Ims自曝光；显影采用去离子水加热至35°C?80°C进行显影，显影时间为30s?5min，然后用去离子水冲洗或吹风吹去未固定的多余的焚光粉，获得具有conformal-remote结构的conformal焚光粉层，并且回收焚光粉。
[0124]实施例12
[0125]称量0.5ml硅胶、50ml四氢呋喃、0.25g聚甲基丙烯酸甲酯，将三者混合均匀获得预涂液；
[0126]将LED芯片放在加热板上加热(120°C )并喷涂预涂液，在芯片表面形成一层透明conformal 层；
[0127]称量5g聚乙烯醇(PVA)和10mL去离子水混合，在沸水浴中搅拌溶解30min，溶液呈现透明均匀状，无结核现象，静止，待气泡消失，即5% PVA ;
[0128]称量0.13g重铬酸按(ADC)和50ml去离子水并混合均匀，即0.26% ADC ；
[0129]称取0.4g荧光粉、0.72ml已配置好的5% PVA、0.68ml已配好的0.26% ADC，将三者混合均匀形成荧光粉粉浆；
[0130]采用点胶法将荧光粉粉浆涂覆在已预涂的LED芯片表面上，用干燥箱加热(40°C )干燥20min ；
[0131]采用IA电流、曝光时间0.2ms?Ims自曝光；显影采用去离子水加热至35°C?80°C进行显影，显影时间为30s?5min，然后用去离子水冲洗或吹风吹去未固定的多余的焚光粉，获得具有conformal-remote结构的conformal焚光粉层，并且回收焚光粉。
[0132]实施例13
[0133]称量0.5ml硅胶50ml四氢呋喃，将二者混合均匀获得预涂液；
[0134]将LED芯片放在加热板上加热(120°C )并喷涂预涂液，在芯片表面形成一层透明conformal 层；
[0135]称量5g聚乙烯醇(PVA)和10mL去离子水混合，在沸水浴中搅拌溶解30min，溶液呈现透明均匀状，无结核现象，静止，待气泡消失，即5% PVA ;
[0136]称量0.13g重铬酸按(ADC)和50ml去离子水并混合均匀，即0.26% ADC ；
[0137]称取0.4g聚甲基丙烯酸甲酯、0.72ml已配置好的5 % PVA、0.68ml已配好的0.26% ADC，将三者混合均匀形成粉浆；
[0138]采用点胶法将粉浆涂覆在已预涂的LED芯片表面上，用干燥箱加热(40°C )干燥20min ；
[0139]采用IA电流、曝光时间0.2ms?Ims自曝光；显影采用去离子水加热至35°C?80°C进行显影，显影时间为30s?5min，然后用去离子水冲洗或吹风吹去未固定的多余的粉末，在芯片表面形成一层含有透明粉末的conformal层；
[0140]称取0.4g荧光粉、0.72ml已配置好的5% PVA、0.68ml已配好的0.26% ADC，将三者混合均匀形成荧光粉粉浆；
[0141]采用点胶法将荧光粉粉浆涂覆在上述的LED芯片表面上，用干燥箱加热(40°C )干燥 20min ；
[0142]采用IA电流、曝光时间0.2ms?Ims自曝光；显影采用去离子水加热至35°C?80°C进行显影，显影时间为30s?5min，然后用去离子水冲洗或吹风吹去未固定的多余的焚光粉，获得具有conformal-remote结构的conformal焚光粉层，并且回收焚光粉。
[0143]实施例14
[0144]称量0.5ml硅胶、50ml四氢呋喃，将二者混合均匀获得预涂液；
[0145]将LED芯片放在加热板上加热(120°C )并喷涂预涂液，在芯片表面形成一层透明conformal 层；
[0146]称量5g聚乙烯醇(PVA)和10mL去离子水混合，在沸水浴中搅拌溶解30min，溶液呈现透明均匀状，无结核现象，静止，待气泡消失，即5% PVA ;
[0147]称量0.13g重铬酸按(ADC)和50ml去离子水并混合均匀，即0.26% ADC ；
[0148]称取0.2g荧光粉、0.2g聚甲基丙烯酸甲酯、0.72ml已配置好的5% PVA、0.68ml已配好的0.26% ADC，将四者混合均匀形成荧光粉粉浆；
[0149]采用点胶法将荧光粉粉浆涂覆在已预涂的LED芯片表面上，用干燥箱加热(40°C )干燥20min ；
[0150]采用IA电流、曝光时间0.2ms?Ims自曝光；显影采用去离子水加热至35°C?80°C进行显影，显影时间为30s?5min，然后用去离子水冲洗或吹风吹去未固定的多余的焚光粉，获得具有conformal-remote结构的conformal焚光粉层，并且回收焚光粉。
[0151]实施例15
[0152]称量5g聚乙烯醇(PVA)和10mL去离子水混合，在沸水浴中搅拌溶解30min，溶液呈现透明均匀状，无结核现象，静止，待气泡消失，即5% PVA ;
[0153]称量0.13g重铬酸按(ADC)和50ml去离子水并混合均匀，即0.26% ADC ；
[0154]称量0.72ml已配置好的5%