P型掺杂薄膜的制备方法及有机电致发光器件的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光器件制备技术领域，特别是涉及一种P型掺杂薄膜的制 备方法及有机电致发光器件的制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机材料形成的薄膜广泛应用于各种光电子设备，如太阳能电池、有机电致发光 器件等。典型地，在有机电致发光器件中，在载流子传输层通常采用了掺杂结构。目前除了 采用有机材料进行掺杂之外，也广泛采用无机材料进行掺杂，例如无机氧化物三氧化钨、三 氧化钥、三氧化铼、五氧化二钒等材料。通过将这些材料作为无机P型掺杂剂掺杂在有机主 体材料中形成P型掺杂薄膜，以P型掺杂薄膜作为空穴传输层。通过P型掺杂可以提高空 穴的注入效率和传输效率，从而提高光电子器件的性能。
[0003] 然而，对于这些无机氧化物而言，其掺杂比例通常在20?50%之间，在蒸发制备成 膜的过程中，由于无机氧化物的熔点较高，通常在600°C以上，而有机主体材料的熔点较低， 通常在300?400°C之间，甚至更低。由于在P型掺杂薄膜中的浓度较大，通常无机P型掺 杂剂的蒸发速度较高，由此就需要更多的热量供给给无机P型掺杂剂，而有机主体材料与 无机P型掺杂剂进行共蒸时，由于蒸发源之间的热量会有互相影响，容易导致有机主体材 料产生降解，而如果降低P型掺杂剂的蒸发速度，又势必无法达到设定的掺杂比例，因此有 必要解决这一问题。
【发明内容】
[0004] 基于此，有必要提供一种P型掺杂薄膜的制备方法，以较为精确地控制P型掺杂薄 膜中的无机P型掺杂剂的掺杂比例。
[0005] 进一步，提供一种有机电致发光器件的制备方法。
[0006] 一种P型掺杂薄膜制备方法，包括如下步骤：
[0007] 提供衬底；及
[0008] 采用真空蒸镀共蒸一个有机主体材料蒸发源和两个无机P型掺杂剂蒸发源，在所 述衬底上形成P型掺杂薄膜；
[0009] 其中，所述有机主体材料蒸发源的有机主体材料为N，N'_二苯基-N,N'-二（1-萘 基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺、4,4'，4"-三（^3-甲基苯基4-苯基氨基）三苯胺4州'-二 苯基-N，N'_二（3-甲基苯基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺或^^州'-四甲氧基苯基）-对 二氨基联苯；
[0010] 所述无机P型掺杂剂蒸发源的无机P型掺杂剂优选为三氧化钨、五氧化二钒、三氧 化钥或三氧化铼。
[0011] 在其中一个实施例中，所述一个有机主体材料蒸发源和所述两个无机P型掺杂剂 蒸发源呈直线排列，且所述一个有机主体材料蒸发源设置于所述两个无机P型掺杂剂蒸发 源之间。
[0012] 在其中一个实施例中，所述一个有机主体材料蒸发源和所述两个无机P型掺杂剂 蒸发源等间距排列，且所述两个无机P型掺杂剂蒸发源的中心的距离为10厘米?20厘米。
[0013] 在其中一个实施例中，所述一个有机主体材料蒸发源和所述两个无机P型掺杂剂 蒸发源呈等边三角形排列。
[0014] 在其中一个实施例中，所述两个无机P型掺杂剂蒸发源的中心的距离为8厘米? 15厘米。
[0015] 在其中一个实施例中，所述一个有机主体材料蒸发源和所述两个无机P型掺杂剂 蒸发源呈等腰三角形排列。
[0016] 在其中一个实施例中，所述两个无机P型掺杂剂蒸发源的中心连线为所述等腰三 角型的底边，所述底边的长度为8厘米?15厘米。
[0017] 在其中一个实施例中，所述有机主体材料蒸发源与所述衬底的距离为30厘米? 50厘米。
[0018] 在其中一个实施例中，所述有机主体材料蒸发源的蒸发速度为0.2?lnm/s，所述 两个无机P型掺杂剂蒸发源的蒸发速度均为〇. 05?0.lnm/s。
[0019] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
[0020] 采用上述P型掺杂薄膜的制备方法制备层叠于衬底上的P型掺杂薄膜；
[0021 ] 在所述P型掺杂薄膜上真空蒸镀形成发光层；
[0022] 在所述发光层上真空蒸镀形成电子传输层；及
[0023] 在所述电子传输层上真空蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。
[0024] 上述P型掺杂薄膜的制备方法采用三源共蒸制备种P型掺杂薄膜，由于采用两个 无机P型掺杂剂蒸发源，使得每个无机P型掺杂剂的蒸发速度可以降低至使用一个蒸发源 时的1/2,使得单个无机P型掺杂剂蒸发源的所需的蒸发热量较少，对有机主体材料蒸发源 的影响较小，有利于避免有机主体材料的降解，因而能够较为精确地控制P型掺杂薄膜中 的无机P型掺杂剂的掺杂比例。
【附图说明】
[0025] 图1为一实施方式的P型掺杂薄膜的制备方法的流程图；
[0026] 图2为一实施方式的有机主体材料蒸发源和无机P型掺杂剂蒸发源的排列方式示 意图；
[0027] 图3为另一实施方式的有机主体材料蒸发源和无机P型掺杂剂蒸发源的排列方式 示意图；
[0028] 图4为又一实施方式的有机主体材料蒸发源和无机P型掺杂剂蒸发源的排列方式 示意图。
【具体实施方式】
[0029] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明 的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发 明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不 违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
[0030] 请参阅图1，一实施方式的P型掺杂薄膜的制备方法，包括如下步骤：
[0031] 步骤Sl10:提供衬底。
[0032] 为后续方便使用P型掺杂薄膜制备有机电致发光器件，衬底采用导电阳极基板， 优选为氧化铟锡导电玻璃。
[0033] 将衬底清洗干净并干燥，备用。
[0034] 步骤S120 :采用真空蒸镀共蒸一个有机主体材料蒸发源和两个无机P型掺杂剂蒸 发源，在衬底上形成P型掺杂薄膜。
[0035] 在真空镀膜系统中，在一个蒸发舟上放置有机主体材料，形成一个有机主体材料 蒸发源。在两个蒸发舟上放置无机P型掺杂剂，形成两个无机P型掺杂剂蒸发源。
[0036] 有机主体材料优选为N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二 胺（NPB)、4, 4'，4 "-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、N,N' -二苯 基，州'-二（3-甲基苯基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺〇1^)或^^，^-四甲氧基苯 基）_对二氨基联苯（MeO-TH))。
[0037] 无机P型掺杂剂优选为三氧化钨（W03)、五氧化二钒（V205)、三氧化钥（MoO3)或三 氧化铼（ReO3X
[0038] -个有机主体材料蒸发源和两个无机P型掺杂剂蒸发源设置于同一水平面上。
[0039] 优选地，有机主体材料蒸发源或两个无机P型掺杂剂蒸发源与衬底的距离为30厘 米?50厘米。
[0040] 为了得到精确的蒸发厚度，两个无机P型掺杂剂蒸发源的蒸发速度保持一致。每 个无机P型掺杂剂蒸发源的蒸发速度优选为0. 05?0.lnm/s。
[0041] 相对于传统的双源共蒸制备P型掺杂薄膜工艺中采用一个无机P型掺杂剂蒸发 源，本实施方式的两个无机P型掺杂剂蒸发源中，每个无机P型掺杂剂蒸发源所需的蒸发热 量较少，从而对有机主体材料蒸发源的热量影响较小，有利于避免有机主体材料的降解，因 而能够较为精确地控制P型掺杂薄膜中的无机P型掺杂剂的掺杂比例。
[0042] 蒸镀形成的P型掺杂薄膜的厚度依照下列公式计算：
[0043]P型掺杂薄膜的厚度=有机主体材料蒸发源的单源蒸发速度X蒸发时间。
[0044] 有机主体材料蒸发源的蒸发速度优选为0. 2?lnm/s。
[0045] 上述P型掺杂薄膜的制备方法采用三源共蒸制备种P型掺杂薄膜，由于采用两个 无机P型掺杂剂蒸发源，单个无机P型掺杂剂蒸发源的蒸发速度可以降低至使用一个蒸发 源时的1/2,使得单个无机P型掺杂剂蒸发源的所需的蒸发热量较少，对有机主体材料蒸发 源的影响较小，有利于避免有机主体材料的降解，因而能够较为精确地控制P型掺杂薄膜 中的无机P型掺杂剂的掺杂比例。
[0046] 请同时参阅图2,在一实施方式中，无机P型掺杂剂蒸发源201、无机P型掺杂剂蒸 发源202和有机主体材料蒸发源203呈直线排列，且有机主体材料蒸发源203设置于无机 P型掺杂剂蒸发源201和无机P型掺杂剂蒸发源202之间，以使所形成的P型掺杂薄膜中， 无机P型掺杂剂均匀地掺杂于有机主体材料中。
[0047] 优选地，无机P型掺杂剂蒸发源201、无机P型掺杂剂蒸发源202和有机主体材料 蒸发源203等间距排列。
[0048] 无