有机电致发光器件的制备方法

文档序号:8283957阅读:201来源:国知局
有机电致发光器件的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电致发光器件制备技术领域,特别是涉及一种有机电致发光器件的制 备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光(OrganicLightEmissionDiode),以下简称0LED,具有亮度高、材 料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角以及响应速 度快等优势,是一种极具潜力的显示技术和光源,符合信息时代移动通信和信息显示的发 展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。
[0003] 到目前为止,在有机电致发光器件领域,尽管全世界各国的科研人员通过选择合 适的有机材料和合理的器件结构设计,已使器件性能的各项指标得到了很大的提升,例如 米用PN掺杂传输层的工艺,可以降低器件的启动电压以提高光效,并且有利于寿命的提 商。
[0004] 然而,对于掺杂有掺杂剂的空穴传输层,一般掺杂剂的掺杂比例较低,在采取双源 共蒸法形成掺杂有掺杂剂的空穴传输层时,掺杂剂的蒸镀速率极低,需要对蒸发源采用低 热量供给,从而获得较低的蒸镀速率。这种工艺对于蒸发源的控制比较困难,从而导致掺 杂剂的掺杂比例难以控制。在要求准确的掺杂比例的条件下,需要形成掺杂比例较低的掺 杂薄膜,对掺杂剂的蒸镀速率监控要求非常高,通常要达到0.01nm/s的监控,这对监控器 的要求非常高,并且目前也难以有监控器达到如此准确的监控速度。因此,由于掺杂剂的掺 杂比例无法精确控制,因此得到的掺杂薄膜的掺杂浓度不可控,也就无法实现预先设定的 OLED结构,从而影响器件的发光性能。

【发明内容】

[0005] 基于此,有必要提供一种能够较精确地控制空穴传输层中的掺杂剂的掺杂比例的 有机电致发光器件的制备方法。
[0006] -种有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
[0007] 提供导电阳极基板;
[0008] 将掺杂剂和空穴传输主体材料进行混合得到掺杂剂和空穴传输材料的混合物,于 保护气体氛围中将所述掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物进行加热形成固熔体,真空蒸 镀所述固熔体,在所述导电阳极基板上形成空穴传输层;
[0009] 在所述空穴传输层上真空蒸镀形成发光层;
[0010] 在所述发光层上真空蒸镀形成电子传输层;及
[0011] 在所述电子传输层上真空蒸镀形成阴极,得到所述有机电致发光器件。
[0012] 在其中一个实施例中,将所述掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物进行加热形成 固熔体时,将所述掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物加热至高于所述空穴传输主体材料 的熔点5?KTC的温度,然后冷却至室温,得到所述固溶体。
[0013] 在其中一个实施例中,所述加热的升温速率为5?10°C/min,所述冷却至室温的 降温速率为5?10°C/min。
[0014] 在其中一个实施例中,所述掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物中的掺杂剂和空 穴传输主体材料的质量比是所述空穴传输层中的掺杂剂和空穴传输主体材料的质量比的I. 1 ?1. 2 倍。
[0015] 在其中一个实施例中,所述空穴传输层中,所述掺杂剂与所述空穴传输主体材料 的质量比为1?10:100 ;所述掺杂剂与空穴传输主体材料的混合物中,所述掺杂剂与所述 空穴传输主体材料的质量比为I. 1?12:100。
[0016] 在其中一个实施例中,所述掺杂剂为2, 3, 5, 6-四氟-7, 7',8, 8' -四氰醌-二 甲烧、1,3, 4, 5, 7, 8-六氟-四氰-二甲对萘醌或2, 2' - (2, 5-二氰基-3, 6-二氟环己 烷-2, 5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈;所述空穴传输主体材料为N,N' -二苯基-N,N' -二 (1-萘基)-1,1' -联苯-4, 4' -二胺、4, 4',4' ' -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、 乂^-二苯基州州'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或^^,^-四甲氧基 苯基) -对二氨基联苯。
[0017] 在其中一个实施例中,所述真空蒸镀所述固熔体,在所述导电阳极基板上形成空 穴传输层的步骤中,所述空穴传输主体材料的蒸镀速率为〇. 1?lnm/s。
[0018] 在其中一个实施例中,所述发光层的材料为荧光材料与发光主体材料的混合材料 或为磷光材料与发光主体材料的混合材料,所述在所述空穴传输层上真空蒸镀形成发光层 的步骤时,所述荧光材料或磷光材料的蒸镀速率为0. 01?lnm/s,所述发光主体材料的蒸 镀速率为〇. 01?lnm/s。
[0019] 在其中一个实施例中,所述电子传输层的材料为电子传输材料,所述在所述发光 层上真空蒸镀形成电子传输层的步骤时,所述电子传输材料的蒸镀速率为〇. 1?lnm/s。
[0020] 在其中一个实施例中,所述阴极包括层叠于所述的电子传输层上的氟化物层和金 属层,所述氟化物层的材料为氟化物,所述金属层的材料为金属或合金,所述在所述电子传 输层上真空蒸镀形成阴极的步骤时,所述氟化物的蒸镀速率为〇. 1?lnm/s,所述金属或合 金的蒸镀速率为〇. 1?lnm/s。
[0021] 上述有机电致发光器件的制备方法,首先将掺杂剂和空穴传输主体材料预混加热 形成固熔体,然后真空蒸镀该固熔体,这种单源蒸镀的工艺的蒸镀速率可以提高,比较容易 控制,能够较精确地控制空穴传输层中的掺杂剂的掺杂比例,制备得到的预先设计的有机 电致发光器件结构。
【附图说明】
[0022] 图1为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0023] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合图表对本发明 的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发 明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不 违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
[0024] 请参阅图1,一实施方式的有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
[0025] 步骤SllO:提供导电阳极基板。
[0026] 导电阳极基板优选为氧化铟锡(ITO)薄膜层叠于玻璃基板上形成的ITO导电玻 3? 〇
[0027] 优选地,导电阳极基板为方块电阻为5?100Q/□的ITO导电玻璃。
[0028] 将导电阳极基板清洗干净、干燥,备用。
[0029] 步骤S120 :将掺杂剂和空穴传输主体材料进行混合得到掺杂剂和空穴传输材料 的混合物,于保护气体氛围中将掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物进行加热形成固熔 体,真空蒸镀该固熔体,在导电阳极基板上形成空穴传输层。
[0030]掺杂剂优选为2, 3, 5, 6-四氟-7, 7',8, 8'-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、 1,3, 4, 5, 7, 8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)或2, 2' - (2, 5-二氰基-3, 6-二氟环己 烧 _2, 5-二稀-1,4-二亚基)二丙二臆(F2-HCNQ)。
[0031] 空穴传输主体材料优选为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联 苯-4, 4' -二胺(NPB)、4, 4',4' ' -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、 N, N' -二苯基-N,N' -二(3-甲基苯基)-1,1' -联苯-4, 4' -二胺(TPD)或N,N,N',N' -四 甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TH))。
[0032] 为了形成确定的掺杂比例,得到预设的空穴传输层,掺杂剂和空穴传输主体材料 的混合物中的掺杂剂和空穴传输材料的质量比是预设的空穴传输层中的掺杂剂和空穴传 输主体材料的质量的I. 1?1. 2倍。例如,掺杂剂预设的空穴传输层中的掺杂剂和空穴传 输主体材料的质量比为4:100,掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物中的掺杂剂和空穴传 输材料的质量比为4. 4:100?4. 8:100。
[0033] 优选地,预设的空穴传输层中的掺杂剂和空穴传输主体材料的质量比为1? 10:100,掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物中,掺杂剂和空穴传输主体材料的质量比为I. 1 ?12:100。
[0034] 将掺杂剂和空穴传输主体材料进行混合得到掺杂剂和空穴传输主体材料的混合 物,在常压及保护气体氛围中,将该掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物进行加热,掺杂剂 和空穴传输主体材料的混合物形成固熔体。
[0035] 保护气体为氮气或惰性气体。
[0036] 优选地,将该掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物加热至高于空穴传输主体材料 的熔点5?KTC的温度,然后冷却至室温,得到固熔体。加热使掺杂剂和空穴传输主体材料 的混合物的温度高于空穴传输主体材料的熔点的5?KTC,以能够克服掺杂剂和空穴传输 主体材料之间的作用力,保证掺杂剂和空穴传输主体材料熔化。
[0037] 优选以5?10°C/min的升温速率加热至高于空穴传输主体材料的熔点5?KTC 的温度,以5?KTC/min的降温速率冷却至室温。
[0038] 优选地,采用热阻蒸镀工艺蒸镀上述固熔体,使该固熔体沉积在导电阳极基板上, 形成层叠于导电阳极基板上的空穴传输层。
[0039] 蒸镀的真空度优选为IXKT5?IXKT3Pa,空穴传输主体材料的蒸镀速率优选为 O. 1?lnm/s,有利于形成致密性好、无缺陷的薄膜。
[0040] 空穴传输层的厚度优选为20?60纳米。
[0041] 步骤S130 :在空穴传输层上真空蒸镀形成发光层。
[0042] 发光层的
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