材料为荧光材料与发光主体材料的混合材料，或者为磷光材料与发光主 体材料的混合材料。
[0043] 荧光材料为4-(二腈甲基）-2_ 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-纽-吡喃（0(：几8)、二甲基喹吖啶酮（01^^)、5,6，11，12-四苯基萘并萘（1?111^6116) 2, 3, 6, 7-四氢-1，1，7, 7-四甲基-1H，5H，11H-10_(2-苯并噻唑基）-喹嗪并[9, 9A，1GH] 香豆素（C545T)、4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，1'-联苯（DPVBi)、4, 4'-双[4-(二对甲 苯基氨基）苯乙烯基]联苯（DPAVBi)或4, 4'-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1，1'-联苯 (BCzVBi)。
[0044] 磷光材料为双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱（FIrpic)、双（4, 6-二氟 苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6)、双（4, 6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N，C2)吡啶 甲酸合铱（FCNIrpic)、二（2' ,4'-二氟苯基）吡啶](四唑吡啶）合铱（FIrN4)、二（2-甲 基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac))、二（1-苯基异喹啉）（乙酰 丙酮）合铱（11'&19)2(3〇3〇))、乙酰丙酮酸二（2-苯基批陡）铱（11'&口5〇2(3〇3〇))、三（1-苯 基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3)或三（2-苯基批陡）合铱（Ir(ppy)3)。
[0045] 发光主体材料为4, 4'-二（9-咔唑）联苯（CBP)、8-羟基喹啉铝（Alq3)U, 3, 5-三 (1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，1'-联 苯-4,4'-二胺）（NPB)。
[0046] 优选地，荧光材料与发光主体材料的质量比为5?30:100。磷光材料与发光主体 材料的质量比为5?30:100。
[0047] 优选采用热阻蒸镀工艺形成层叠于空穴传输层上的发光层，真空度优选为 IXKT5?IXKT3Pa,荧光材料或磷光材料的蒸镀速率优选为0. 01?lnm/s，发光主体材料 的蒸镀速率优选为〇. 01?lnm/s，有利于形成致密性较高的薄膜。
[0048] 优选地，发光层的厚度为5?30纳米。
[0049] 步骤S140 :在发光层上真空蒸镀形成电子传输层。
[0050] 电子传输层的材料为电子传输材料。电子传输材料优选为8-轻基喹啉错（Alq3)、 4, 7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或 2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BCP)。
[0051] 优选采用热阻蒸镀工艺形成电子传输层，真空度优选为IXKT5?IXKT3Pa,电子 传输材料的蒸镀速率优选为〇. 1?lnm/s，以形成致密性好、无缺陷的薄膜。
[0052] 电子传输层的厚度优选为20?60纳米。
[0053] 步骤S150 :在电子传输层上真空蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。
[0054] 阴极包括依次层叠于电子传输层上的氟化物层和金属层。氟化物层的厚度优选为 0. 5?2纳米。金属层的厚度优选为70?200纳米。首先真空蒸镀在电子传输层上形成氟 化物层，再进行真空蒸镀在氟化物层上形成金属层。
[0055] 氟化物层的材料为氟化物，氟化物优选为氟化铯（CsF)或氟化锂（LiF)。金属层的 材料为金属或合金。金属优选为银（Ag)、错（Al)或镁（Mg);合金优选为镁-错（Mg-Al)合 金或镁-银（Mg-Ag)合金。
[0056] 优选采用热阻蒸镀形成层叠于电子传输层上的阴极，真空度优选为IXKT5? IXKT3Pa,氟化物的蒸镀速率优选为0. 1?lnm/s，金属的蒸镀速率优选为0. 1?lnm/s，以 提高薄膜的致密性。
[0057] 依次层叠的导电阳极基板、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极得到有机电致 发光器件。
[0058] 上述有机电致发光器件的制备方法，首先将掺杂剂和空穴传输主体材料预混加热 形成固熔体，然后真空蒸镀该固熔体，这种单源蒸镀的工艺的蒸发速率可以提高，较容易控 制，能够较精确地控制空穴传输层中的掺杂剂的掺杂比例，制备得到的预先设计的有机电 致发光器件结构。
[0059] 并且，由于蒸发速率可以提高，提高了制备效率。采用固熔体进行真空蒸镀制备空 穴传输层，随对监控设备的要求较低，便于生产应用，降低制备成本。
[0060] 以下通过具体实施例进一步阐述。
[0061] 实施例1
[0062] 制备有机电致发光器件
[0063] 1、提供方块电阻为5Q/□的ITO导电玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板清 洗干净，干燥后备用；
[0064] 2、选用2,3,5,6_四氟_7,7'，8,8'-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ)作为掺杂剂， 乂^-二苯基4州'-二（3-甲基苯基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺〇1^)作为空穴传输主 体材料。空穴传输层中，掺杂剂和空穴传输主体材料的质量比预设值为1:100,按质量比 1. 1:100混合掺杂剂和空穴传输主体材料得到掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物。在氮 气氛围中、常压下，将该掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物按照5°C/min的升温速率加 热至160°C，然后以5°C/min的降温速率降至室温，形成固熔体。将该固熔体放置于真空镀 膜设备的蒸发舟中，在真空度为IXKT5Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发工艺，以蒸镀 速率为0.lnm/s蒸镀上述固熔体，形成层叠于导电阳极基板上的空穴传输层，空穴传输层 的厚度为20nm;
[0065] 3、在真空度为IXKT5Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发工艺制备层叠于空穴 传输层上的发光层。发光层的材料为二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合 铱（Ir(MDQ) 2 (acac))和N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺） (NPB)的混合材料，Ir(MDQ)2(acac)与NPB的质量比为10:100,发光层的厚度为30nm。其 中Ir(MDQ)2 (acac)的蒸镀速率为0.lnm/s，NPB的蒸镀速率为lnm/s;
[0066] 4、在真空度为IXKT5Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发工艺，以0.lnm/s的蒸 镀速率蒸镀电子传输材料，制备层叠于发光层上的电子传输层，电子传输材料为4, 7-二苯 基-邻菲咯啉（Bphen)，电子传输层的厚度为20nm;
[0067] 5、在真空度为IXKT5Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发工艺，以0.lnm/s的蒸 镀速率蒸镀氟化物制备层叠于电子传输层上的氟化物层，氟化物为氟化铯，氟化物层的厚 度为1纳米；以lnm/s的蒸镀速率蒸镀合金制备层叠于氟化物层上的金属层，合金为镁-铝 合金，金属层的厚度为100纳米，金属层层叠于氟化物层上，得到层叠于电子传输层上的阴 极。
[0068] 依次层叠的导电阳极基板、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极形成有机电致 发光器件。
[0069]实施例2
[0070]1、提供方块电阻为100Q/□的ITO导电玻璃作为导电阳极基板，将导电阳极基板 清洗干净，干燥后备用；
[0071] 2、选用1，3, 4, 5, 7, 8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP)作为掺杂剂， N，N，N'，N'-四甲氧基苯基）-对二氨基联苯（MeO-TPD)作为空穴传输主体材料。空穴传输 层中，掺杂剂和空穴传输主体材料的质量比预设值为10:100,按质量比12:100混合掺杂剂 和空穴传输主体材料得到掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物。在氮气氛围中、常压下，将 该掺杂剂和空穴传输主体材料的混合物按照l〇°C/min的升温速率加热至280°C，然后以 KTC/min的降温速率降至室温，形成固熔体。将该固熔体放置于真空镀膜设备的蒸发舟 中，在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发工艺，以蒸镀速率为lnm/s蒸镀 上述固熔体，形成层叠于导电阳极基板上的空穴传输层，空穴传输层的厚度为60nm;
[0072] 3、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发工艺制备层叠于空穴 传输层上的发光层。发光层的材料为4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛 呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB)和8-羟基喹啉铝（Alq3)的混合材料，DCJTB与Alq3的 质量比为5:100,发光层的厚度为5nm。其中DCJTB的蒸镀速率为0.05nm/s，Alq3的蒸镀速 率为0. 2nm/s ;
[0073] 4、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发工艺，以lnm/s的蒸 镀速率蒸镀电子传输材料，制备层叠于发光层上的电子传输层，电子传输材料为1，3, 5-三 (1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)，电子传输层的厚度为60nm;
[0074] 5、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，采用热阻蒸发工艺，以0.lnm/s的蒸 镀速率蒸镀氟化物制备层叠于电子传输层上的氟化物层，氟化物为氟化铯，氟化物层的厚 度为2纳米；以0. 2nm/s的蒸镀速率蒸镀金属制备层叠于氟化物层上的金属层，金属为铝， 金属层的厚度为200纳米，金属层层叠于氟化物层上，得到层叠于电子传输层上的阴极。
[0075] 依次层叠的导电阳极基板、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极形成有机电致 发光器件。
[0076] 实施例3
[0077] 1、提