薄膜的制备方法制备层叠于导电阳极基板上、厚度为 20nm的P型掺杂薄膜，P型掺杂薄膜作为空穴传输层；
[0095] 2、在真空度为IXKT5Pa的真空镀膜系统中，以0.lnm/s的蒸发速度在P型掺杂薄 膜上蒸镀4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，1'-联苯（0?￥81)，制备厚度为511111、层叠于？型 掺杂薄膜上的发光层；
[0096] 3、在真空度为IXKT5Pa的真空镀膜系统中，以0.lnm/s的蒸发速度在发光层上蒸 镀1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)，制备厚度为20nm、层叠于发光层 上的电子传输层；
[0097] 4、在真空度为IXKT5Pa的真空镀膜系统中，以0.lnm/s的蒸发速度在电子传输层 上蒸镀金属银（Ag),制备厚度为70nm、层叠于电子传输层上的阴极，得到有机电致发光器件。
[0098]实施例5
[0099] 制备有机电致发光器件
[0100] 1、按实施例2的P型掺杂薄膜的制备方法制备层叠于导电阳极基板上、厚度为 IOOnm的P型掺杂薄膜，P型掺杂薄膜作为空穴传输层；
[0101] 2、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，以lnm/s的蒸发速度在P型掺杂薄膜 上蒸镀二甲基喹吖啶酮（DMQA)，制备厚度为20nm、层叠于P型掺杂薄膜上的发光层；
[0102] 3、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，以lnm/s的蒸发速度在发光层上蒸镀 4, 7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen)，制备厚度为60nm、层叠于发光层上的电子传输层；
[0103] 4、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，以lnm/s的蒸发速度在电子传输层 上蒸镀金属铝（A1)，制备厚度为200nm、层叠于电子传输层上的阴极，得到有机电致发光器 件。
[0104] 对比例1
[0105] 制备有机电致发光器件
[0106] 1、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，以lnm/s的蒸发速度在导电阳极基板 上蒸镀N，N' -二苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺（TH))，得到厚度为 20nm的空穴传输层；
[0107] 2、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，以lnm/s的蒸发速度在空穴传输层上 蒸镀4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，1'-联苯（0?￥81)，制备厚度为511111、层叠于空穴传输 层上的发光层；
[0108] 3、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，以lnm/s的蒸发速度在发光层上蒸镀 1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)，制备厚度为20nm、层叠于发光层上的 电子传输层；
[0109] 4、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，以lnm/s的蒸发速度在电子传输层 上蒸镀金属银（Ag),制备厚度为200nm、层叠于电子传输层上的阴极，得到有机电致发光器 件。
[0110] 对比例2
[0111] 制备有机电致发光器件
[0112] 1、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，在导电阳极基板上共蒸镀三氧化钨 (WO3)和N，N' -二苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺（TPD)制备P型 掺杂薄膜，其中，WO3的蒸发速度为0. 2nm/s，TPD的蒸发速度为lnm/s，P型掺杂薄膜的厚度 为20nm，预设的WO3与TPD的质量比为2. 5:100,P型掺杂薄膜作为空穴传输层；
[0113] 2、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，以lnm/s的蒸发速度在空穴传输层上 蒸镀4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，1'-联苯（0?￥81)，制备厚度为511111、层叠于空穴传输 层上的发光层；
[0114] 3、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，以lnm/s的蒸发速度在发光层上蒸镀 1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)，制备厚度为20nm、层叠于发光层上的 电子传输层；
[0115] 4、在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，以lnm/s的蒸发速度在电子传输层上 蒸镀金属银（Ag),制备厚度为70nm、层叠于电子传输层上的阴极，得到有机电致发光器件。
[0116] 在对比例2的制作过程中，WO3的蒸发的速度为0. 2nm/s，在蒸发过程中，由于蒸发 源的温度较高，导致TH)容易发生部分降解，难以控制P型掺杂薄膜中TPD的含量，从而难 以得到预设的无机P型掺杂剂WO3的掺杂比例。
[0117] 测试与制备设备为高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国吉时 利公司Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度。
[0118] 测试实施例4?5和对比例1?2制备的有机电致发光器件在6V的驱动电压下 的发光亮度和发光效率，测试结果见表1。
[0119] 表 1
【主权项】
1. 一种p型惨杂薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底；及 采用真空蒸锻共蒸一个有机主体材料蒸发源和两个无机P型惨杂剂蒸发源，在所述衬 底上形成P型惨杂薄膜； 其中，所述有机主体材料蒸发源的有机主体材料为N，N' -二苯基-N，N' -二（1-蔡 基）-1, r -联苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4"-二（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）二苯胺、N, N'-二 苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺或N，N，N'，N' -四甲氧基苯基）-对 二氨基联苯； 所述无机P型惨杂剂蒸发源的无机P型惨杂剂优选为H氧化鹤、五氧化二饥、H氧化钢 或H氧化練。
2. 根据权利要求1所述的P型惨杂薄膜的制备方法，其特征在于，所述一个有机主体材 料蒸发源和所述两个无机P型惨杂剂蒸发源呈直线排列，且所述一个有机主体材料蒸发源 设置于所述两个无机P型惨杂剂蒸发源之间。
3. 根据权利要求2所述的P型惨杂薄膜的制备方法，其特征在于，所述一个有机主体材 料蒸发源和所述两个无机P型惨杂剂蒸发源等间距排列，且所述两个无机P型惨杂剂蒸发 源的中也的距离为10厘米?20厘米。
4. 根据权利要求1所述的P型惨杂薄膜的制备方法，其特征在于，所述一个有机主体材 料蒸发源和所述两个无机P型惨杂剂蒸发源呈等边H角形排列。
5. 根据权利要求4所述的P型惨杂薄膜的制备方法，其特征在于，所述两个无机P型惨 杂剂蒸发源的中也的距离为8厘米?15厘米。
6. 根据权利要求1所述的P型惨杂薄膜的制备方法，其特征在于，所述一个有机主体材 料蒸发源和所述两个无机P型惨杂剂蒸发源呈等腰H角形排列。
7. 根据权利要求6所述的P型惨杂薄膜的制备方法，其特征在于，所述两个无机P型惨 杂剂蒸发源的中也连线为所述等腰H角型的底边，所述底边的长度为8厘米?15厘米。
8. 根据权利要求1所述的P型惨杂薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机主体材料蒸 发源与所述衬底的距离为30厘米?50厘米。
9. 根据权利要求1所述的P型惨杂薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机主体材料蒸 发源的蒸发速度为0. 2?Inm/s，所述两个无机P型惨杂剂蒸发源的蒸发速度均为0. 05? 0.Inm/s。
10. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 采用权利要求1?9任一项所述的P型惨杂薄膜的制备方法制备层叠于衬底上的P型 惨杂薄膜； 在所述P型惨杂薄膜上真空蒸锻形成发光层； 在所述发光层上真空蒸锻形成电子传输层；及 在所述电子传输层上真空蒸锻形成阴极，得到所述有机电致发光器件。
【专利摘要】本发明涉及一种P型掺杂薄膜的制备方法及一种有机电致发光器件的制备方法。该P型掺杂薄膜的制备方法包括提供衬底及采用真空蒸镀共蒸一个有机主体材料蒸发源和两个无机P型掺杂剂蒸发源，在所述衬底上形成P型掺杂薄膜的步骤。上述P型掺杂薄膜的制备方法采用三源共蒸制备种P型掺杂薄膜，由于采用两个无机P型掺杂剂蒸发源，使得每个无机P型掺杂剂的蒸发速度可以降低至使用一个蒸发源时的1/2，使得单个无机P型掺杂剂蒸发源的所需的蒸发热量较少，对有机主体材料蒸发源的影响较小，有利于避免有机主体材料的降解，因而能够较为精确地控制P型掺杂薄膜中的无机P型掺杂剂的掺杂比例。
【IPC分类】H01L51-56, H01L51-54, H01L51-52
【公开号】CN104600216
【申请号】CN201310530681
【发明人】周明杰, 冯小明, 钟铁涛, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2013年10月30日