33日31、化的'3]1或其它编程语言。使用习知的文 本编辑器将适合的程序代码输入单一文件或多重文件，并且储存于计算机可使用介质（如 计算机的存储器系统）或由计算机可使用介质实施。倘若输入的代码文字是高级语言，贝U 编译代码，而所得的编译程序代码随后与预先编译的Microsoft Windows胶库例程的目标 代码连结。为了执行该连结、编译的目标代码，系统使用者援用该目标代码，使计算机系统 载入存储器中的代码。CPU随后读取并且执行该代码，W进行程序中辨识的任务。
[0化5] 使用者与控制器之间的界面可为透过接触感应监视器，亦可包括鼠标及键盘。在 使用两个监视器的一个实施例中，一个监视器安装在清洁室壁W供操作者使用，且另一个 监视器在壁后W供维修技术人员使用。两个监视器可同步显示相同信息，在该样的实例中， 一次仅有一个监视器被配置成接受输入。为了选择特殊的屏幕或功能，操作者W手指或鼠 标接触显示屏幕上的指定的区域。被接触的区域改变该区域的强调色彩，或显示新的菜单 或屏幕，确认操作者的选择。
[0化6] 本文使用的"基板（substrate)"可为在其上有或无层形成的支撑基板。经图案 化基板可为有各种渗杂浓度及渗杂轮廓的绝缘体或半导体，可例如为用在集成电路制造上 的类型的半导体基板。经图案化基板的暴露的"氧化娃（silicon oxide)"主要是Si化， 但也可包括少量浓度的其它基本组成分，如氮、氨、碳等等。在某些实施例中，使用本文揭 示的方法所蚀刻的氧化娃膜基本上由娃及氧组成。术语"前体（precursor)"指的是参与 反应从表面移除材料或沉积材料在表面上的任何处理气体。"等离子体流出物（plasma effluent)"描述自腔室等离子体区离开并且进入基板处理区的气体。等离子体流出物处 于"激发态（excited state)"，其中至少有一些气体分子处于振动型式的激发、解离及/或 离子化的状态。"自由基前体（radical precursor)"是用于描述参与反应从表面移除材料 或沉积材料在表面上的等离子体流出物（离开等离子体、处于激发态的气体）。"自由基氣 (radical-fluorine)前体"为含有氣的自由基前体，但也可含有其它基本组成分。"惰性气 体（ined gas)"-词是指在蚀刻或被并入膜中时不形成化学键结的任何气体。范例惰性 气体包括稀有气体，但可包括其他气体，只要当（一般而言）在膜中补捉到痕量的该气体时 不形成化学键结即可。
[0化7] 术语"间隙（gap)"及"沟槽（trench)"被使用于本文各处，且并非暗示蚀刻的几 何形貌具有高水平纵横比。自表面的上方观看，沟槽可呈现圆形、卵形、多边形、矩形或各种 其他形状。沟槽的形状可如材料岛（如，实质上为柱状的TiN柱）的壞沟。术语"介层孔 (via)"是指低纵横比沟槽（由上方观之），介层孔可或可不被金属填充而形成垂直的电连 接。如本文所用，共形蚀刻工艺指的是W与表面相同的形状大体上均匀地移除表面上的材 料，即蚀刻过的层的表面与蚀刻前的表面大体上平行。本领域普通技术人员将了解蚀刻过 的界面可能不会100%共形，因此"大体上（generally)"的用语容许可接受的容忍度。
[005引在已揭示若干实施例之后，本领域技术人员将认识到，在不偏离所揭示的实施例 的精神的情况下可使用各种修改、替代构造及等效物。另外，为了避免不必要地混淆本发 明，未描述若干已熟知的工艺及元件。因此，上文描述不应视为限制本发明的范畴。
[0化9] 在提供一范围的值的情况下，除非本文另有明确指定，应理解亦特定地揭示彼范 围的上限与下限之间的每一中间值，精确度为至下限单位的十分位。将涵盖在陈述范围中 的任一陈述值或中间值与在彼陈述范围中的任一其他陈述值或中间值之间的每一较小范 围。此等较小范围的上限及下限可独立地包括于该范围中或排除于该范围之外，且在界限 中任一者、没有任一界限或两界限皆包括于该等较小范围中的每一范围亦涵盖于本发明 内，所述每一范围受所陈述范围中任何特定排除的界限管辖。在所陈述范围包括该等限制 中一者或两者的情况下，亦包括排除彼等包括的限制中一者或两者的范围。
[0060] 如本文及随附权利要求书中所使用，除非本文另有明确指定，否则单数形式"一 (a)"、" 一（an)"及"该仙e)"包括数个指示物。因此，例如，参照"一工艺"包括数个该等 工艺，且参照"该介电材料"包括参照一或多种介电材料及本领域技术人员熟知的该一或多 种介电材料的等效物，等等。
[00W] 又，当在本案说明书中及W上权利要求书中使用词汇"包含（comprise)"、"包含 (comprising)"、"包括（include)"、"包括（including)"及"包括（includes)"时，意欲指定 陈述的特征、整数、组件或步骤的存在，但该等词汇不排除一或多个其他特征、整数、组件、 步骤、动作或群组的存在或添加。
【主权项】
1. 一种于基板处理腔室的基板处理区中蚀刻经图案化基板的方法，其中该经图案化基 板具有多个暴露的氧化硅区，该方法包含下列步骤： 将含氟前体流入与该基板处理区流通地耦接的远端等离子体区，同时于该远端等离子 体区中形成远端等离子体，以产生多个等离子体流出物； 将水蒸气流入该基板处理区而不先将该水蒸气通过该远端等离子体区；以及 通过将该等等离子体流出物流入该基板处理区，以蚀刻该等暴露的氧化硅区，其中该 等暴露的氧化硅区包含具有第一密度的第一氧化硅区及具有第二密度的第二氧化硅区，且 其中该第一密度小于该第二密度，且以第一蚀刻速率蚀刻该第一氧化硅区，并以第二蚀刻 速率蚀刻该第二氧化硅区，该第二蚀刻速率低于该第一蚀刻速率。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用二氯硅烷作为前体以沉积该第一氧化 硅区。
3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用等离子体增强化学气相沉积以沉积该 第一氧化硅区。
4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用高密度等离子体化学气相沉积以沉积 该第二氧化硅区。
5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一蚀刻速率超过该第二蚀刻速率约8或 更多倍。
6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一蚀刻速率超过该第二蚀刻速率约15 或更多倍。
7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一蚀刻速率超过该第二蚀刻速率约25 或更多倍。
8. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，该基板处理区为无等离子体。
9. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，该水蒸气不由任何形成在该基板处理区外 的远端等离子体激发。
10. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，该含氟前体包含选自由原子氟、二原子氟、 三氟化氮、四氟化碳、氟化氢及二氟化氙所组成的群组中的前体。
11. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，该含氟前体及该等等离子体流出物为基本 上缺乏氢。
12. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，该含氟前体流经双区块喷淋头中的多个通 孔，且该水蒸气通过该双区块喷淋头中的多个分隔区块，其中该等分隔区块通往该基板处 理区但不通往该远端等离子体区。
13. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在该蚀刻操作期间，该经图案化基板的温 度为大于或等于约〇°C且小于或等于约100°C。
14. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在该蚀刻操作期间，该经图案化基板的温 度为大于或等于约5°C且小于或等于约40°C。
15. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在该蚀刻操作期间，该基板处理区内的压 力为低于或等于约50Torr且高于或等于约0? ITorr。
16. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，于该远端等离子体区中形成等离子体以产 生多个等离子体流出物的步骤包含下列步骤：施加介于约10瓦与约2000瓦之间的RF功率 至该远端等离子体区。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该远端等离子体区中的等离子体为电容耦 合等离子体。
【专利摘要】兹描述蚀刻经图案化异质结构上的暴露的氧化硅的方法，且该方法包括自远端等离子体蚀刻所产生的气相蚀刻。远端等离子体激发含氟前体。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区，等离子体流出物在基板处理区与水蒸气结合。藉此产生的反应物蚀刻经图案化异质结构，以在不同的蚀刻速率下移除两个单独的相异氧化硅区。该方法可被用来在移除较少高密度氧化硅的同时移除低密度氧化硅。
【IPC分类】H01L21-311, H01L21-3065
【公开号】CN104620363
【申请号】CN201380047312
【发明人】S·H·朴, Y·王, J·张, A·王, N·K·英格尔
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2013年8月22日
【公告号】US9034770, US20140080309, US20150249018, WO2014042843A1