封装件基板以及用于制造封装件基板的方法
【专利说明】封装件基板以及用于制造封装件基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年12月24日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请N0.10-2013-0162584的权益，通过引用将其全部内容结合于此。
技术领域
[0003]本发明涉及一种封装件基板以及用于制造封装件基板的方法。
【背景技术】
[0004]为了应对对于更小、更快以及更具功能性的电子装置的需求，已不断在研发主要用于存储器封装件(memory package)的基板的新形式和各种类型的封装件基板。
[0005]特别地，使封装件基板更小且更薄已成为一项重要的课题，并且已存在许多对于以更高的集成度来封装更大的电容存储器的研究。
[0006]然而，尽管用于常规的封装件基板的引线接合间距不断地减小，但由于电路技术的缺点，在提供足够的接合焊盘宽度以用于稳定地支撑引线接合方面仍存在困难。
[0007]此外，制造常规的封装件基板需要复杂的过程，诸如多个图案电镀过程。
[0008]本发明的相关技术在韩国专利公开N0.2001-0056778 (2001年7月4日公开)中公开。
【发明内容】
[0009]本发明提供用于制造封装件基板的方法，该方法可以通过使图案镀的数量最少来简化制造过程，并且可以更有效地设置接合焊盘的宽度。
[0010]本发明的一个方面的特征在于用于制造封装件基板的方法，该方法包括:在第一光致抗蚀剂中形成对应于接合焊盘的形状的第一开孔；在第一光致抗蚀剂上层压第二光致抗蚀剂，并且在第二光致抗蚀剂中形成对应于焊接焊盘、电路图案层以及接合焊盘的形状的第二开孔；并且在第一开孔和第二开孔中形成图案镀层直到预定高度。
[0011]在形成第一开孔与形成第二开孔之间，该方法还可以包括，在第一光致抗蚀剂和第一开孔上形成无电镀层。
[0012]在形成图案镀层之后，该方法还可以包括:去除第二光致抗蚀剂和暴露的无电镀层；在第一光致抗蚀剂和图案镀层上层压阻焊剂；以及通过在阻焊剂中形成对应于焊接焊盘的形状的焊孔而暴露焊接焊盘。
[0013]在形成第一开孔与形成无电镀层之间，该方法还可以包括，在第一开孔中相继地形成银镀层和镍镀层。无电镀层和图案镀层可以由铜镀层制成。
[0014]第二光致抗蚀剂可以由干膜制成。
[0015]本发明的另一个方面的特征在于封装件基板，该封装件基板包括:焊接焊盘，该焊接焊盘以这样的方式由阻焊剂覆盖，该方式使得焊接焊盘的底表面通过形成在阻焊剂中的焊孔暴露出；电路图案层，该电路图案层形成在与焊接焊盘相同的平面上，以使电路图案层的一端与焊接焊盘耦接，并且电路图案层由阻焊剂覆盖；以及接合焊盘，该接合焊盘形成在比焊接焊盘和电路图案层高的平面上，以与电路图案层的另一端耦接，并且接合焊盘以这样的方式由第一光致抗蚀剂覆盖，该方式使得接合焊盘的上表面暴露出。
[0016]焊接焊盘、电路图案层以及接合焊盘可以以集成的方式形成，并且焊接焊盘、电路图案层以及接合焊盘可以无需经由过孔而彼此耦接。
【附图说明】
[0017]图1是示出了根据本发明的实施方式的用于制造封装件基板的方法的流程图。
[0018]图2至图9示出了根据本发明的实施方式的用于制造封装件基板的方法的每个相应的步骤。
[0019]图10是示出了根据本发明的实施方式的封装件基板的截面图。
[0020]图11示出了根据本发明的实施方式的封装件基板中的焊接焊盘、电路图案层以及接合焊盘。
【具体实施方式】
[0021]在下文中，将参照附图详细地描述根据本发明的特定实施方式的封装件基板以及用于制造封装件基板的方法。在参考附图描述本发明时，任何相同的或者相应的元件将由相同的参考标号来指代，并且将不会提供对其冗余的描述。
[0022]诸如“第一”和“第二”的术语可以用于仅区分一个元件与另一个相同的或者相应的元件，但是上述元件将不会局限于上述术语。
[0023]当一个元件被描述为“耦接”至另一个元件时，则不仅仅指这些元件之间的物理的、直接的接触，而是还应包括又一元件插入这些元件之间以及这些元件中的每个都与所述的又一元件接触的可能性。
[0024]图1是示出了根据本发明的实施方式的用于制造封装件基板的方法的流程图。图2至图9示出了根据本发明的实施方式的用于制造封装件基板的方法的每个相应的步骤。
[0025]如图1至图9所示，根据本发明的实施方式的用于制造封装件基板的方法开始于在第一光致抗蚀剂10中形成对应于接合焊盘300(参见图10)的形状的第一开孔1US100 ；参见图2)。
[0026]这里，如图2所示，第一光致抗蚀剂10是诸如PID (光可成像的电介质)的材料，该材料被光照射的一部分可被显影剂溶解或者不溶解，并且第一光致抗蚀剂可以具有通过曝光和显影工艺形成在其中的第一开孔11。
[0027]接合焊盘300是封装件基板1000的一部分(参见图10)，该封装件基板通过例如引线接合与单独的半导体芯片连接，并且可以根据需要设置在不同的位置处并设置成不同的数量。
[0028]同时，如图2所示，当第一光致抗蚀剂10被层压在单独的载体上时，可以进行步骤
SlOOo
[0029]此后，可以在第一光致抗蚀剂10上层压第二光致抗蚀剂30，并且可以在第二光致抗蚀剂30中形成对应于焊接焊盘100 (参见图10)、电路图案层200 (参见图10)以及接合焊盘300的形状的第二开孔31 (S400;参见图5)。
[0030]这里，如图4所示，第二光致抗蚀剂30也是这样的材料，该材料被光照射的一部分可被显影剂溶解或者不溶解，并且第二光致抗蚀剂可以具有通过曝光和显影工艺形成在其中的第二开孔31。
[0031]此外，焊接焊盘100是与单独的焊球连接的一部分，并且电路图案层200是与焊接焊盘100和接合焊盘300电连接的一部分。焊接焊盘100和电路图案层200也可以根据需要设置在不同位置上并设置成不同的数量。
[0032]然后，可以在第一开孔11和第二开孔31中形成图案镀层40直到预定高度(S500 ；参见图6)。这里，“图案镀”是指在制造封装件基板的过程中选择性地镀覆对应于导电图案的一部分，并且可以通过图案镀在第一开孔11和第二开孔31的内部形成图案镀层40。
[0033]因而，根据本实施方式的用于制造封装件基板的方法可通过单个图案镀工艺形成焊接焊盘100、电路图案层200以及接合焊盘300，并且因此可以使图案镀的数量最少并且简化封装件基板1000的制造过程。
[0034]此外，因为接合焊盘300嵌入第一光致抗蚀剂10中，所以例如，在用于去除上述载体的闪刻蚀(flash etching,微蚀刻)工艺期间可以防止接合焊盘300的宽度损失,并且因此可以更有效地设置接合焊盘300的宽度。
[0035]在步骤SlOO与S400之间，根据本实施方式的用于制造封装件基板的方法可以进一步包括在第一光致抗蚀剂10和第一开孔11上形成无电镀层20 (S300 ;参见图4)。
[0036]这里，“无电镀”仅通过还原剂的作用自动催化性地减少金属盐的水溶液中的金属离子而无需将来自外部的电能提供至其，并且“无电镀”使金属沉淀在第一光致抗蚀剂10和第一开孔11的表面上。因此，通过步骤S300可以形成用于进行上述图案镀的籽晶(seed，晶种)。
[0037]此外，因为无电镀层20插入在第一光致抗蚀剂层10与第二光致抗蚀剂层30之间，所以当在第二光致抗蚀剂30中形成第二开孔31或者去除第二光致抗蚀剂30时可以防止第一光致抗蚀剂10受到损坏。
[0038]在步骤S500之后，根据本实施方式的用于制造封装件基板的方法可以进一步包括去除第二光致抗蚀剂30和暴露的无电镀层20 (S600 ;参见图7)。
[0039]由于上面没有镀覆的图案而暴露