阵列基板的制造方法、阵列基板与液晶显示装置的制造方法

阵列基板的制造方法、阵列基板与液晶显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法、由该阵列基板的制造方法制造的阵列基板以及包括该阵列基板的液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具备轻薄、节能、无福射等诸多优点，因此已经逐渐取代传统的阴极射线管(CRT)显示器。目前液晶显示器被广泛地应用于高清晰数字电视、台式计算机、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、移动电话、数码相机等电子设备中。
[0003]常见的液晶显示装置可分为窄视角的扭曲向列型(Twisted Nematic, TN)液晶显示装置、超扭曲向列型(Super Twisted Nematic, STN)液晶显示装置、双层超扭曲向列型(Double — layer Super Twisted Nematic,DSTN)液晶显示装置以及广视角的边缘场开关技术(Fringe Field Switching，FFS)液晶显不装置、平面转换(In — Plane Switching，IPS)液晶显示装置与垂直配向技术(Vertical Alignment, VA)液晶显示装置。其中，IPS型液晶显示装置由于其可视角度大、色彩真实、画面出色等各种优势而被广泛地应用于显不设备中。
[0004]随着IPS型液晶显示装置的解析度越来越高，IPS型液晶显示装置的面板上的像素点越来越密集，则红色(Red。R)子像素、绿色(Green，G)子像素以及蓝色(Blue，B)子像素之间设置的黑色矩阵(Black Matrix,BM)的宽度将会减小，BM宽度减小容易引起液晶显示装置发生漏光现象。此外，在阵列基板与彩色滤光片基板组立的过程中，若阵列基板与彩色滤光片基板之间的偏移量MA过大，液晶显示装置也会发生漏光现象。
[0005]目前，现有技术中为了防止液晶显示装置的漏光现象，一方面加宽BM的宽度，另一方面是在阵列基板与彩色滤光片基板组立过程中设定机台工作参数，使得阵列基板与彩色滤光片基板之间的偏移量在限定范围内。但是，加宽BM的宽度将导致液晶显示装置的透光率下降，影响画面显示，此外，在阵列基板与彩色滤光片基板的组立过程中设定机台参数，可靠性低，容易产生不良产品，降低了产品的良率。
[0006]因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。

【发明内容】

[0007]鉴于以上问题，本发明提供一种良率高、透光率高且不易漏光的阵列基板。
[0008]本发明提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括步骤:在基底上形成栅极金属层；在所述栅极金属层上形成有源层；在所述有源层上形成源一漏极金属层；在所述源一漏极金属层上形成第一绝缘层；在所述绝缘层上形成像素电极层；在所述像素电极层上形成第二绝缘层以及在所述第二绝缘层上形成第一部分公共电极层与第二部分公共电极层，其中，所述第一部分公共电极层对应于数据线的位置设置，且呈条状位于数据线的上方，所述第一部分公共电极层的材料为金属。
[0009]本发明还提供一种由上述方法制造的阵列基板，所述阵列基板包括基底、设置在所述基底上的栅极金属层、设置在所述栅极金属层上的有源层、设置所述有源层上的源一漏极金属层、设置在所述源一漏极金属层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的像素电极层、设置在所述像素电极层上的第二绝缘层以及设置在所述第二绝缘层上的第一部分公共电极层与第二部分公共电极层。其中，所述第一部分公共电极层对应于数据线的位置设置，且呈条状位于数据线上方，所述第一部分公共电极层的材料为金属。
[0010]本发明还提供一种包括上述阵列基板的液晶显示装置。
[0011]本发明的阵列基板的制造方法、由该方法制造的阵列基板以及包括该阵列基板的液晶显示将阵列基板上的公共电极分为第一部分公共电极层与第二部分公共电极层，并且第一部分公共电极层位于数据线的上方，此外，第一部分公共电极层的材料为金属钼，由于金属钼的不透光性，在数据线上方的第一部分公共电极层相当于黑色矩阵，进而使得阵列基板不易产生漏光现象，进而提高产品的良率，此外，对应于数据线位置的黑色矩阵可适当的减小宽度从而提高产品的透光率。
【附图说明】
[0012]图1为本发明一实施例所提供的阵列基板的制造方法的步骤流程示意图。
[0013]图2为发明一实施例所提供的阵列基板的平面结构示意图。
[0014]图3为本发明一实施例所提供的液晶显示装置的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的阵列基板的制造方法、阵列基板与液晶显示装置其【具体实施方式】、方法、步骤、结构、特征及功效，详细说明如后。
[0016]有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚的呈现。通过【具体实施方式】的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
[0017]请参考图1，图1为本发明一实施例所提供的阵列基板的制造方法的步骤流程示意图。如图1所示，本发明的阵列基板的制造方法包括步骤:
[0018]Sll:在基底上形成栅极金属层；
[0019]在本步骤中，首先需要对基底先进行清洗，清洗的主要目的是去除基底表面的有机物、金属颗粒和灰尘等污染物。清洗采用的方法主要为干式清洗法与湿式清洗法，干式清洗法主要有紫外线清洗、红外线清洗和等离子清洗等，一般生产线常用的是紫外线清洗方法；湿式清洗法主要有刷洗法、超声波法、高压喷淋法、纯水/空气二流体清洗和药液清洗法，一般在生产线清洗机中集成混合使用。此外，需要注意的是，清洗过程完成之后需要对基底表面进行干燥处理。
[0020]进一步地，在干燥后的基底上采用溅射成膜方法形成第一金属层，其中，主要采用直流与射频交流驱动磁控溅射。溅射成膜过程中对成膜质量影响较大的主要有四个参数:成膜温度、成膜气体压力、反应腔室真空度和磁场强度及其分布。成膜温度越高，形成的膜质越致密，耐化学腐蚀能力越强，比阻抗越小；成膜气体压力低时，溅射膜的微观结构致密，缺陷少，成膜气体压力高时，溅射膜的膜质疏松、缺陷多；此外，若反应腔室内有杂质气体存在，会严重影响膜质与成膜速度，并且磁场分布不均匀会导致成膜不均匀。需要说明的是，在本实施例中，基底为玻璃材质。
[0021]进一步地，当在基底表面形成一整面完整且均匀的第一金属层后，可以通过掩膜制程在基底上形成具有目标图案的栅极金属层。具体地，在第一金属层表面涂布光阻液，进而将刻有图案的掩膜板放置在基底的上方并通过掩膜板对基底进行曝光、显影等处理以将曝光于紫外线下的光阻液溶解于显影液中，然后将经过曝光、显影后的基底放入金属蚀刻液中进行蚀刻以去除基底表面经过显影处理的第一金属层，最后对蚀刻后的基底进行剥膜处理，具体地向光阻液表面滴入有机溶液，该有机溶液与光阻液发生化学反应以去除第一金属层表面的光阻液，进而形成栅极金属层。需要说明的是，栅极金属层的材料可为铝、钼、铬、镍等金属中的一种，此外，需要说明的是，本实施例中的光阻液为正性光阻，但是本领域的技术人员可以理解的是，本实施例中的光阻液也可以为负性光阻。
[0022]S12:在栅极金属层上形成有源层；
[0023]在本步骤中，当在步骤Sll形成栅极金属层后需在基底表面形成完整均匀的非晶硅(a — Si)薄膜。在本实施例中，可以采用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposit1n，PECVD)、高密度等离子体气相沉积法(HighDensity Chemical Vapor Deposit1n，HDPCVD)、金属有机物气相沉积法(Metal1 —organic Chemical Vapor Deposit1n, MOCVD)等方法沉积成膜。
[0024]当非晶硅薄膜形成后，可采用如步骤Sll中所述的掩膜制程在栅极金属层上形成具有目标图案的有源层，该有源层属于半导体介质，其用于传输电子，该有源层位于栅极金属层上。本步骤中的掩膜制程与步骤Sll中的掩膜制程相似，具体过程可参考步骤Sll中的相关描述，故此处不再赘述，需要说明的是，本步骤中的掩膜制程与步骤Sll中掩膜制程区别之处在于蚀刻过程中采用的蚀刻液为薄膜蚀刻液。
[0025]S13:在有源层上形成源一漏极金属层；
[0026]在本步骤中，当步骤S12形成有源层后，可在基底表面采用溅射成膜的方法形成第二金属层，当在基底表面形成完整均匀的第二金属层后采用掩膜制程形成具有目标图案的源一漏极金属层。在本步骤中，采用掩膜制程形成源一漏极金属层的具体掩膜制程与步骤Sll中的掩膜制程相同，具体可参考步骤Sll的相关描述，故此处不再赘述。
[0027]S14:在源一漏极金属层上形成第一绝缘层；
[0028]在本步骤中，当步骤S13形成源一漏极金属层后可采用等离子体增强化学气相沉积法、高密度等离子体气相沉积法、金属有机物气相沉积法等方法在源一漏极金属层上沉积成膜以形成第一绝缘层。