渐缩侧壁。
[0049]参考图22到24，已移除壁21 (未展示)以形成较大开口 30s，所述较大开口具有其中在所描绘图23直线垂直横截面中移除壁的非垂直侧壁表面34s。图24展示为非水平的较大开口 30s的基底29s。此可由图19到21中的开口 71、72、73、74在一个纵向端处比在另一纵向端处宽导致，借此将较大开口 30s形成为在衬底20中与较窄端相比在较宽端处较深。可采用如上文所描述的任何其它属性。
[0050]上文所描绘实施例展示所描绘视图中的仅单个较大开口。可能形成可能上百、上千或更多此类开口。此外，那些大开口可能平行或以其它方式相对于彼此定向，且相对于彼此具有任何间距。图25展示具有形成于其中的一系列紧密间隔的较大开口 30的替代实施例衬底片段10x。已在适当的情况下使用来自上文所描述的实施例的相同编号，其中一些构造差异是以后缀“X”指示。可采用如上文所描述的任何其它属性。不管怎样，可在任何现有或尚待开发的设备中使用根据本发明的实施例形成的结构。举例来说，较大开口可用作光学或其它波导或用于铁电硅上液晶(FLCOS)装置中。
[0051]总结
[0052]在一些实施例中，形成衬底开口的方法包括在衬底中形成多个并排开口。紧邻并排开口中的至少一些开口在衬底中形成到相对于彼此不同的深度。移除横向介于并排开口之间的壁以形成较大开口，所述较大开口具有非垂直侧壁表面，其中在至少一个直线垂直横截面中移除所述壁，所述至少一个直线垂直横截面正交于所述经移除壁通过侧壁表面。
[0053]在一些实施例中，形成衬底开口的方法包括在衬底上方提供蚀刻掩模。蚀刻掩模包括多个并排开口。至少一些紧邻并排开口具有相对于彼此不同的最小宽度。多个并排开口使用蚀刻掩模等离子蚀刻到衬底中。与经由蚀刻掩模中的较窄最小宽度开口蚀刻的衬底开口相比，经由蚀刻掩模中的较宽最小宽度开口蚀刻的衬底开口更深地蚀刻到衬底中。移除横向介于并排衬底开口之间的壁以形成较大开口，所述较大开口具有非垂直侧壁表面，其中在至少一个直线垂直横截面中移除所述壁，所述至少一个直线垂直横截面正交于所述经移除壁通过侧壁表面。
[0054]按照条例，已在语言上关于结构及方法特征更特定或较不特定描述本文中所揭示的标的物。然而，应理解，由于本文中所揭示的方法包括实例性实施例，因此所述权利要求书不限于所展示及所描述的特定特征。因此，所述权利要求书是由字面措辞来提供完整范围，且根据等效内容的教义适当地予以解释。
【主权项】
1.一种形成衬底开口的方法，其包括: 在衬底中形成多个并排开口，紧邻并排开口中的至少一些开口在所述衬底中形成到相对于彼此不同的深度；及 移除横向介于所述并排开口之间的壁以形成较大开口，所述较大开口具有非垂直侧壁表面，其中在至少一个直线垂直横截面中移除所述壁，所述至少一个直线垂直横截面正交于所述经移除壁通过所述侧壁表面。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成包括等离子蚀刻。3.根据权利要求2所述的方法，其包括仅使用单个掩蔽步骤来形成在其间具有壁的所述并排开口。4.根据权利要求1所述的方法，其中在其间具有壁的所述多个并排开口是亚微米的，且所述较大开口是亚微米的。5.根据权利要求1所述的方法，其中在其间具有壁的紧邻并排开口中的仅一些开口在所述衬底中形成到相对于彼此不同的深度。6.根据权利要求1所述的方法，其中在其间具有所述壁的每一紧邻并排开口在所述衬底中相对于彼此具有不同深度。7.根据权利要求6所述的方法，其中在其间具有所述壁的所有并排开口相对于彼此具有不同深度。8.根据权利要求1所述的方法，其中在其间具有所述壁的所有所述衬底开口经形成为正交于所述直线垂直横截面而纵向伸长的。9.根据权利要求1所述的方法，其中在其间具有所述壁的所述衬底开口中的至少一者经形成为并非纵向伸长的。10.根据权利要求1所述的方法，其中在其间具有所述壁的所述衬底开口经形成以个别地具有恒定深度。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述非垂直侧壁表面经形成以沿着所述至少一个直线垂直横截面沿着其长度的至少大部分为直线性的。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述非垂直侧壁表面经形成以沿着所述至少一个直线垂直横截面沿着其长度的实质上全部为直线性的。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述非垂直侧壁表面经形成以沿着所述至少一个直线垂直横截面沿着其长度的至少大部分为弯曲的。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述非垂直侧壁表面经形成以沿着所述至少一个直线垂直横截面沿着其长度的实质上全部为弯曲的。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述非垂直侧壁表面经形成为凹面的。16.根据权利要求14所述的方法，其中所述非垂直侧壁表面经形成为凸面的。17.根据权利要求1所述的方法，其中所述非垂直侧壁表面经形成以具有至少一个直线性区段与至少一个弯曲区段的组合。18.根据权利要求1所述的方法，其中所述非垂直侧壁表面经形成以具有不同成角度直线性区段的组合。19.根据权利要求1所述的方法，其中所述较大开口经形成以包括在所述至少一个直线垂直横截面中与所述非垂直侧壁表面横向相对的垂直侧壁表面。20.根据权利要求1所述的方法，其中所述较大开口经形成为无在所述至少一个直线垂直横截面中与所述非垂直侧壁表面横向相对的任何垂直侧壁表面。21.根据权利要求1所述的方法，其中所述较大开口经形成为无任何垂直侧壁表面。22.根据权利要求21所述的方法，其中所述较大开口经形成以在所述至少一个直线垂直横截面中为“V”形状。23.根据权利要求21所述的方法，其中所述较大开口经形成以在所述至少一个直线垂直横截面中为“W”形状。24.根据权利要求1所述的方法，其中所述非垂直侧壁表面在移除可能上覆于所述衬底上的任何蚀刻掩模之后延伸到所述衬底的竖直最外表面。25.根据权利要求1所述的方法，其中所述较大开口经形成以包括为垂直的且与所述非垂直侧壁表面接合的竖直最外侧壁表面。26.根据权利要求1所述的方法，其中所述较大开口经形成以具有正交于所述一个直线垂直横截面的水平基底表面。27.根据权利要求26所述的方法，其中所述水平基底表面沿着所述较大开口的实质上全部正交于所述一个直线垂直横截面延伸。28.根据权利要求1所述的方法，其中所述较大开口经形成以具有正交于所述一个直线垂直横截面的非水平基底表面。29.根据权利要求28所述的方法，其中所述非水平基底表面沿着所述较大开口的实质上全部正交于所述一个直线垂直横截面延伸。30.根据权利要求1所述的方法，其中在其间具有所述壁的所述衬底开口经形成以个别地具有多个不同最外敞开尺寸，且所述较大开口经形成以具有正交于所述一个直线垂直横截面的非水平基底表面。31.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述较大开口形成为正交于所述至少一个直线横截面而纵向伸长的。32.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成包括蚀刻且所述移除包括蚀刻，所述形成及所述移除包括单独不同化学品的时间间隔蚀刻步骤。33.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成包括蚀刻且所述移除包括蚀刻，所述形成的所述蚀刻及所述移除的所述蚀刻包括从所述形成到所述移除的单个连续蚀刻步骤。34.一种使用蚀刻掩模形成衬底开口的方法，所述蚀刻掩模包括多个并排开口，至少一些紧邻并排开口具有相对于彼此不同的最小宽度，所述方法包括: 使用所述蚀刻掩模将多个并排开口等离子蚀刻到所述衬底中，与经由所述蚀刻掩模中的较窄最小宽度开口蚀刻的所述衬底开口相比，经由所述蚀刻掩模中的较宽最小宽度开口蚀刻的所述衬底开口更深地蚀刻到所述衬底中；及 移除横向介于所述并排衬底开口之间的壁以形成较大开口，所述较大开口具有非垂直侧壁表面，其中在至少一个直线垂直横截面中移除所述壁，所述至少一个直线垂直横截面正交于所述经移除壁通过所述侧壁表面。35.根据权利要求34所述的方法，其中所述蚀刻掩模直接抵靠所述衬底。36.根据权利要求34所述的方法，其中所述蚀刻掩模不直接抵靠所述衬底。37.根据权利要求34所述的方法，其中所述移除包括蚀刻。38.根据权利要求37所述的方法，其中所述蚀刻掩模直接抵靠所述衬底，且所述移除包括: 继续所述等离子蚀刻以移除横向介于所述蚀刻掩模中的所述并排开口之间的壁，且借此竖直地暴露且蚀刻掉横向介于所述并排衬底开口之间的所述壁。
【专利摘要】本发明涉及一种形成衬底开口的方法，所述方法包含在衬底中形成多个并排开口。紧邻并排开口中的至少一些开口在所述衬底中形成到相对于彼此不同的深度。移除横向介于所述并排开口之间的壁以形成较大开口，所述较大开口具有非垂直侧壁表面，其中在至少一个直线垂直横截面中移除所述壁，所述至少一个直线垂直横截面正交于所述经移除壁通过所述侧壁表面。
【IPC分类】H01L21/027, G03F7/20
【公开号】CN105229775
【申请号】CN201480028217
【发明人】马克·基尔鲍赫
【申请人】美光科技公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2014年4月24日
【公告号】EP3005406A1, US9005463, US20140357086, US20150214100, WO2014193569A1